新能源汽车电工电子技术 课件 40认识IGBT

认识IGBT《新能源汽车电工电子技术》contents目录2IGBT的内部结构和原理1半导体器件的分类半导体器件的分类一一半导体器件的分类认识IGBT电力半导体器件分类是否可控不可控不能用控制信号控制其通断：如普通功率二极管VD。半控型可控制导通，不能控制关断：如普通晶闸管SCR。全控型可控制其导通和关断：如GTR，MOSFET，IGBT。驱动方式电流驱动通过电流信号控制导通或关断：如三极管BJT。电压驱动通过电压信号控制导通或关断：如MOSFET，IGBT。IGBTIGBTIGBT被称为电力电子行业里的CPU，能够根据信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，被广泛应用于家电、新能源车、新能源发电、智能电网、轨道交通、航空航天等领域。一半导体器件的分类认识IGBTBJT(双极型三极管)MOS(绝缘栅型场效应管)IGBT:复合全控型电压驱动式功率半导体器件IGBT的内部结构和原理二IGBT符号图一IGBT的内部结构认识IGBT绝缘栅型场效应管MOSFET功率晶体管GTR技术复合型开关器件IGBT是在功率绝缘栅型场效应管MOSFET的基础上发展起来的一IGBT的内部结构认识IGBT绝缘栅型场效应管MOSFET内部结构IGBT内部结构一IGBT的内部结构认识IGBTIGBT是通过在功率绝缘栅型场效应管MOSFET的漏极上追加p+层而构成的。一IGBT的内部结构认识IGBTIGBT是通过在功率绝缘栅型场效应管MOSFET的漏极上追加p+层而构成的。N+区:源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E)。一IGBT的内部结构认识IGBTIGBT是通过在功率绝缘栅型场效应管MOSFET的漏极上追加p+层而构成的。N+区:源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E)。P+区：漏区，器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极G)一IGBT的内部结构认识IGBTIGBT是通过在功率绝缘栅型场效应管MOSFET的漏极上追加p+层而构成的。N+区:源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E)。P+区：漏区，器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极G)漏极:附于漏区上的电极(即集电极C)一IGBT的内部结构认识IGBT控制IGBT的栅极与射极电压大小实现对IGBT三种状态控制导通关断阻断二IGBT的工作原理认识IGBTIGBT的开通和关断由栅极-发射极间电压UGE决定：当栅极-发射极间电压UGE为正，且大于开启电压UGE(th)时，MOS管内形成导电沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，进而使IGBT导通。当栅极、发射极间不加信号或加反向电压时，MOS管内形成导电沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT即关断，为全控型器件。IGBT的等效电路二IGBT的工作原理认识IGBTIGBT在新能源汽车的作用电控车载空调充电桩逆变器是电动汽车及充电桩等设备的核心技术部件新能源汽车电机驱动系统主要作用从电池直流电转换到电机交流电，或者从电机交流电转换到电池直流电能量的转换二IGBT的工作原理认识IGBT主要用到的功率器件：IGBT，常用于高压功率的转换直流电转到交流电称为逆变新能源汽车电机驱动系统主要作用从电池直流电转换到电机交流电，或者从电机交流电转换到电池直流电能量的转换二IGBT的工作原理认识IGBT主要用到的功率器件：IGBT，常用于高压功率的转换直流电转到交流电称为逆变电动汽车在转换过程中二IGBT的工作原理认识IGBT电池电压：200V以上过流能力：300A以上功率器件的击穿电压：600-1200V左右可通过