半导体器件 第16-1部分 微波集成电路 放大器 编制说明

1《半导体器件第16-1部分：微波集成电路放大器》（征求意见稿）编制说明(TC599)归口。主要起草单位为中国电子科技集团公司称“中国电科55所”）、中国电子科技集团公司第十三研究国际标准接轨，适应新的要求，对原标准进对参编单位进行意见征集，形成《半导体器件第16-1部分：微波集成电路放2024年5月，编制组参加了征求意见稿讨论会，参会单位有电子五所、中2其中主编单位为中国电科55所，主要负责本标准的翻译、修订、试验及验在调研国内放大器技术发展的前提下，为了保证放大器测试参数、测试方法和测试程序与国际标准接轨，本标准等同采用IEC60747-16-1edition1.2：除去对原文的部分编辑性修改外，本标准的结构与内容与IEC60747-16-1以ISO/IEC标准化文件为基础的标可靠性起着重要作用。本标准对应IEC60747产品标准与国际标准一致，实现微波集成电我国现行的微波集成电路放大器相关标准主要有：GJB3表1本标准与相关标准对比情况制的转换系数、群延迟时间、n阶谐波失真比、输率、限幅输出功率平坦度、1分贝增益压缩输出额定值和特性制的转换系数、群延迟时间、功率附加效率、率和限幅输出功率平坦度、1分贝增益压缩输出 度、线性功率增益、线性功率增益平坦度、增益控制范围、限幅输出功率、限幅输出功率平坦度、1分贝增益压缩输出功率、互调失真、截距点功率、幅度调制对相应调制的转换系数、群延迟时间、功率附加效率、噪声系数的术语和定义；本标准中另包含n阶谐波失真比、输出噪声功率、输出功率、GJB8125-2013中另包含脉冲响应时间、抗烧毁功率的的术语和定义。从适4用性上，n阶谐波失真比可以衡量器件输出端第n阶谐波分量功率与基频功率之比；邻信道功率比可以衡量信号带外频谱失真特性，即主功率泄露到邻频信道的程度；负载失配允差、源失配允差、负载失配稳定性可验证产品在规定条件下的抗失配能力。均宜纳入微波集成性、机械与环境额定值特性和数据、附加资料；GJB8125-2013偏向于测试的电特性指标的测试方法，其中GJB8125-2013还增加了一类使分析仪进行电特性测试的测试方法；两类标4）验证方法：本标准与GJB8125-20135表2修订前后版本变化对比…………5.14输出反射系数的模（输出回波损耗|s22|）5.15反向传输系数的模（隔离度|s12|）………………5.13输入反射系数的模（输入回波损5.14输出反射系数的模（输出回波损耗|S225.15反向传输系数的模（隔离度|S12……5.22邻信道功率比(Padj/Po(mod))……6表2（续）GB/T4728.13—1996电气简图用图形件和集成电路第1部分：总则(idtIECIEC60748-2：1997半导体器件IEC60748-4：1997半导体器件ElectrotechnicalVocabulary(IEV注：GB/T14733.7-2008电信术语注：GB/T4728（所有部分）电气简图用图形符号（IEC6061IEC60747-1:2006半导体器件第1部分：（Semiconductordevices-Discretedevices注：GB/T20516-XXXX半导体devices—Integratedcircuits—Part2：Digitalintegratedevices—Integratedcircuits—Part3：AnalogIEC60748-4:1997半导体器件集成电路第4部分：接口集成电路（Semiconductordevices—Integratedcircuits—Part4：InterfaceintegratedIEC/TS61340-5-1静电-第5-1节：保护电子设备不受静电现象干扰-通用要求electrostaticphenomena-Generalr注：GB/T37977.51-2019静电学第5-1部分：电子器件的静电防护通用要求(IECIEC/TS61340-5-2静电-第5-2节：保护电子设备不受静电现象干扰-用户指南electrostaticphenomena7表2（续）……11|…………注：缩写“IMDn”通常用于n阶交调失真。……见：IEC60747-4:2007/7…………见：IEC60747-4:2007/7……8表2（续）……作为附加资料，可以给出完整的电路图，但不必标明电路元器件值。必须给出功能图形符号。这些可以从图形符号标准……性-……4.6.2.23邻信道功率比（4.6.2.24负载失配允差（4.6.2.26负载失配稳定性（增加“邻信道功率比、负载失配允差、源失配允差、负载失配稳定性”PO和Pn——分别为基频信号和交调失真的输出功率P1和Pn——分别为基频信号和交调失真的功率输出功率“PO”符号修改为“P1”在图9所示电路图中阶谐波失真比Pnth/P1(单位为dBc)由下式删除“(单位为dBc)”(Padj/Po(mod))-5.22邻信道功率比(Padj/Po(mod))增加5.22邻信道功率比(Padj/Po(mod))-9三、试验验证的分析、综述报告，技术经济论证，预期的经济效益、社会放大器的生产符合国家相关环境法律法规要以GaN类功率放大器为例，依据标准中规定的测试方法，对相关参数进行表3WFDN240280-P40型GaN功率放大器芯片测试项目及测试条件1ACPR图1WFDN240280-P40型GaN功率放大器芯片邻信道功率比测试数据表4WFDN015016-P37型GaN功率放大器芯片测试项目及测试条件1ψ-2ψ-3ψ-图2低温抗失配试验系统及频谱杂散测试表5WFDN015016-P37型GaN功率放大器芯片负载失配允差测试数据无2：1无3：1无5：1无7：1无10：1有表6WFDN015016-P37型GaN功率放大器芯片源失配允差测试数据无2：1无3：1无5：1无7：1无10：1无表7WFDN015016-P37型GaN功率放大器芯片负载失配稳定性测试数据2：13：15：17：110：1来几年内市场规模将会进一步扩大，预计在2030年全球放大器市场将超过3016-1：Microwaveintegratedcircuits-Amplifiers》。本标准的结构和内容与IEC——第6部分：微波集成电路倍频器。五、以国际标准为基础的起草情况，以及是否合规引用或者采用国际国外16-1：Microwaveintegratedcircuits-Ampl