半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第2部分：柔性器件的电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压评价方法 征求意见稿_第1页
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GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-1半导体器件柔性可拉伸半导体器件第2部分：柔性器件的电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压评价方法本文件规定了用于评价和确定柔性薄膜晶体管(TFT)器件性能特征的术语、定义、符号、配置和评价方法。为了准确评价柔性TFT器件在实际使用中弯曲状态下的性能和可靠性，本标准规定了评价方法柔性薄膜晶体管flexiblethin-filmS亚阈值摆幅是衡量晶体管开启与关断状态之间相互转换速率的性能指标，由下面的公式中，cd和cox分别代表耗尽层电容和栅氧化电容。栅源电压，在此电压下漏极电流的大小达到一个GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-2IDSgm4测试方法为了研究柔性薄膜晶体管的可靠性，进行了如下的弯曲4.2弯曲前电特性测试GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-310V，使用亮度为300cd/m2的白光发光二极管进行光照，衬底温度保持在20℃和60℃;正偏压（PBS）试验在黑暗条件下，VGS为+20v，VDS为0.1V，衬底温度保持在20℃和60℃。在固定VDS在测试过程中，在室温下，在0.1v的固定漏极电压下，通过将栅极电压从-30V扫到30V，测量漏极μFE=·····················L——通道长度；W——为通道宽度。−1·······································GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-44.3弯曲下电特性测试为了表征机械应力对柔性薄膜晶体管的影响，将应变施加在薄膜晶体管上，通过改变曲率半径R使器件上下弯曲，如图3所示。弯曲方向平行或垂直于漏极到源极的电流路径。首先将薄膜晶体管弯曲到对薄膜晶体管的通电流、关电流和栅极泄漏电流进行在弯曲状态下，所有弯曲半径(R)采用式(3)转换为百分比应简单的机械疲劳测试是通过将柔性TFT反复弯曲(即在恒定R下)并压扁多达50000次来完成的。衬底温度保持在20℃和60℃。在不从弯曲装置中取出的情况下，周期性地测量薄膜晶体管VGS为20V，VDS为10V，衬底温度保持在20℃和60℃,进行NBS稳定性试验。采用亮度为300cd/m2的白光发光二极管，在照明条件下，VGS为-20V，VDS为10V，进行弯曲状态下的负偏置光照应力测试，衬底温度保持在20℃和60℃。在机械弯曲状态下，VGS为+20V，VDS为0.1V，在黑暗条件下，衬底温度保持4.4测试报告测试报告应包括以下内容:b)被测器件的材料层，包括栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极；GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC629515•栅极和漏极电压；•弯曲状态下时间；•

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