半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第3部分：柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价 征求意见稿

GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-1半导体器件柔性可拉伸半导体器件第3部分：柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，聚酰亚胺(PI)，合成橡胶和其他成分。通过使用该设备对柔性基材施下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日IEC62047-17半导体器件微机电器件第174.2试样的尺寸只要试件的尺寸大于试验开放面积的尺寸，都可以满足要求。由于电特性的变化与应变或应力有关，4.3尺寸测量方法保证薄膜晶体管的变形均匀，建议薄膜晶体GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-2轴上的应力和应变，基板材料应该是平面内电气和机械性能。如果在最后准备和测试之检查试样，以确保在储存期间表面没有变质仔细选择测量截面。测量机械应变的部分应与的胀形装置有几种类型。不需要首选某种类型的胀形试验方法。作为例子，附件a中描述了带有加热系统5.2测试仪器5.2.1原理验装置一般可由加压装置、压力腔、压力腔开窗5.2.2设备5.2.2.1施压装置箱体材料的选择应考虑测试的压力介质、测试压力范围、测量温度范围以及与电测量GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-3注：在电容测量的情况下，压力腔有一个电极和一个机械间隔器。电极由多氯联苯(PCB)制成，用于测量由于变形引的温度。当需要通过合理的加压装置进行较大的弹性或塑性变形时，可以使用加热装置，因为PET或PI等柔性基材的弹性模量在较高的温度下变得更压力腔开窗口形状可以是矩形、方形、圆形或椭圆形，如图1所示。对于方形或圆形试样，应力状态方形或圆形形状，因为在双轴应力下，不需架或框架夹具，不会因压力而变形。建议矩形、正方形和椭圆形压力腔开窗口的半宽为a，圆形腔型开窗GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-4施加压力下凸起的最大变形。柔性基板的最大对于薄膜晶体管的直流特性，使用电子器件测Ω)阻抗，测试系统的所有元件的输入阻抗应该至少比器件的最高阻抗大三个数量级。具有表征薄膜器件这种测试方法要求仪器根据已知或适当的一组标准(如国家标准技术研究所(NIST)的标准)进行校准。这些校准可以由设备用户执行，也可以由设备供应商提供服务。基本的仪器操作(例如，电压、电流和电阻)是根据NIST(或类似的国际公认标准组织)的物理标准进行校准的。根据仪器制造商的建议，或仪器被柔性基板上的接触垫之间进行线粘接。建议在焊线过程中形成欧姆接触，并在测试过程中保持焊线完好。GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC629515GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-65.3测试程序与分析5.3.1.1试件加载，应用压力和高度测量力。但是，为了避免胀室的压力泄漏，试验中需要采用适GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-75.3.1.2薄膜晶体管凸起状态下的电测量虽然IEC60747-8中描述的各种类型的场效应晶体管都可以在凸起状态下进行测试，但柔性基板上的薄膜晶体管可能最适合在凸起状态下进行测试。在IEC60747-8中描述的许多场效应晶体管特性，除了下测量薄膜晶体管凸起状态下的直流特性。测量项目可以从IEC60747-8和/或5.3.2(数据分析)中描述的项目中选择。建议选择Vth(ci)或Vth(ext)之——转移(Idsvs.Vgs)曲线，允许初步确定场效应迁移率μ和阈值电压Vth；——栅极泄漏(IgsvsVgs)曲线5.3.1.3重复性和报告样本量报告数据所演示的内容的描述(平均值、最5.3.1.4低噪音技术的应用通过一个低阻抗路径接地。为了使不同器件结构之间具有可比性，电压应参考相应的薄膜厚度(VGS)和通道长度(VDS)。要提供足够的信息，以便可以确定电场(V/m)，进行。如果暴露在环境光下会导致与在黑暗中获得的是高阻抗和极低的电流值，工作时人员、重型机械GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-8根据测量的I-V和压力-偏转数据(见图5和图6)，可以分析柔性基板上凸起下薄膜晶体管的下列电气a)vth(ci):恒流阈值电压对于线性区域(vds=0.05V到0.1V近似)或推荐运行条件的典型电源电压。vth(ci)是当Id等于0.1b)vth(ext):外推阈值电压压。vgs(gm(max))是gm变为最大值时的栅极电压，Id(gm(max))是当vgs等于vgs(gm(max)极电流；gm(max)为最大跨导。Id(lin)是当vds从0.05V到0.1V时测量到的漏极电流，vgs等于推荐工作条件gm为Id−vgs曲线的斜率。gm(max)是vgs等于vth(ext)时测量到的最大跨导。vds为线性区域或vds=0.05V至0.1V(推荐)。·············································在给定栅极氧化物电容(Cg)、栅极宽度(W)和栅极长度(L)的线性区域(vds约为0.05~0.1V)。对于饱和区域(vds≥vgs-vth)，给定栅极氧化物电容(Cg)，栅极宽亚阈值斜率是一种测量在器件内形成导电通道的效率的方法，可以通过以下方程······················································SS为Vgs−log10(Id)曲线的斜率。在薄膜晶体管的工作状态下，在漏源极电压固定的情况下，GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC629519图5测定(a)μ(lin)(b)μ(sat)和(c)ss时的典型直流特性图6显示了Ag-Pd/SiNx具有代表GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-a)对本国际标准的引用；GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951A.1吸收式机电试验设备，带加热系统A.2膨化型机电试验设备，卤素灯加热系统GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-压力，以防止被测设备超压。下面给出了一个失效压力的例子(见图B.1值EMPataMPaMPaℎ··················································································忽略残余应力σ0，应力由以下方程给出：··········································GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-根据表B.1给出的数值计算，屈服和破坏压力由表B.2给出的数值计算，