（高清版）GBT 41270.9-2022 航空电子过程管理 大气辐射影响 第9部分：航空电子设备单粒子效应故障率计算程序与方法

航空电子过程管理大气辐射影响第9部分：航空电子设备单粒子效应故障率计算程序与方法2022-03-09发布IGB/T41270.9—2022前言 12规范性引用文件 13术语和定义 14缩略语 15计算方法 25.1通用计算方法 25.2总故障率计算方法 25.3软故障率计算方法 25.4硬故障率计算方法 36计算程序 46.1计算流程图 46.2输入 56.3计算步骤 56.4输出 6附录A(资料性)计算案例 7附录B(资料性)敏感器件清单 附录C(资料性)大气中子辐射应力计算方法 附录D(资料性)单粒子效应截面数据典型值 参考文献 Ⅲ本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文件是GB/T41270《航空电子过程管理大气辐射影响》的第9部分。GB/T41270已经发布了以下部分：——第7部分：航空电子产品设计中单粒子效应分析过程管理；——第9部分：航空电子设备单粒子效应故障率计算程序与方法。本文件由全国航空电子过程管理标准化技术委员会(SAC/TC427)提出并归口。本文件起草单位：中国航空综合技术研究所、北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司、中国航空工业集团公司西安飞机设计研究所。0.1目标本文件是为了航空电子设备电子产品单粒子效应故障率的分析计算的需要而制定的。0.2技术概述大气层内工作的航空电子设备，其关键器件在遭受大气中子辐射下会产生多种单粒子效应，传递至航空电子设备，会产生单粒子效应软故障和/或硬故障，会影响飞机的安全性。考虑到只有设备级SEE故障率才参与系统级、飞机级的安全分析过程。因此，在飞机安全性评估过程中需要提供设备级的SEE故障率及其计算方法与程序，为航空电子设备安全性分析提供基础数据。GB/T34955—2017《大气辐射影响航空电子系统单粒子效应试验指南》和GB/T34956—2017《大气辐射影响航空电子设备单粒子效应防护设计指南》共同构成航空电子产品开展单粒子效应设计与分析的基础技术标准。GB/T41270规定了大气中子单粒子效应分析、试验、评价方法与程序，拟由两个部分构成。——第7部分：航空电子产品设计中单粒子效应分析过程管理。目的在于规定航空电子产品设计中电子元器件单粒子效应分析的方法和程序。 第9部分：航空电子设备单粒子效应故障率计算程序与方法。目的在于规定航空电子设备单粒子效应故障率通用、总故障率、软故障率、硬故障率计算方法与计算程序。0.3相关专利情况说明本文件的发布机构提请注意，声明符合本文件时，可能涉及单粒子效应故障率、大气中子辐射应力、器件敏感截面、降额因子相关的专利的使用。本文件的发布机构对于该专利的真实性、有效性和范围无任何立场。该专利持有人已向本文件的发布机构承诺，他愿意同任何申请人在合理且无歧视的条款和条件下，就专利授权许可进行谈判。该专利持有人的声明已在本文件的发布机构备案。表1中列出的专利权人持有本文件涉及的专利。表1持有本文件涉及专利的专利权人相关信息专利持有人地址北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司北京市海淀区紫竹院路69号中国兵器大厦708室请注意除上述专利外，本文件的某些内容仍可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的1航空电子过程管理大气辐射影响第9部分：航空电子设备单粒子效应故障率计算程序与方法本文件给出了航空电子设备单粒子效应故障率通用计算方法、总故障率计算方法、软故障率计算方法、硬故障率计算方法与计算程序。本文件适用于35km以下高空内工作的航空电子设备的研制、试验和维护。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T34955—2017GB/T34956—2017大气辐射影响大气辐射影响航空电子系统单粒子效应试验指南航空电子设备单粒子效应防护设计指南3术语和定义GB/T34956—2017界定的以及下列术语和定义适用于本文件。大气中子辐射应力atmosphericneutronradiationstress飞行任务过程中，航空电子设备遭受的大气辐射环境中子注量率。单粒子效应故障率singleeventeffectfaultrate加电工作状态下，单位时间内大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子效应故障次数。4缩略语下列缩略语适用于本文件。ADC:模拟数字转换器(analog-to-digitalconverter)AD/DA:模数/数模转换(analog-to-digital/digital-to-analogconvert)APS:高级成像系统(advancedphotosystem)CCD:电荷耦合元件(charge-coupleddevice)CMOS:互补金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor)CPU:中央处理器(centralprocessingunit)DAC:数字模拟转换器(digital-to-analogconverter)DRAM:动态随机存取存储器(dynamicalrandomaccessmemory)2DSP:信号处理器(digitalsignalprocessing)EEPROM:带电可擦可编程只读存储器(electricalerasableprogrammablereadonlymemory)FPGA:现场可编程逻辑门阵列(fieldprogrammablegatearray)IGBT:绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolartransistor)MBU:单粒子多位翻转(multiplebitupset)MCU:单粒子多单元翻转(multiplecellupset)MOSFET:金属氧化物半导体场效应管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor)SDRAM:同步动态随机存取存储器(synchronousdynamicalrandom-accessmemory)SEB:单粒子烧毁(singleeventburnout)SEE:单粒子效应(singleeventeffect)SEFI:单粒子功能中止(singleeventfunctionalinterrupt)SEGR:单粒子栅穿(singleeventgaterupture)SEL:单粒子锁定(singleeventlatch-up)SET:单粒子瞬态(singleeventtransient)SEU:单粒子翻转(singleeventupset)SRAM:静态随机存取存储器(staticrandom-accessmemory)5计算方法5.1通用计算方法设备级或功能板级单粒子效应故障率通用计算方法如公式(1)所示。λ=rsee×Ⅱ (1)λ——大气中子辐射导致的单粒子效应故障率，单位为次每小时(次/h);rsee——大气中子辐射导致的单粒子效应率，单位为次每小时(次/h);Ⅱ——降额因子，取值范围为[0,1]。借用降额因子来指代单粒子效应率转化为单粒子效应故障率的转化程度。单粒子效应率的通用计算方法如公式(2)所示。rsee=f×of——大气中子辐射应力，单位为每平方厘米小时[/(cm²·h)];σ——敏感器件单粒子效应截面，单位为平方厘米每比特(cm²/bit)或平方厘米每器件(cm²/dev)。5.2总故障率计算方法单粒子效应会导致设备单粒子效应软故障；SEL、SEB等单粒子效应会导致设备单粒子效应硬故障。航空电子设备单粒子效应总故障率计算方法如公式(3)所示。λoal——大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子效应总故障率，单位为次每小时(次/h);λot——大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子效应软故障率，单位为次每小时(次/h);λhard—-大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子效应硬故障率，单位为次每小时(次/h)。5.3软故障率计算方法航空电子设备单粒子效应软故障现象是指可自动恢复的故障或断电重启后可恢复的故障。3GB/T41270.9—2022航空电子设备单粒子效应软故障率的计算方法如公式(4)所示。λsot=λot-sEu+λt-ser+λof-SE+λf-sEl…………(4)λsof-seu——大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子翻转软故障率，单位为次每小时(次/h);λst-ser——大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子瞬态软故障率，单位为次每小时(次/h);λsof-sen——大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子功能中止软故障率，单位为次每小时(次/h);λsof-sEl——大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子锁定软故障率，单位为次每小时(次/h)。航空电子设备单粒子翻转软故障率的计算方法如公式(5)所示。i——第i个大气中子单粒子效应敏感器件，简称器件i;rseu;——器件i单粒子翻转率，单位为次每小时(次/h);Isgu;——器件i单粒子翻转减缓措施降额因子，取值范围为[0,1]。如果该器件采取了有效减缓措施，降额因子宜取值0,没有采取有效减缓措施，宜取值1;Id-;——器件i资源利用率，取值范围为[0,1],取值为应用所占用资源与全部存储资源的比率；Ieror——单粒子翻转在航空电子设备中传播并导致设备软故障的传递率，取值范围在[0,1]。软故障传递率可选推荐值1/52。航空电子设备单粒子瞬态软故障率的计算方法如公式(6)所示。rser-;——器件i单粒子瞬态率，单位为次每小时(次/h);Iser-;——器件i单粒子瞬态减缓措施降额因子，取值范围为[0,1]。如果采取了有效减缓措施，宜取值0,没有采取有效减缓措施，宜取值1。航空电子设备单粒子功能中止软故障率的计算方法如公式(7)所示。rseI-;——器件i单粒子功能中止率，单位为次每小时(次/h)。航空电子设备单粒子锁定软故障率的计算方法如公式(8)所示。式中：rsel-;——器件i单粒子锁定率，单位为次每小时(次/h);Ⅱset-;——器件i单粒子锁定限流防护措施降额因子，取值范围为[0,1]。如果该器件采取了限流防护措施，其降额因子宜取值1;如果未采取限流防护措施，其降额因子宜取值0。注：单粒子多位翻转(MBU)、单粒子多单元翻转(MCU)导致的设备单粒子效应软故障率可以按照相似性原理见公式(5)计算。5.4硬故障率计算方法航空电子设备单粒子效应硬故障率计算方法如公式(9)所示。式中：λhard-set——大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子锁定硬故障率，单位为次每小时(次/h);λhard-sEB——大气中子辐射导致的航空电子设备单粒子烧毁硬故障率，单位为次每小时(次/h)。航空电子设备单粒子锁定硬故障率计算方法如公式(10)所示。4航空电子设备单粒子烧毁硬故障率计算方法如公式(11)所示。rseg-;——器件i单粒子烧毁率，单位为次每小时(次/h);IsB-;—-器件i单粒子烧毁减缓措施降额因子，取值范围为[0,1]。针对高压器件，如果采取了降额使用电压措施，例如，当MOSFET的工作电压小于300V时，降额因子宜取值0,当其工作电压大于300V时，降额因子宜取值1。注：单粒子栅穿(SEGR)导致的设备单粒子效应硬故障率可以按照相似性原理见公式(11)计算。6计算程序6.1计算流程图航空电子设备单粒子效应故障率计算流程图如图1所示。附录A给出了导航接收机的单粒子效应故障率计算案例。●飞行航线(高度、纬度、经度);计算步骤确定敏感器件清单SEE敏感特性SEF.敏感器件清单(表B.2)确定中子辐射应力f典型值法平均值法坐标点法峰值法极端值法确定SEE截面σ数据来源一数据来源二数据来源三确定降额因子厂资源利用率防护减缓因子软收障传递率计算总故障率软故障率计算硬故障率计算总故障率计算输出航空电子设备单粒子效应故障率计算报告图1计算流程图5航空电子设备单粒子效应故障率计算需要的主要输入信息如下：a)航空电子设备半导体器件清单；b)飞机飞行的高度、纬度、经度或飞行航线，是否考虑太阳极端事件；c)指标要求。6.3计算步骤6.3.1确定敏感器件清单根据器件单粒子效应敏感特性，确定航空电子设备的单粒子效应敏感器件清单：a)根据器件单粒子效应敏感特性，见附录B的表B.1,确定单粒子效应敏感器件；b)参考航空电子设备单粒子效应敏感器件清单模板，见表B.2,填写敏感器件信息。6.3.2计算大气中子辐射应力根据飞行航线，以及是否考虑太阳极端事件的需求，按照大气中子辐射应力计算方法，计算大气中子辐射应力。附录C给出了5种大气中子辐射应力计算方法，可根据需求选择其中的一种方法：a)典型值法；b)平均值法；c)坐标点法；d)峰值法；e)极端值法。6.3.3确定单粒子效应截面根据器件类型、工艺类型或试验数据，确定敏感器件单粒子效应截面：a)数据来源一：在设计初期，可根据附录D中表D.1中的器件类型单粒子效应截面典型值，获取敏感器件单粒子效应截面数据；b)数据来源二：在详细设计阶段，可根据器件型号的工艺类别/工艺参数，参考GB/T34956—2017,获取相似器件工艺的单粒子效应截面数据；c)数据来源三：根据厂家提供的器件数据表，获取单粒子效应截面数据；或开展地面模拟单粒子效应试验，试验方法应符合GB/T34955—2017,获取器件截面试验数据。6.3.4确定降额因子根据设备的功能应用特征，确定下列降额因子：a)资源利用率；b)单粒子效应防护/减缓措施降额因子；c)单粒子效应软故障传递率。6.3.5计算单粒子效应总故障率根据第5章中航空电子设备单粒子效应故障率计算公式，计算航空电子设备的单粒子效应故障率如下：a)航空电子设备单粒子效应软故障率；b)航空电子设备单粒子效应硬故障率；6c)航空电子设备单粒子效应总故障率。输出航空电子设备的单粒子效应故障率计算报告，报告目录如下：2计算方法3计算程序4计算结果4.1航空电子设备基本信息4.2大气中子辐射应力4.3单粒子效应敏感器件清单4.4航空电子设备单粒子效应率4.5航空电子设备单粒子效应故障率7(资料性)A.1计算案例概述某机载卫星导航接收机(以下简称导航接收机),无冗余，其主要功能是接收导航卫星信号，经过下变频处理、数字基带处理、软件解算，实时给出导航接收机的位置和速度信息。本案例给出导航接收机在大气中子辐射影响下单粒子效应故障率的计算过程与计算结果。计算过程如下。A.2输入导航接收机单粒子效应故障率计算需要的主要输入信息如下。a)导航接收机器件清单。该设备使用的器件包括1个DSP、1个SRAM和2个SRAM型FPGA。b)飞行航线(高度、纬度、经度),是否考虑太阳极端事件。参照附录B.1典型值法，假设飞行航线为高度为12.2km,纬度为北纬45°。不考虑太阳极端事件。c)指标要求。指标要求见本文件规范性引用文件，并引用导航接收机的设计要求。A.3计算步骤A.3.1确定敏感器件清单依据输入，通过参考表B.1常见器件大气中子单粒子效应敏感特性，进行器件单粒子效应敏感性分析，获得该导航接收机设备使用的1个DSP、1个SRAM和2个SRAM型FPGA的敏感器件清单。参照表B.2单粒子效应敏感器件清单模板，填写导航接收机单粒子效应敏感器件清单信息，如表A.1所示。表A.1导航接收机单粒子效应敏感器件清单序号设备功能板器件类型器件型号生产商器件数量工艺类型/工艺参数nmSEFI总存储容量bit资源利用率截面cm²/bit减缓措施因子截面cm²/dev减缓措施因子截面cm²/dev防护措施因子截面cm²/dev截面cm²/dev降额使用因子1导航接收机板DSP 12SRAM—13FPGA 14FPGA—18根据飞行航线，以及是否考虑太阳极端事件，见附录B,计算大气中子辐射应力。计算方法包括典本案例不考虑太阳极端事件，采用C.1典型值法，即高度12.2km,北纬45°,能量10MeV以上的大气中子注量率典型值为6000/(cm²·h)。A.3.3确定SEE截面σ数据来源一：在设计初期，器件类型初步确定的前提下，可参考表D.1确定不同器件类型的单粒子效应截面数据典型值。在导航接收机单粒子效应敏感器件清单表B.1基础上，填写基于器件类型的单粒子效应截面数据典型值，如表A.2所示。表A.2导航接收机单粒子效应敏感器件清单(敏感器件截面：数据来源一)序号设备功能板器件类型器件型号生产商器件数量工艺类型/工艺参数nm总存储容量资源利用率截面减缓措施因子截面减缓措施因子截面防护措施因子截面截面降额使用因子1板1 — 4.10×10~ —— 21— 3板2 ——1—————41———————数据来源二：在研制阶段，已知具体器件型号的情况下，根据厂家提供的器件工艺类别和工艺参数，参考GB/T34956—2017,获取相似器件工艺的单粒子效应截面数据典型值。在导航接收机单粒子效应敏感器件清单表A.1基础上，填写基于器件工艺类别和工艺参数的单粒子效应截面数据典型值，如序号设备功能板器件类型器件型号生产商器件数量工艺工艺参数总存储容量资源利用率截面减缓措施因子截面减缓措施因子防护措施因子截面截面降额使用因子1导航接收机板—— —21—————31——4—— 一 一9数据来源三：根据厂家提供的器件数据表(datasheet)获取单粒子效应截面；或开展地面模拟单粒子效应试验，获得截面数据。功能板1的DSP和SRAM器件截面数据来自14MeV单能中子源的器件单粒子效应试验结果，功能板2和3的FPGA器件截面数据来自厂家数据表。在导航接收机单粒子效应敏感器件清单表A.1基础上，填写基于数据来源三的器件单粒子效应截面数据。填写结果如表A.4表A.4导航接收机单粒子效应敏感器件清单(敏感器件截面：数据来源三)序号设备功能板器件类型器件型号生产商器件数量工艺类型/工艺参数总存储容量资源利用率截面减缓措施因子截面减缓措施因子截面防护措施因子截面截面降额使用因子1导航接收机板DSP83886082.275×10~00212.523×10-——00—3FPGA1 00——4FPGA1 00—A.3.4确定降额因子Ⅱ根据设备的功能应用特征，确定每个敏感器件的资源利用率、单粒子效应减缓/单粒子效应软故障传递率等降额因子。以数据来源三为例，考虑了资源利用率、未采取单粒子翻转减缓措施，SEU减缓措施因子宜取值1,填写结果如表A.5所示。表A.5导航接收机单粒子效应敏感器件清单(降额因子)序号设备功能板器件类型器件型号生产商器件数量工艺类型/工艺参数总存储容量资源利用率截面减缓措施因子截面减缓措施因子截面防护措施因子截面截面降额使用因子1导航接收机板DSP183886081—00—212.523×10-1——0—0—3FPGA1.000×10-11—0—0 4FPGA1100根据第5章给出的计算方法，采用软故障传递率推荐值1/52,分别计算导航接收机单粒子故障率。导航接收机单粒子效应软故障率、硬故障率与总故障率，计算结果如表A.6所示。表A.6导航接收机单粒子故障率计算结果序号器件类型器件单粒子效应截面器件单粒子效应率设备单粒子效应故障率GsEucm²/bitGsEFIcm²/devGsELcm²/devrsEU(次/h)rsEFI(次/h)rsEL(次/h)软故障率硬故障率总故障率(次/h)(次/h)(次/h)(次/h)1DSP2.275×10-t001.145×10-3002.202×10-5002.202×10-52SRAM2.523×10-14002.857×10-3001.374×10-5001.374×10-3FPGA1.000×10-14002.035×10-3002.739×10-5002.739×10-54FPGA1.000×10-14002.035×10-3002.739×10-5002.739×10-5合计8.071×10-3009.053×10-009.053×10-5A.4输出输出导航接收机单粒子效应故障率计算结果报告。其中，导航接收机单粒子效应故障率计算结果如下。a)单粒子效应总故障率导航接收机单粒子效应总故障率为9.053×10-⁵次/h。b)单粒子效应软故障率导航接收机单粒子效应软故障率为9.053×10-5次/h。c)单粒子效应硬故障率导航接收机单粒子效应硬故障率为0次/h。A.5试验验证A.5.1试验结果本案例开展了导航接收机设备14MeV单能中子源地面模拟验证试验，试验累计注量为1.011×10°/cm²,监测到了死机、无定位和定位超差等软故障共28次。大气中子辐射应力取典型值6000/(cm²·h),得到导航接收机的单粒子效应软故障率为1.661×10-'次/h,硬故障率为0次/h。A.5.2计算结果与试验结果的误差对比分析通过对比导航接收机单粒子效应故障率计算结果(A.4)与14MeV单能中子源地面模拟试验结果(A.5.1),验证了计算结果与试验结果的对比误差在50%范围以内。导航接收机单粒子效应故障率误差对比分析如表A.7所示。表A.7导航接收机单粒子效应故障率误差对比分析故障率故障率计算值故障率试验值相对误差软故障率/(次/h)硬故障率/(次/h)000总故障率/(次/h)(资料性)敏感器件清单B.1常见器件大气中子单粒子效应敏感特性表B.1给出了常见器件的大气中子单粒子效应敏感特性。表B.1常见器件大气中子单粒子效应敏感特性常见器件分类敏感特性器件类型工艺器件类别功能MBU/MCU集成电路BiCMOS数字— √√— —√√√——√ √—FlashMemory√————√—微处理器/微控制器√——√—√—混合ADC—√ √√信号—√—√√线性——√——— —√双极数字—— —√———√线性————√——√光电器件光耦—— —————√———— —√APS(CMOS)√——— √√高压器件(通常工作电压大于N—通道功率MOSFET—√√— ——P—通道MOSFET—√—— — 一 —√ ——双极功率晶体管——√—————二极管————√———— 一——SOI工艺除外。B.2航空电子设备单粒子效应敏感器件清单模板表B.2航空电子设备单粒子效应敏感器件清单模板序号设备功能板器件类型器件型号生产商器件数量工艺类型/工艺参数nmSEFI总存储容量bit资源利用率截面或减缓措施因子截面cm²/dev减缓措施因子截面cm²/dev防护措施因子截面cm²/dev截面cm²/dev降额使用因子 — —— ———— 一 一 GB/T41270.9—2022(资料性)大气中子辐射应力计算方法C.1典型值法高度12.2km,北纬45°,能量10MeV以上的大气中子注量率典型值为6000/(cm²·h)。C.2平均值法计算飞行任务期间大气中子累积注量如公式(C.1)所示。……(C.1)式中：Fluencetlt2tflux(x(t),y(t),x(t))--ty之——飞行任务累积大气中子注量，单位为每平方厘米(/cm²);——任务开始时刻；——任务结束时刻；——任务期间的某时刻；时刻，经度x、纬度y,高度=坐标点的大气中子注量率，单位为每平方厘米小时[/(cm²·h)];——高度，单位为米(m)。平均注量率等于累积注量除以任务持续时间，如公式(C.2)所示。式中：……………(C.2f——大气中子辐射平均注量率，单位为每平方厘米小时[/(cm²·h)]。C.3坐标点法飞行航线中某坐标点经度x、纬度y、高度x处的大气中子辐射注量率，可参照Boeing模型、NASA模型(见GB/T34956—2017)及修正模型进行计算。修正模型如公式(C.3)所示。f=f₀×Ae×Axy×A₂…………(C.3)式中：f——坐标点处的大气中子辐射注量率，单位为每平方厘米小时[/(cm²·h)];f₀——高度12.2km,北纬45°,能量10MeV以上大气中子辐射注量率的典型值6000/(cm²·h);Ag——高度12.2km,北纬45°时，器件阈值能量以上大气中子注量率与10MeV以上大气中子注量率的比值，Ag系数见表C.1;Axy——高度12.2km,不同截止刚度下大气中子注量率与典型值的比值。可根据坐标点的经纬度查表C.2、表C.3确定截止刚度，再根据截止刚度查表C.4获取Axy系数；A₂——北纬45°,不同高度的大气中子注量率与典型值的比值，Az系数见表C.5。C.4峰值法选取任务期间大气中子注量率的峰值。C.5极端值法太阳极端事件期间，大气中子注量率会剧烈增加。例如：1956年2月的太阳耀斑，在12km,截止刚度为0GV的地区，其SEE率会增加263倍；在12km处，在最劣太阳耀斑时期，高纬度地区会发生极高的SEE率，SEE率会增加300倍。表C.1给出了Ag系数取值与器件工艺参数及器件阈值能量之间的关系。序号器件工艺参数/nm能量阈值/MeV1213243556纬度/东经/(°)0纬度/东经/(°)050东经/(°)纬度/东经/(°)50表C.4给出了不同地磁截止刚度的大气中子注量率与典型值的比值Axy。表C.4地磁截止刚度与Axy系数对应表截止刚度Axy截止刚度Axy截止刚度Axy截止刚度Axy表C.5给出了不同海拔高度对应的Az系数。序号Az系数1234567890(资料性)单粒子效应截面数据典型值根据GB/T型值。34956—2017数据分析结果，表D.1给出了基于器件类型的单粒子效应截面数据典表D.1基于器件类型的单粒子效应截面数据典型值器件类型SEFI/(cm²/dev)SET/(cm²/dev)SEL"/(cm²/dev)SEB/(cm²/dev)5.8×10-104.1E-14cm²/bitDSPe4.1E-8cm²/dev8.4×10-10————8.4×10-1———2.1E-14cm²/bitDRAM2.2E-11——反熔丝FPGA——————MLCNANDFlash———— 一Flash型FPGA——NORFlashSLCNANDFlash光耦——————运放线性器件———— 一 AD/DA ——脉宽调制器MOSFET、IGBT0(<300V)'4.8E-7(>300V)SOI工艺器件SEL免疫。b工作电压小于300V时不考虑SEB效应。SEU效应截面宜使用表中的每bit截面数据；在未知器件存储容量时，可使用每器件的SEU效应截面。高压器件截面试验数据来自GB/T34956—2017中图G.8。[1]IEC62396-1Processmanagementforavionics—Atmosphericradiationeffects—Part1:Accommodationofatmosphericradiationeffectsviasingleeventeffectswithinavionicselectronicequipment[2]IEC62396-2Processmanagementforavionics—Atmosphericradiationeffects—Part2:Guidelinesforsingleeventeffectstestingforavionicssystems[3]IEC62396-3Processmanagementforavionics—Atmosphericradiationeffects—Part3:Systemdesignoptimizationtoaccommodatethesingleeventeffects(SEE)ofatmosphericradiation[4]IEC62396-4Processmanagementforavionics—Atmosphericradiationeffects—Part4:Designofhighvoltageaircraftelectronicsmanagingpotentialsingleeventeffects[5]IEC62396-5Processmanagementforavionics—AtmospheAssessmentofthermalneutronfluxesandsingleeventeffectsinavionicssystems[6]IEC62396-6Processmanagementforavionics—Atmosphericradiationeffects—Part6:Extremespaceweatherandpotentialimpactontheavionicselectronics[7]IEC62396-7Processmanagementforavionics—Atmosphericradiationeffects—Part7:ManagementofSEEanalysisprocessinavionicsdesign[8]IEC62396-8Processmanagement