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双极型晶体管

晶体管的结构和类型双极型晶体管(1)NPN型符号：(2)PNP型C集电极B基极E发射极集电区NP基区发射区N集电结发射结EBCEBC符号：C集电极B基极E发射极集电区PN基区发射区P集电结发射结IEIEIBIB稳压管正常工作时加反向电压使用时要加限流电阻稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中实现稳压作用。

(2)伏安特性(1)符号_+反向特性曲线很陡正向特性与普通二极管相同IUZ

IZIZIZMU

UZ

正负对称限幅电路:已知ui=5sinωt(V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uo波形，并标出幅值。例：双极型晶体管晶体管的结构和类型很薄且掺杂浓度最低掺杂浓度最高结构特点：掺杂浓度次之这些结构特点是它具有电流放大作用的内在条件。C集电极B基极E发射极集电区NP基区发射区N集电结发射结晶体管的放大原理双极型晶体管发射结偏置集电结偏置工作状态应用正偏反偏放大放大电路正偏饱和开关电路反偏反偏截止开关电路表1-1晶体管工作状态及其外部条件晶体管的放大原理双极型晶体管发射结正偏、集电结反偏b)对

PNP型三极管

发射结正偏

VB<VE

集电结反偏

VC<VB从电位的角度看：

a)对NPN型三极管

发射结正偏

VB>VE

集电结反偏

VC>VB

即

VC>VB>VE

集电极电位最高

即

VE>VB>VC发射极电位最高

BECNNPEBRBECRCIEICIBBECPPNEBRBECRCIEICIB共发射极放大电路UBE=0.3V,0.7VUBE=-0.3V,-0.7V(1)放大工作条件晶体管的放大原理双极型晶体管(2)电流放大作用输入回路输出回路发射极是输入回路、输出回路的公共端共发射极放大电路晶体管的放大原理双极型晶体管(2)电流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.100.010.701.502.303.103.950.010.721.542.363.184.051）三电极电流关系IE=IB+IC2）IC

IB

，

IC

=βIB

3）IC

IB，

IC

=β

IB基极电流的微小变化

IB能够引起较大的集电极电流变化

IC,这就是三极管的电流放大作用。晶体管的伏安特性极型晶体管(1)输入特性特点:非线性正常工作时发射结电压：NPN型硅管，UBE≈0.7VPNP型锗管，UBE≈0.3VIB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1VO晶体管的伏安特性双极型晶体管(2)输出特性IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)912O输出特性曲线通常分三个工作区：晶体管的伏安特性双极型晶体管(2)输出特性IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)9120放大区在放大区有IC=IB

，称为线性区，具有恒流特性。发射结正偏、集电结反偏，晶体管工作于放大状态。

截止区IB=0以下区域，有IC0

。发射结、集电结均反偏，晶体管工作在截止状态。

饱和区

当UCE

UBE时，晶体管工作在饱和状态。

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