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文档简介
热电子发射理论
计算超越势垒的载流子数目（电流）就是热电子发射理论。热电子发射理论N型阻挡层很薄时:•电子的平均自由程远大于势垒宽度，扩散理论不再适用.•电子在势垒区的碰撞可忽略，势垒高度起作用以n型阻挡层为例，且假定势垒高度势垒宽度V与(Vs)0同号时，势垒高度提高，势垒宽度增大厚度依赖于外加电压的势垒，叫肖特基势垒。
电子从金属到半导体所面临的势垒高度不随外加电压变化。从金属到半导体的电子流所形成的电流密度Jm
s是个常量，它应与热平衡条件下，即V=0时的Js
m大小相等，方向相反。因此，考虑漂移和扩散，流过势垒的电流密度V>0时，若qV>>kT,则V<0时，若
qV
>>kT,则JsD
随电压变化，不饱和金属半导体接触伏安特性VI扩散理论适用于迁移率小的半导体有效理查逊常数热电子向真空发射的有效理查逊常数由上式得到总电流密度为：Ge,Si,GaAs的迁移率高，自由程大，它们的肖特基势垒中的电流输运机构，主要是多子的热电子发射。热电子发射理论得到的伏－安特性与扩散理论的一致。3.镜象力和隧道效应的影响锗检波器的反向特性若电子距金属表面的距离为x，则它与感应正电荷之间的吸引力，相当于该电子与位于(–x)处的等量正电荷之间的吸引力，这个正电荷称为镜象电荷。在金属–真空系统中，一个在金属外面的电子，要在金属表面感应出正电荷，同时电子要受到正电荷的吸引。（1）镜象力的影响+-镜象电荷电子–x´nx镜象电荷这个吸引力称为镜象力，它应为把电子从x点移到无穷远处，电场力所做的功半导体和金属接
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