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文档简介

功率MOS晶体管

功率MOS晶体管2环形晶体管：(A)方形；(B)圆形环形结构可以降低漏区电容与沟道宽度之比，提高开关速度环形晶体管3背栅接触与保护环结合用于防止闩锁效应NMOS背栅须低于或等于源极电位；PMOS背栅须高于或等于源极电位(A)邻接的背栅接触孔：源极和背栅在同一电位(B)分离的背栅接触孔：源极和背栅在不同电位背栅接触4(A)叉指状背栅接触孔(B)分布式背栅接触孔背栅接触5扩展电压晶体管6

(A)轻掺杂漏区(LDD)晶体管(B)双扩散漏区(DDD)晶体管LDD和DDD晶体管7(A)非对称扩展漏区结构；(B)对称扩展漏区结构扩展漏区NMOS晶体管8(A)非对称扩展漏区结构；(B)对称扩展漏区结构扩展漏区PMOS晶体管9(A-B-C)分阶段氧化技术；(D-E-F)刻蚀再生长技术多栅氧化层10(A)薄氧化层晶体管；(B)厚氧化层晶体管多栅氧化层版图11

MOS安全工作区12矩形功率晶体管金属连线版图

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