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非平衡载流子的寿命

非平衡载流子的寿命非平衡载流子的复合非平衡载流子的复合率:单位时间单位体积净复合消失的电子-空穴对数

设单位时间内非平衡载流子的复合几率为1/.若t时刻的非平衡载流子浓度为p(t),则非平衡载流子的复合率为:非平衡载流子的检验设半导体电阻为r,且则通过回路的电流I近似不随半导体的电阻r的改变而变化.

当加入非平衡作用时,由于半导体的电阻发生改变,半导体两端的电压也发生改变,由于电压的改变,可以确定载流子浓度的变化.非平衡载流子5.1非平衡载流子的注入与复合

5.2非平衡载流子的寿命

5.3准费米能级

5.4复合理论

5.5陷阱效应

5.6载流子的扩散运动

5.7载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式

5.8连续性方程式1/n

和1/

p

分别表示非平衡电子和非平衡空穴的复合几率.

对n型半导体,设t时刻单位体积内的非平衡载流子浓度为

p(t);t=0时撤销注入条件,则有:复合率=p/

可以证明,在小注入条件下,

为一个不依赖于非平衡载流子浓度的常数,因此解上述方程得到:同理对P型有寿命的意义当时，，故寿命标志着非平衡载流子浓度减小到原值的1/e所经历的时间；寿命越短，衰减越快因此，个过剩载流子的平均可生存时间为：

也是非平衡载流子的平均生存时间,即非平衡载流子的平均寿命.衰减过程中从t到t＋dt内复合掉的过剩空穴不同材料的寿命差异较大.锗比硅容易获得较高的寿命,而砷化镓的寿命要短得多.较完整的锗单晶:较完整的硅单晶:砷化镓单晶:例:N型硅,室温下光稳定照射后获得非平衡载流子浓度:突然撤掉光照,经过20微秒,解:非平衡态和平衡态稳定的非平衡态产生率等于复合率,△n

不变非

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