模拟电子技术单选考试模拟题（含答案）

模拟电子技术单选考试模拟题（含答案）一、单选题（共100题，每题1分，共100分）1、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。()A、错误B、正确;正确答案：B2、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。（）A、对:B、错正确答案：A3、正弦电流经过二极管整流后的波形为()。A、仍为正弦波。B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案：D4、三极管超过()所示极限参数时,必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案：C5、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:()A、ic=βibB、ie=βibC、ie=βic正确答案：A6、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。（）A、错B、对:正确答案：A7、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。()A、正确;B、错误正确答案：B8、N型半导体中的多数载流子是（）A、空穴B、负离子C、自由电子D、正离子正确答案：C9、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、光电耦合B、阻容耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案：C10、如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是()信号。A、共模B、模拟C、差模正确答案：A11、理想集成运放的输出电阻为（）。A、不定。B、∞；C、0；正确答案：C12、PN结两端加正向偏置电压时，其正向电流是由（）而成。A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案：D13、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为（）A、交越失真B、截止失真C、频率失真D、饱和失真正确答案：C14、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。正确答案：A15、P型半导体中的多数载流子是()A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子正确答案：A16、集成运放不但能处理交流信号，也能处理直流信号。（）A、对:B、错正确答案：A17、低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共射放大电路B、共集放大电路C、共漏放大电路D、共基放大电路正确答案：A18、若使晶体三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A、发射结正偏、集电结正偏;B、发射结正偏、集电结反偏;C、发射结反偏、集电结正偏。D、发射结反偏、集电结反偏;正确答案：B19、集成运放使用时不接负反馈，电路中的电压增益称为开环电压增益。（）A、对:B、错正确答案：B20、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是A、ie=(1+β)*ibB、ic=β*ieC、ie=(1+β)*ic正确答案：A21、集成运放电路采用直接耦合方式是因为()A、集成工艺难于制造大容量电容B、可获得很大的放大倍数C、可最大限度的减小零点漂移D、可防止交越失真的产生正确答案：A22、NPN型三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于()。A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结正偏C、发射结反偏、集电结反偏D、发射结正偏、集电结反偏正确答案：D23、N沟道场效应管的电流ID是由沟道中的()在漏源极之间电场作用下形成的。A、自由电子;B、空穴;C、电子和空穴;D、负离子正确答案：A24、微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。（）A、错B、对:正确答案：A25、放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。（）A、错B、对:正确答案：A26、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（）A、带负载能力强；B、减轻前级或信号源负荷。C、带负载能力差；正确答案：A27、具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是()A、射极输出器B、共集电放大电路C、共射放大电路D、共基放大电路正确答案：C28、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。A、放大区B、饱和区C、截止区D、反向击穿区正确答案：A29、双极型三极管的输出特性曲线上可分为（）A、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区B、放大区、饱和区和截止区三个分区C、恒流区、放大区和截止区三个分区D、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区正确答案：B30、双极型三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。A、错误B、正确;正确答案：A31、差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。（）A、对:B、错正确答案：A32、“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。A、正确;B、错误正确答案：B33、晶体三极管的B极是它的()。A、基极B、集电极C、发射极D、栅极正确答案：A34、N沟道场效应管的电流ID是由沟道中的（）在漏源极之间电场作用下形成的。A、电子；B、电子和空穴。C、空穴；正确答案：A35、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是()。A、不失真问题B、放大电路的电压增益C、管子的工作效率正确答案：A36、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D37、PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（）A、对:B、错正确答案：A38、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形底部出现失真为()失真。A、截止B、交越C、饱和D、频率正确答案：C39、基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近()。A、饱和区B、死区C、截止区正确答案：A40、射极输出器的特点是（）A、既有电流放大也有电压放大，输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻小、输入电阻大C、只有电压放大而没有电流放大，输出电阻小、输入电阻大D、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻大、输入电阻小正确答案：B41、基本放大电路通常都存在零点漂移现象。()A、错误B、正确;正确答案：B42、若本征半导体掺入三价杂质元素，会生成N型半导体，其多子是自由电子载流子。（）A、错B、对:正确答案：A43、稳压二极管的正常工作状态是()。A、反向击穿状态;B、任意状态。C、截止状态;D、导通状态;正确答案：A44、N型半导体中的少数载流子是()A、正离子B、空穴C、负离子D、自由电子正确答案：B45、当反馈深度|1+AF|=0时,放大电路()A、出现深度负反馈B、出现正反馈C、出现负反馈D、出现自激振荡正确答案：D46、晶体三极管的输出特性曲线上可分为（）A、放大区、饱和区和截止区三个分区B、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区C、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区D、恒流区、放大区和截止区三个分区正确答案：A47、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。A、多子漂移。B、少子漂移；C、多子扩散；D、少子扩散；正确答案：C48、二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。A、错误B、正确;正确答案：A49、PNP型三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于（）。A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结正偏、集电结正偏正确答案：A50、PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。A、多子扩散;B、少子漂移;C、多子漂移。D、少子扩散;正确答案：A51、晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。（）A、对:B、错正确答案：B52、分压式偏置的共射放大电路,若VB点电位偏高,电路易出现()。A、截止失真B、饱和失真C、交越失真D、不会失真正确答案：B53、微变等效电路不能进行静态分析,也不能用于功放电路分析。()A、正确;B、错误正确答案：A54、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。()A、错误B、正确;正确答案：A55、稳压二极管的正常工作状态是()。A、反向击穿状态B、任意状态C、截止状态D、导通状态正确答案：A56、P型半导体中的多数载流子是（）A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子正确答案：A57、绝缘栅型场效应管的输入电流()。A、为零B、较大C、无法判断D、较小正确答案：A58、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。（）A、错B、对:正确答案：B59、基本放大电路中的主要放大对象是()。A、交流信号B、交直流信号均有C、直流信号正确答案：A60、场效应管的极是它的()。A、栅极B、发射极C、源极D、漏极正确答案：A61、本征半导体中掺入五价杂质元素，会生成P型半导体，其多子是空穴载流子。A、错误B、正确;正确答案：A62、共集放大电路的特点是()A、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大C、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小D、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大正确答案：B63、NPN型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。（）A、对:B、错正确答案：B64、绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A、较大；B、为零；C、较小；D、无法判断。正确答案：B65、集成运放一般分为两个工作区,它们分别是()。A、正反馈与负反馈;B、虚断和虚短。C、线性与非线性;正确答案：C66、分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。正确答案：B67、若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏。D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：B68、射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。（）A、错B、对:正确答案：B69、PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案：D70、集成运放的非线性应用存在（）现象。A、虚地；B、虚断和虚短。C、虚断；正确答案：C71、P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。A、三价B、六价C、五价D、四价正确答案：A72、虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。（）A、错B、对:正确答案：B73、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形底部出现失真为（）失真。A、交越B、频率C、截止D、饱和正确答案：D74、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（）。A、放大电路的电压增益；B、不失真问题；C、管子的工作效率。正确答案：B75、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（）。A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。正确答案：B76、场效应管正常工作时,电路中的电流是由()构成的。A、少子B、空穴载流子C、自由电子载流子D、多子正确答案：D77、晶体三极管超过()所示极限参数时,必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM;B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;C、集电极最大允许耗散功率PCM;D、管子的电流放大倍数。正确答案：C78、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。A、五价；B、四价；C、三价；D、六价。正确答案：C79、场效应管正常工作时，电路中的电流是由（）构成的。A、自由电子载流子B、少子C、空穴载流子D、多子正确答案：D80、NPN型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。A、错误B、正确;正确答案：A81、N型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。A、三价B、四价C、五价D、六价正确答案：C82、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（）。A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。正确答案：A83、共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。（）A、对:B、错正确答案：B84、射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。（）A、对:B、错正确答案：B85、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。（）A、对:B、错正确答案：B86、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是()。A、放大电路的电压增益;B、管子的工作效率。C、不失真问题;正确答案：C87、分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。A、饱和失真B、截止失真C、晶体管被烧损正确答案：A88、集成运放工作在线性应用电路时的分析依据是（）两个重要概念。A、虚短和虚地B、虚断和虚地C、线性和非线性D、虚短和虚断正确答案：D89、单极型半导体器件是（）。A、二极管；B、场效应管；C、稳压管。D、双极型三极管；正确答案：B90、测得NPN三极管各电极对地电压分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，则该管必工作在（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、反向击穿