第1章 半导体器件

第一章

半导体器件1.1半导体的特性1.2半导体二极管1.3双极型三极管(BJT)1.4场效应三极管1.1半导体的特性

1.导体：电阻率

<10-4

·

cm的物质。如铜、银、铝等金属材料。

2.绝缘体：电阻率

>109

·

cm物质。如橡胶、塑料等。

3.半导体：导电性能介于导体和半导体之间的物质。大多数半导体器件所用的主要材料是硅(Si)和锗(Ge)。半导体导电性能是由其原子结构决定的。硅原子结构图1.1.1硅原子结构(a)硅的原子结构图最外层电子称价电子价电子锗原子也是4价元素

4价元素的原子常常用+4电荷的正离子和周围4个价电子表示。+4(b)简化模型1.1.1

本征半导体

+4+4+4+4+4+4+4+4+4

完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体。将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。价电子共价键图1.1.2单晶体中的共价键结构当温度T=0

K时，半导体不导电，如同绝缘体。+4+4+4+4+4+4+4+4+4图1.1.3本征半导体中的自由电子和空穴自由电子空穴若T

，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。T

自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。空穴可看成带正电的载流子。1.半导体中两种载流子带负电的自由电子带正电的空穴

2.本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为电子-空穴对。

3.本征半导体中自由电子和空穴的浓度用ni

和pi表示，显然ni

=pi

。

4.由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就一定了。

5.载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升高，基本按指数规律增加。1.1.2杂质半导体杂质半导体有两种N型半导体P型半导体一、N型半导体在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成N型半导体(或称电子型半导体)。常用的5价杂质元素有磷、锑、砷等。+4+4+4+4+4+4+4+4+4+5自由电子施主原子图1.1.4

N型半导体的晶体结构每掺入一个5价原子，该原子就提供了一个自由电子，称该原子为施主原子。本征半导体掺入5价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有5个价电子，其中4个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。自由电子浓度远大于空穴的浓度，即n>>p。电子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简称少子)。多子的浓度与施主原子浓度相同问？N型半导体有几种载流子？两种，电子和空穴，但N型中n>>p

二、P型半导体+4+4+4+4+4+4+4+4+4在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成P型半导体。+3空穴浓度多于电子浓度，即p>>n。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。3价杂质原子称为受主原子。受主原子空穴图1.1.5

P型半导体的晶体结构说明：

1.掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。（少数载流子是本征激发）3.杂质半导体总体上保持电中性。

4.杂质半导体的表示方法如下图所示。

2.杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。(a)N型半导体(b)P型半导体图1.1.6杂质半导体的的简化表示法掌握本征半导体有两种载流子：电子和空穴。温度的高低决定载流子的浓度。杂质半导体分N型和P型，都有两种载流子，掺杂浓度决定多子浓度。

N型：掺入的是5价元素（磷），多子是电子。

P型掺入的是3价元素（硼），多子是空穴。少子的浓度有温度决定，多子的浓度有掺杂浓度决定。1.2半导体二极管1.2.1

PN结及其单向导电性在一块半导体单晶上一侧掺杂成为P型半导体，另一侧掺杂成为N型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为PN结。PNPN结图1.2.1

PN结的形成一、PN结中载流子的运动耗尽层空间电荷区PN1.扩散运动

2.扩散运动形成空间电荷区电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动。——PN结，耗尽层。图1.2.1PN3.空间电荷区产生内电场PN空间电荷区内电场UD空间电荷区正负离子之间电位差UD

——电位壁垒；——

内电场；内电场阻止多子的扩散——

阻挡层。

4.漂移运动内电场有利于少子运动—漂移。少子的运动与多子运动方向相反阻挡层图1.2.1(b)5.扩散与漂移的动态平衡扩散运动使空间电荷区增宽，扩散电流逐渐减小，漂移电流增大，漂移运动使空间电荷区逐渐变窄。空间电荷区的宽度约为几微米~几十微米；当扩散电流与漂移电流相等时，PN结总的电流等于零，空间电荷区的宽度达到稳定。即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。电压壁垒UD，硅材料约为(0.6~0.8)V,锗材料约为(0.2~0.3)V。二、PN结的单向导电性1.PN外加正向电压又称正向偏置，简称正偏。外电场方向内电场方向空间电荷区VRI空间电荷区变窄，有利于扩散运动，电路中有较大的正向电流。图1.2.2PN在PN结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻R。2.PN结外加反向电压(反偏)反向接法时，外电场与内电场的方向一致，增强了内电场的作用；外电场使空间电荷区变宽；不利于扩散运动，有利于漂移运动，漂移电流大于扩散电流，电路中产生反向电流I

；由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。空间电荷区图1.2.3反向偏置的PN结反向电流又称反向饱和电流（少子的运动）。对温度十分敏感，随着温度升高，IS将急剧增大。PN外电场方向内电场方向VRIS综上所述：当PN结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流，PN结处于导通状态；当PN结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零，PN结处于截止状态。可见，PN结具有单向导电性。1.2.2

二极管的伏安特性将PN结封装在塑料、玻璃或金属外壳里，再从P区和N区分别焊出两根引线作正、负极。二极管的结构：(a)外形图半导体二极管又称晶体二极管。(b)符号图1.2.4二极管的外形和符号半导体二极管的类型：按PN结结构分：有点接触型和面接触型二极管。点接触型管子中不允许通过较大的电流，因结电容小，可在高频下工作。用在小功率场合。面接触型二极管

PN结面积大，允许流过的电流大，但只能在较低频率下工作。用在大功率场合，整流电路按用途划分：有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、变容二极管等。按半导体材料分：有硅二极管、锗二极管等。二极管的伏安特性在二极管的两端加上电压，测量流过管子的电流，I=f

(U

)之间的关系曲线。604020–0.002–0.00400.51.0–25–50I/mAU/V正向特性硅管的伏安特性死区电压击穿电压U(BR)反向特性–50I/mAU

/V0.20.4–2551015–0.01–0.02锗管的伏安特性0图1.2.4二极管的伏安特性1.正向特性当正向电压比较小时，正向电流很小，几乎为零。相应的电压叫死区电压。范围称死区。死区电压与材料和温度有关，硅管约0.5V左右，锗管约0.1V左右。正向特性死区电压60402000.40.8I/mAU/V当正向电压超过死区电压后，随着电压的升高，正向电流迅速增大。2.反向特性–0.02–0.040–25–50I/mAU/V反向特性当电压超过零点几伏后，反向电流不随电压增加而增大，即饱和；二极管加反向电压，反向电流很小；如果反向电压继续升高，大到一定数值时，反向电流会突然增大；反向饱和电流这种现象称击穿，对应电压叫反向击穿电压。击穿并不意味管子损坏，若控制击穿电流，电压降低后，还可恢复正常。击穿电压U(BR)3.伏安特性表达式(二极管方程)IS：反向饱和电流UT：温度的电压当量在常温(300K)下，

UT

26mV＝0.026V二极管加反向电压，即U<0，且|U|

>>UT，则I

-IS。二极管加正向电压，即U>0，且U>>UT

，则，可得，说明电流I与电压U

基本上成指数关系。结论：二极管具有单向导电性。加正向电压时导通，呈现很小的正向电阻，如同开关闭合；加反向电压时截止，呈现很大的反向电阻，如同开关断开。从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管的电压与电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。1.2.3二极管的主要参数1.最大整流电流IF二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。2.最高反向工作电压UR工作时允许加在二极管两端的反向电压值。通常将击穿电压UBR的一半定义为UR。3.反向电流IR通常希望IR

值愈小愈好。4.最高工作频率fM

fM

值主要决定于PN结结电容的大小。结电容愈大，二极管允许的最高工作频率愈低。5.正向压降UF：

在规定的正向电流（中等电流）下，二极管的压降基本恒定。硅管约为0.6-0.8V。锗管：0.2-0.3V6.动态电阻rD

：反映二极管正向特性曲线斜率的倒数。等于电压的变化除以电流的变化。*1.2.4二极管的电容效应当二极管上的电压发生变化时，PN结中储存的电荷量将随之发生变化，使二极管具有电容效应。电容效应包括两部分势垒电容扩散电容1.势垒电容是由PN结的空间电荷区变化形成的。(a)PN结加正向电压（b)PN结加反向电压-N空间电荷区PVRI+UN空间电荷区PRI+-UV空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。势垒电容的大小可用下式表示：由于PN结宽度l随外加电压U而变化，因此势垒电容Cb不是一个常数。其Cb=f(U)

曲线如图示。

：半导体材料的介电比系数；S：结面积；l：耗尽层宽度。OUCb图1.2.82.扩散电容Cd

Q是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。在某个正向电压下，P区中的电子浓度np(或N区的空穴浓度pn)分布曲线如图中曲线1所示。x=0处为P与N区的交界处当电压加大，np

(或pn)会升高，如曲线2所示(反之浓度会降低)。OxnPQ12

Q当加反向电压时，扩散运动被削弱，扩散电容的作用可忽略。

Q正向电压时，变化载流子积累电荷量发生变化，相当于电容器充电和放电的过程——扩散电容效应。图1.2.9综上所述：

PN结总的结电容Cj

包括势垒电容Cb

和扩散电容Cd

两部分。一般来说，当二极管正向偏置时，扩散电容起主要作用，即可以认为Cj

Cd；当反向偏置时，势垒电容起主要作用，可以认为Cj

Cb。

Cb

和Cd

值都很小，通常为几个皮法~几十皮法，有些结面积大的二极管可达几百皮法。

1.2.5

稳压管一种特殊的面接触型半导体硅二极管。稳压管工作于反向击穿区。

I/mAU/VO+

正向

+反向

U(b)稳压管符号(a)稳压管伏安特性+

I图1.2.10稳压管的伏安特性和符号稳压管的参数主要有以下几项：1.稳定电压UZ3.动态电阻rZ2.稳定电流IZ稳压管工作在反向击穿区时的稳定工作电压。正常工作的参考电流。I<IZ时，管子的稳压性能差；I>IZ

，只要不超过额定功耗即可。

rZ

愈小愈好。对于同一个稳压管，工作电流愈大，rZ

值愈小。IZ=5mA

rZ

16

IZ=20mA

rZ

3IZ/mA4.电压温度系数

U稳压管的参数主要有以下几项：稳压管电流不变时，环境温度每变化1℃引起稳定电压变化的百分比。

(1)

UZ>7V,

U>0；UZ<4V，

U<0；

(2)

UZ

在4~7V之间，

U

值比较小，性能比较稳定。

2CW17：UZ=9~10.5V，

U=0.09

%/℃

2CW11：UZ=3.2~4.5V，

U=-(0.05~0.03)%/℃

(3)2DW7系列为温度补偿稳压管，用于电子设备的精密稳压源中。

2DW7系列稳压管结构(a)2DW7稳压管外形图(b)内部结构示意图管子内部包括两个温度系数相反的二极管对接在一起。温度变化时，一个二极管被反向偏置，温度系数为正值；而另一个二极管被正向偏置，温度系数为负值，二者互相补偿，使1、2两端之间的电压随温度的变化很小。例：

2DW7C，

U

=0.005

%/℃图1.2.12

2DW7稳压管5.额定功耗PZ额定功率决定于稳压管允许的温升。PZ=UZIZPZ会转化为热能，使稳压管发热。电工手册中给出IZM，IZM=PZ/UZ

[例]

求通过稳压管的电流IZ等于多少？R是限流电阻，其值是否合适？IZVDZ+20VR=1.6k

+

UZ=12V-

IZM=18mA例题电路图IZ

<IZM

，电阻值合适。[解]VDZR使用稳压管需要注意的几个问题：图1.2.13稳压管电路UOIO+IZIRUI+

1.

外加电源的正极接管子的N区，电源的负极接P区，保证管子工作在反向击穿区；RL

2.

稳压管应与负载电阻RL

并联；

3.

必须限制流过稳压管的电流IZ，不能超过规定值，以免因过热而烧毁管子。练习：一、

选择合适答案填入空内。（1）在本征半导体中加入

元素可形成N型半导体，加入

元素可形成P型半导体A.五价B.四价C.三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将

。

A.增大B.不变C.减小（3）PN结加正向电压时，空间电荷区将

A.变窄B.基本不变C.变宽（4）稳压管的稳压区是其工作在

。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿二、写出图所示各电路的输出电压值，设

二极管导通电压UD＝0.7V。UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，UO6≈－2V。三、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图电路中UO1和UO2各为多少伏。

解：UO1＝6V，UO2＝5V。

1.3双极型三极管(BJT)又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管。(BipolarJunctionTransistor)三极管的外形如下图所示。三极管有两种类型：NPN和PNP型。主要以NPN型为例进行讨论。图1.3.1三极管的外形1.3.1三极管的结构常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。图1.3.2三极管的结构(a)平面型(NPN)(b)合金型(PNP)NecNPb二氧化硅becPNPe发射极，b基极，c集电极。平面型(NPN)三极管制作工艺NcSiO2b硼杂质扩散e磷杂质扩散磷杂质扩散磷杂质扩散硼杂质扩散硼杂质扩散PN在N型硅片(集电区)氧化膜上刻一个窗口，将硼杂质进行扩散形成P型(基区)，再在P型区上刻窗口，将磷杂质进行扩散形成N型的发射区。引出三个电极即可。合金型三极管制作工艺：在N型锗片(基区)两边各置一个铟球，加温铟被熔化并与N型锗接触，冷却后形成两个P型区，集电区接触面大，发射区掺杂浓度高。图1.3.3三极管结构示意图和符号

(a)NPN型ecb符号集电区集电结基区发射结发射区集电极c基极b发射极eNNP集电区集电结基区发射结发射区集电极c发射极e基极b

cbe符号NNPPN图1.3.3三极管结构示意图和符号(b)PNP型1.3.2三极管的放大作用和载流子的运动以NPN型三极管为例讨论图1.3.4三极管中的两个PN结cNNPebbec表面看三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。不具备放大作用三极管内部结构要求：NNPebcNNNPPP

1.发射区高掺杂。

2.基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。

三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。3.集电结面积大。becRcRb三极管中载流子运动过程IEIB

1.发射发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流

IE

(基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。

2.复合和扩散电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流Ibn，复合掉的空穴由VBB

补充。多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。图1.3.5三极管中载流子的运动becIEIBRcRb三极管中载流子运动过程

3.收集集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流

Icn。其能量来自外接电源VCC

。IC

另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。ICBO图1.3.5三极管中载流子的运动beceRcRb三极管的电流分配关系IEpICBOIEICIBIEnIBnICnIC=ICn+ICBO

IE=ICn+IBn+IEp

=IEn+IEp一般要求ICn

在IE中占的比例尽量大。定义二者之比称直流电流放大系数，即一般可达0.95~0.99忽略三个极的电流之间满足节点电流定律，即IE=IC+IB代入(1)式，得其中：共射直流电流放大系数。上式中的后一项常用ICEO表示，ICEO称穿透电流。当ICEO<<IC

时，忽略ICEO，则由上式可得共射直流电流放大系数近似等于IC

与IB

之比。

一般值约为几十~几百。三极管的电流分配关系一组三极管电流关系典型数据IB/mA

-0.00100.010.020.030.040.05IC/mA0.0010.010.561.141.742.332.91

IE/mA00.010.571.161.772.372.961.

任何一列电流关系符合IE=IC+IB，IB<IC<IE,IC

IE。

2.

当IB有微小变化时，

IC

较大。说明三极管具有电流放大作用。

3.

定义共射电流放大系数定义共基电流放大系数IB/mA

-0.00100.010.020.030.040.05IC/mA0.0010.010.561.141.742.332.91IE/mA00.010.571.161.772.372.96

4.

在表的第一列数据中，IE=0时，IC=0.001mA=ICBO，ICBO称为反向饱和电流。

在表的第二列数据中，IB=0，IC=0.01mA=ICEO，称为穿透电流。根据

和

的定义，以及三极管中三个电流的关系，可得故

与

两个参数之间满足以下关系：直流参数与交流参数

、

的含义是不同的，但是，对于大多数三极管来说，

与，

与的数值却差别不大，计算中，可不将它们严格区分。输出回路输入回路+UCE-1.3.3三极管的特性曲线特性曲线是选用三极管的主要依据，可从半导体器件手册查得。IBUCE图1.3.6三极管共射特性曲线测试电路ICVCCRbVBBcebRcV

+V

+

A

++

mA输入特性：输出特性：+UCE-+UCE-IBIBIBUBE一、输入特性

(1)UCE=0时的输入特性曲线RbVBBcebIB+UBE_VBBIB+UBE_bceOIB/A当UCE=0时，基极和发射极之间相当于两个PN结并联。所以，当b、e之间加正向电压时，应为两个二极管并联后的正向伏安特性。图1.3.7(上中图)

图1.3.8(下图)

(2)

UCE>0时的输入特性曲线

当UCE>0时，这个电压有利于将发射区扩散到基区的电子收集到集电极。UCE>UBE，三极管处于放大状态。

*特性右移(因集电结开始吸引电子)OIB/AUCE≥1时的输入特性具有实用意义。IBUCEICVCCRbVBBcebRCV

+V

+

A

++

mAUBE*UCE

≥1V，特性曲线重合。图1.3.6三极管共射特性曲线测试电路图1.3.8三极管的输入特性二、输出特性图1.3.9

NPN三极管的输出特性曲线IC

/mAUCE

/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O510154321划分三个区：截止区、放大区和饱和区。截止区放大区饱和区放大区

1.截止区IB≤0的区域。两个结都处于反向偏置。

IB=0时，IC=ICEO。

硅管约等于1A，锗管约为几十~几百微安。截止区截止区2.放大区：条件：发射结正偏集电结反偏

特点：各条输出特性曲线比较平坦，近似为水平线，且等间隔。二、输出特性IC

/mAUCE

/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O510154321放大区集电极电流和基极电流体现放大作用，即放大区放大区对NPN管UBE>0，UBC<0图1.3.9

NPN三极管的输出特性曲线3.饱和区：条件：两个结均正偏IC

/mAUCE

/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O510154321对NPN型管，UBE>0UBC>0。

特点：IC基本上不随IB而变化，在饱和区三极管失去放大作用。IC

IB。当UCE=UBE，即UCB=0时，称临界饱和，UCE

<

UBE时称为过饱和。饱和管压降UCES<0.4V(硅管)，UCES<

0.2V(锗管)饱和区饱和区饱和区NNPebcPPNebcIC

/mAUCE

/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O510154321AB1.3.4三极管的主要参数三极管的连接方式ICIE+C2+C1VEEReVCCRc(b)共基极接法VCCRb+VBBC1TICIBC2Rc+(a)共发射极接法图1.3.10

NPN三极管的电流放大关系一、电流放大系数是表征管子放大作用的参数。有以下几个：1.共射电流放大系数

2.共射直流电流放大系数忽略穿透电流ICEO时，3.共基电流放大系数

4.共基直流电流放大系数忽略反向饱和电流ICBO时，

和

这两个参数不是独立的，而是互相联系，关系为：二、反向饱和电流1.集电极和基极之间的反向饱和电流ICBO2.集电极和发射极之间的穿透电流ICEO(a)ICBO测量电路(b)ICEO测量电路ICBOceb

AICEO

Aceb小功率锗管ICBO约为几微安；硅管的ICBO小，有的为纳安数量级。当b开路时，c和e之间的电流。值愈大，则该管的ICEO也愈大。图1.3.11反向饱和电流的测量电路三、极限参数1.集电极最大允许电流ICM当IC过大时，三极管的

值要减小。在IC=ICM

时，

值下降到额定值的三分之二。2.集电极最大允许耗散功率

PCM过损耗区安全工作区将IC与UCE乘积等于规定的PCM值各点连接起来，可得一条双曲线。ICUCE<PCM

为安全工作区ICUCE>PCM为过损耗区ICUCEOPCM=ICUCE安全工作区安全工作区过损耗区过损耗区图1.3.11三极管的安全工作区3.极间反向击穿电压外加在三极管各电极之间的最大允许反向电压。

U(BR)CEO：基极开路时，集电极和发射极之间的反向击穿电压。

U(BR)CBO：发射极开路时，集电极和基极之间的反向击穿电压。

安全工作区同时要受PCM、ICM和U(BR)CEO限制。过电压ICU(BR)CEOUCEO过损耗区安全工作区ICM过流区图1.3.11三极管的安全工作区1.3.5

PNP型三极管放大原理与NPN型基本相同，但为了保证发射结正偏，集电结反偏，外加电源的极性与NPN正好相反。图1.3.13三极管外加电源的极性(a)NPN型VCCVBBRCRb~NNP+

+uoui(b)PNP型VCCVBBRCRb~+

+uoui

PNP三极管电流和电压实际方向。UCEUBE+

+

IEIBICebCUCEUBE(+)()IEIBICebC(+)()

PNP三极管各极电流和电压的规定正方向。PNP三极管中各极电流实际方向与规定正方向一致。电压(UBE、UCE)实际方向与规定正方向相反。计算中UBE

、UCE

为负值；输入与输出特性曲线横轴为(-UBE)

、(-UCE)。必须注意NPN和PNP的区别例1：电路如图所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。

例2.电路如图（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。解：例3：电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝3V，R

的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。

例4：现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？

解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。

（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。例5：

工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为

。

A.83B.91C.100选：C例6：已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。解：例7：测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。管号 T1 T2 T3 T4 T5 T6上

e c e b c b中

b b b e e e下

c e c c b c管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN材料 Si Si Si Ge Ge Ge1.4场效应三极管只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。场效应管分类结型场效应管绝缘栅场效应管特点单极型器件(一种载流子导电)；输入电阻高；工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。DSGN符号1.4.1结型场效应管一、结构图1.4.1

N沟道结型场效应管结构图N型沟道N型硅棒栅极源极漏极P+P+P型区耗尽层(PN结)在漏极和源极之间加上一个正向电压，N型半导体中多数载流子电子可以导电。导电沟道是N型的，称N沟道结型场效应管。P沟道场效应管图1.4.2

P沟道结型场效应管结构图N+N+P型沟道GSD

P沟道场效应管是在P型硅棒的两侧做成高掺杂的N型区(N+)，导电沟道为P型，多数载流子为空穴。符号GDS二、工作原理

N沟道结型场效应管用改变UGS大小来控制漏极电流ID的。GDSNN型沟道栅极源极漏极P+P+耗尽层*在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流ID减小，反之，漏极ID电流将增加。

*耗尽层的宽度改变主要在沟道区。

1.设UDS=0，在栅源之间加负电源VGG，改变VGG大小。观察耗尽层的变化。ID=0GDSN型沟道P+P+

(a)

UGS=0UGS=0时，耗尽层比较窄，导电沟比较宽UGS由零逐渐增大，耗尽层逐渐加宽，导电沟相应变窄。当UGS=UP，耗尽层合拢，导电沟被夹断，夹断电压UP为负值。ID=0GDSP+P+N型沟道

(b)

UGS<0VGGID=0GDSP+P+

(c)

UGS=UPVGG

2.在漏源极间加正向VDD，使UDS>0，在栅源间加负电源VGG，观察UGS变化时耗尽层和漏极ID

。UGS=0，UDG<，ID

较大。GDSP+NISIDP+P+VDDVGG

UGS<0，UDG<，ID较小。GDSNISIDP+P+VDD注意：当UDS>0时，耗尽层呈现楔形。(a)(b)GDSP+NISIDP+P+VDDVGGUGS<0,UDG=|UP|,ID更小,预夹断UGS≤UP,UDG>|UP|,ID

0,夹断GDSISIDP+VDDVGGP+P+(1)

改变UGS，改变了PN结中电场，控制了ID

，故称场效应管；(2)结型场效应管栅源之间加反向偏置电压，使PN反偏，栅极基本不取电流，因此，场效应管输入电阻很高。(c)(d)三、特性曲线1.转移特性(N沟道结型场效应管为例)O

UGSIDIDSSUP图1.4.6转移特性UGS=0，ID最大；UGS

愈负，ID愈小；UGS=UP，ID

0。两个重要参数饱和漏极电流

IDSS(UGS=0时的ID)夹断电压UP

(ID=0时的UGS)UDSIDVDDVGGDSGV

+V

+UGS图1.4.5特性曲线测试电路+

mA1.转移特性OuGS/VID/mAIDSSUP图1.4.6转移特性2.漏极特性当栅源之间的电压UGS不变时，漏极电流ID与漏源之间电压UDS

的关系，即结型场效应管转移特性曲线的近似公式：≤≤IDSS/VID/mAUDS/VOUGS=0V-1-2-3-4-5-6-7预夹断轨迹恒流区击穿区可变电阻区漏极特性也有三个区：可变电阻区、恒流区和击穿区。2.漏极特性UDSIDVDDVGGDSGV

+V

+UGS图1.4.5特性曲线测试电路+

mA图1.4.6(b)

漏极特性场效应管的两组特性曲线之间互相联系，可根据漏极特性用作图的方法得到相应的转移特性。UDS=常数ID/mA0-0.5-1-1.5UGS/VUDS=15V5ID/mAUDS/V0UGS=0-0.4V-0.8V-1.2V-1.6V101520250.10.20.30.40.5结型场效应管栅极基本不取电流，其输入电阻很高，可达107

以上。如希望得到更高的输入电阻，可采用绝缘栅场效应管。图1.4.7

在漏极特性上用作图法求转移特性1.4.2绝缘栅型场效应管由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称MOS场效应管。特点：输入电阻可达109

以上。类型N沟道P沟道增强型耗尽型增强型耗尽型UGS=0时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管；UGS=0时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。一、N沟道增强型MOS场效应管1.结构P型衬底N+N+BGSDSiO2源极S漏极D衬底引线B栅极G图1.4.8

N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图2.工作原理绝缘栅场效应管利用UGS

来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流ID。工作原理分析(1)UGS=0漏源之间相当于两个背靠背的PN结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。SBD图1.4.9(2)

UDS=0，0<UGS<UTP型衬底N+N+BGSD

P型衬底中的电子被吸引靠近SiO2

与空穴复合，产生由负离子组成的耗尽层。增大UGS

耗尽层变宽。VGG---------(3)

UDS=0，UGS≥UT由于吸引了足够多的电子，会在耗尽层和SiO2之间形成可移动的表面电荷层——---N型沟道反型层、N型导电沟道。UGS升高，N沟道变宽。因为UDS=0，所以ID=0。UT

为开始形成反型层所需的UGS，称开启电压。(4)

UDS对导电沟道的影响(UGS>UT)导电沟道呈现一个楔形。漏极形成电流ID

。b.UDS=UGS–UT，

UGD=UT靠近漏极沟道达到临界开启程度，出现预夹断。c.UDS>UGS–UT，

UGD<UT由于夹断区的沟道电阻很大，UDS逐渐增大时，导电沟道两端电压基本不变，ID因而基本不变。a.UDS<UGS–UT，即UGD=UGS–UDS>UTP型衬底N+N+BGSDVGGVDDP型衬底N+N+BGSDVGGVDDP型衬底N+N+BGSDVGGVDD夹断区DP型衬底N+N+BGSVGGVDDP型衬底N+N