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集团文件发布号：(9816-UATWW-MWUB-WUNN-INNUL-DQQTY-功率MOS管的五种损坏模式详解定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS(根据击穿电流其值不同)，并超出一定的能量后就发生破坏的现象。断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖MOSFET而导致破坏的模式会引起。率而导致的损耗引起的发热●导通电阻RDS(on)损耗(高温时RDS(on)增大，导致一定电流下，功耗增加)●由漏电流IDSS引起的损耗(和其他损耗相比极小)●开关损耗(接通、断开)*(与温度和工作频率是相关的)●内置二极管的trr损耗(上下桥臂短路损耗)(与温度和工作频率是相关的)负载短路等引起的过电流，造成瞬时局部发热而导致不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时，持续的坏DS管运行时，由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极致的破坏容易发生FET电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断栅极-CgdCrss电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当LC立时，在栅极-动电压Vgs(in)的振动电压，由于超出栅极-极破坏，或者接通、断开漏极-压通过栅极-CgdVgs正向反馈，因此可能会由于误动作引起振荡破电破坏果存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上

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