机械致单轴应变SOI研究的开题报告_第1页
机械致单轴应变SOI研究的开题报告_第2页
机械致单轴应变SOI研究的开题报告_第3页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

机械致单轴应变SOI研究的开题报告开题报告题目：机械致单轴应变SOI研究一、研究背景和意义随着微电子技术的发展，硅（Si）上发展了一种SOI器件，即硅上绝缘体器件，其优点是可提高器件性能、可靠性和集成度。在硅上发展SOI技术的发展中，主要有三种方法，分别是SIMOX、BESOI和Smart-Cut方法，其中Smart-Cut方法是目前最具前景和应用价值的一种方法。由于SOI器件中硅层非常薄，故而受力时非常脆弱，因此，研究机械致单轴应变SOI器件是非常重要的。在应用层面上，研究SOI器件应变效应对CMOS器件性能的提升，对未来高性能CMOS芯片的研制具有重要的意义。二、研究内容和方案本研究的主要内容是研究机械致单轴应变SOI器件的性能及其应变效应对性能的影响。具体的研究方案如下：（1）制备SOI器件该实验将采用Smart-Cut方法制备SOI器件，首先在丝网印刷的硅片上生长二氧化硅层，然后利用离子注入技术在二氧化硅层和硅片之间形成离子注入层。接下来，在离子注入层的下部进行切割（Smart-Cut），然后再利用一些后继加工工艺制备完整的SOI器件。（2）应力装置为了施加单轴应变，将制备的SOI器件放入应力杯中，利用机械臂施加压力并进行力学测试。（3）分析与评估在应力施加的过程中，将测试SOI器件的电学特性，比较施加应变前后的性能变化。同时，还将对研究结果进行分析和评估，探索器件在受应变情况下的电学特性变化规律。三、预期结果通过本研究，预计可以得出以下结论：（1）机械致单轴应变下的SOI器件性能及其应变效应对性能的影响。（2）针对性能变化的规律，提出相关的改进措施，以提升CMOS器件性能。四、研究关键技术和难点本研究关键技术和难点主要有以下几点：（1）SOI器件的生长和制备技术。（2）应力杯的设计及其施加压力的调整。（3）器件电学测试技术。五、研究进度计划本研究计划从2022年3月开始，至2023年3月结束，研究进度计划如下：（1）2022年3月~6月：文献综述及研究方案设计。（2）2022年7月~10月：制备SOI器件及应力杯的设计和制造。（3）2022年11月~2023年2月：电学特性测试及数据分析和评估。（4）2023年3月：总结和撰写论文。六、研究工作的可行性评估本研究的研究方案合理，技术路径清晰，研究质量可靠，数据来源充分可信，达到高校硕士课程论文的要求，并有一定的实际应用价值。该项研究符合研究者的兴趣爱好和能力，且研究时间充裕，可行性高。七、研究的社会意义本研究的结果对于CMOS芯片的开发和应用具有重要意义，有

人人文库> 全部分类> 毕业设计 > 开题报告

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论