光电检测技术期末试卷试题

光电检测技术期末试卷试题大全

1、光电器件的基本参数特性有哪些0

（响应特性噪声特性量子效率线性度工作温度）口

率响应口

效功率NEP口

2、光电信息技术是以什么为基础，以什么为主体，研究和发展光电

信息的口

形成、传输、接收、变换、处理和应用。□

（光电子学光电子器件）□

3、光电检测系统通常由哪三部分组成口

（光学变换光电变换电路处理）o

4、光电效应包括哪些口

外光电效应和内光电效应）Q

外光电效应：物体受光照后向外发射电子一一多发生于金属和金属氧

化物。o

内光电效应：物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸

出物体外口

部一一多发生在半导体。□

内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。□

光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载

流子数显口

著增加而电阻减少的现象。Q

光生伏特效应：光照在半导体PN结或金属一半导体接触面上时，会

在PN结或口

金属一半导体接触的两侧产生光生电动势。o

5、光电池是根据什么效应制成的将光能转换成电能的器件，按用途

可分为口

哪几种？□

（光生伏特效应太阳能光电池和测量光电池）□

6、激光的定义，产生激光的必要条件有什么？o

（定义：激光是受激辐射的光放大粒子数反转光泵谐振腔）o

7、热释电器件必须在什么样的信号的作用下才会有电信号输出？□

（交变辐射）□

8、CCD是一种电荷耦合器件，CCD的突出特点是以什么作为信号，

CCD的基口

本功能是什么？o

（电荷CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。）口

9根据检查原理，光电检测的方法有哪四种。o

（直接作用法差动测量法补偿测量法脉冲测量法）□

10、光热效应应包括哪三种。□

（热释电效应辐射热计效应温差电效应）□

11、一般PSD分为两类，一维PSD和二维PSD,他们各自用途是什么？口

（一维PSD主要用来测量光点在一维方向的位置；二维PSD用来测定

光点在平口

面上的坐标。）Q

12、真空光电器件是基于什么效应的光电探测器，它的结构特点是有

一个真空管，□

其他元件都在真空管中，真空光电器件包括哪两类。Q

（外光电效应光电管光电倍增管）口

二、名词解释口

1、响应度口

（响应度（或称灵敏度）：是光电检测器输出信号与输入光功率之间

关系的度量。）□

2、信噪比口

（是负载电阻上信号功率与噪声功率之比）o

3、光电效应口

（光电效应：光照射到物体表面上使物体的电学特性发生变化。）Q

4、亮电流口

（光敏电阻两端加电压（直流或交流）。无光照时，阻值很大，电流

（暗电流）0

很小；光照时，光生载流子迅速增加，阻值急剧减少，在外场作用下,

光生载流口

子沿一定方向运动，形成亮电流。）□

5、光电信号的二值化处理口

（将光电信号转换成“0”或“1”数字量的过程称为光电信号的二值

化处理。）口

6、亮态前历效应口

（亮态前历效应是指光敏电阻测试或工作前处于亮态，当照度与工作

时所要达到的照度不同时，所出现的一种滞后现象）口

7、热释电效应口

（在某些绝缘物质中，由于温度的变化引起极化状态改变的现象称为

热释电效口

应）D

8、暗电流口

9、暗态前历效应口

暗态前历效应是指光敏电阻测试或工作前处于暗态，当它突然受到光

照后表现为暗态前历越长，光电流上升越慢。o

三、简答口

1、雪崩光电二极管的工作原理（当光敏二极管的PN结上加相当大的

反向偏压（10CT200V）时，在结区产生一个很强的电场，使进入场区的光

生载流子获得足够的能量，在与原子碰撞时可使原子电离，而产生新的电

子一空穴对。只要电场足够强，此过程就将继续下去，使PN结内电流急

剧增加，达到载流子的雪崩倍增，这种现象称为雪崩倍增效应。）□

（共性：同属于内光电效应。区别：光生伏特效应是少数载流子导电

的光电效应，而光电导效应是多数载流子导电的光电效应。）□

（将被测非电量转换为可用非电量的器件。共性：对被测非电量进行

转换。□

区别：敏感器是把被测量转换为可用非电量，传感器是把被测非电量

转换为电口

量）「

4、发光二极管的工作原理。D

（在PN结附近，N型材料中的多数载流子是电子，P型材料中的多数

载流子口

是空穴，PN结上未加电压时构成一定的势垒，当加上正向偏压时，

在外电场口

作用下，P区的空穴和N区的电子就向对方扩散运动，构成少数载流

子的注口

入，从而在PN结附近产生导带电子和价带空穴的复合。一个电子和

一个空口

穴对每一次复合，将释放出与材料性质有关的一定复合能量，这个能

量会以口

热能、光能、或部分热能和部分光能的形式辐射出来。口

5、□

6、PIN型的光电二极管的结构、工作原理及特点口

（它的结构分三层，即P型半导体和N型半导体之间夹着较厚的本征

半导体10

层，它是用高阻N型硅片做I层，然后把它的两面抛光，再在两面分

别作N+和口

P+杂质扩散，在两面制成欧姆接触而得到PIN光电二极管。原理：层

很厚，对光口

的吸收系数很小，入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量

的电子一空口

穴对，因而大幅度提供了光电转换效率，从而使灵敏度得以很高。两

侧P层和ND

层很薄，吸收入射光的比例很小，I层几乎占据整个耗尽层，因而光

生电流中漂口

移分量占支配地位，从而大大提高了响应速度。特点：PIN管的最大

特点是频口

带宽，可达10GHz。缺点：由于I层的存在，管子的输出电流小，

般多为零点口

几微安至数微安。）□

7、热辐射检测器通常分为哪两个阶段？哪个阶段能够产生热电效应。□

（第一步：是热探测器吸收红外辐射引起温升，这一步对各种热探测

器都一样；□

第二步：利用热探测器某些温度效应把温升转换为电量的变化。D

第二阶段）□

8、光电检测系统由哪几部分组成？作用分别是什么？□

（#光学变换口

时域变换：调制振幅、频率、相位、脉宽口

空域变换：光学扫描口

光学参量调制：光强、波长、相位、偏振!]

形成能被光电探测器接收，便于后续电学处理的光学信息。o

#光电变换口

光电/热电器件（传感器）、变换电路、前置放大口

将信息变为能够驱动电路处理系统的电信息（电信号的放大和处理）。□

#电路处理口

放大、滤波、调制、解调、A/D、D/A、微机与接口、控制。）D

9、简述光电检倍增管的结构组成和工作原理口

（光电倍增管主要由入射窗口、光电阴极、电子光学系统、电子倍增

系统、和口

阳极5部分组成。o

10简述CCD器件的结构和工作原理口

（M0S电容器件+输入输出端=CC所

Ccd的工作原理：由目标发射来的光学图像，经透镜聚焦后成像在

CCD的像敏单口

元上；o

在耗尽层中或距耗尽层为一定范围内的光生电子迅速被势阱收集，汇

集到界面附口

近形成电荷包，存储在像敏单元中。o

电荷包的大小与光强和积分时间成正比。□

电荷包在时钟脉冲作用下，由转移寄存器读出。口

即在CCD栅极上施加按一定规律变化、大小超过阈值的电压，则在

半导体表面口

形成不同深浅的势阱。势阱用于存储信号电荷，其深度同步于信号电

压变化，使口

阱内信号电荷沿半导体表面传输，最后从输出二极管送出视频信号。）□

11、简述热电偶的工作原理0

（热电偶工作原理是基于赛贝克（eeback）效应,即两种不同成分的导

体两端连口

接成回路，如两连接端温度不同，则在回路内产生热电流的物理现

象。）o

12、光电二极管的工作模式有哪几种？都分别用于什么场合？D

四、分析口

1、根据电路说明光电耦合器的作用。o

Q12D

2口

五、应用题口

1、举例说明脉冲方法测量长度的原理。□

（被测物体L在传送带上以速度v前进，光电传感器将物体的长度L

转换成脉冲口

来开启门电路，计数器将计下与脉宽对应的高频脉冲数N,则

L=vt=vkN=KN）□

2、举例说明补偿测量方法的原理口

（补偿测量法是通过调整一个或几个与被测物理量有已知平衡关系

（或已知其口

值）的同类标准物理量，去抵消（或补偿）被测物理量的作用，使系

统处于补偿口

或平衡状态。处于补偿状态的测量系统，被测量与标准量具有确定的

关系，由此口

可测得被测量值，这种方法称为补偿法。）。□

3、举例说明象限探测器的应用。0

（四象限探测器主要被用于激光准直、二维方向上目标的方位定向、

位置探测等口

领域。）o

下图为简单的激光准直原理图。用单模激光器作光源。因为它有很小

的光束发散口

角，又有圆对称界面的光强分布，很有利于作准直用。图中激光射出

的光束用倒口

置望远系统L进行扩束，倒置望远系统角放大率小，于是光束发散角

进一步压缩，Q

射出接近平行的光束投向四象限管，形成一圆形亮斑。口

光电池AC、BD两两接成电桥，当光束准直时，亮斑中心与四象限管

十字沟道重口

合，此时电桥输出信号为零。若亮斑沿上下左右有偏移时，两对电桥

就相应于光口

斑偏离方向而输出电信号。哪个探测器被照亮斑的面积大，输出信号

也大。这种口

准直仪可用于各种建筑施工场合作为测量基准线口

。□

4、举例说明光敏电阻的应用口

（举例一：照明灯的光电控制电路口

基本功能：根据自然光的情况决定是否开灯。o

基本结构：整流滤波电路；光敏电阻及继电器控制；触电开关执行电

路。口

基本原理：光暗时，光敏电阻的阻值很高，继电器关，灯亮；光亮时,

光敏电阻阻值降低，继电器工作，灯关。□

举例二：把光敏电阻装在大门上汽车灯光能照到的地方，把带动大门

的电动机接口

在干簧管的电路中，那么夜间汽车开到大门前，灯光照射光敏电阻时,

干簧继电器接通电动机电路，电动机带动大门打开。口

置口

举例三：天明告知装口

）D

电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期末考口

试口

课程成绩构成：平时20分，期中分，实验分，期末80分口

一、填空题（每空一分，共15分）口

1、入射光在两介质分界面的反射率与（）有关。o

2、已知本征硅的禁带宽度Eg=1.2eV,则该半导体材料的本征吸收

长波限为口

（）。o

3、某一干涉仪的最高频率为20MHz,选用探测器的时间常数应小于

（）。口

4、温度越高，热辐射的波长就（）oo

5、光电检测是以光信息的变换为基础，它有（）和（□

）两种基本工作原理。□

6、光电探测器的物理效应通常分为（）、（）、（）o0

7、光电检测系统主要由（）、（）、（）和（）。口

8、光电三极管的增益比光电二极管（），但其线性范围比光电二极

管（）。口

二、判断题（每题一分，共10分）口

1、PIN管的频率特性比普通光电二极管好。（）口

2、提高载流子平均寿命能同时提高光电导器件的增益及其截止频率。

（）D

3、有基极引线光电三极管可作为光电二极管和无基极引线光电三极

管使用。o

（）D

4、对光源进行调制即可消除光源波动及背景光干扰的影响。（）□

5、光电二极管阵列中各单元面积减小，则其信号电流和暗电流同比

例减小。()□

6、阵列器件输出的信号是数字信号。()□

7、光敏电阻受温度影响大，通常工作在低温环境下工作。()o

8、在微弱辐射作用下，光电导材料的光电灵敏度越高。()□

9、光电探测器件输出的信号只有比噪声大时，测量才能进行。()□

10、光电池的频率特性很好。()o

三、简答题(每小题6分，共30分)口

1、总结原子自发辐射、受激吸收、受激辐射三个过程的基本特征。□

2、半导体激光器和发光二极管在结构上、发光机理和工作特性上有

什么不同？□

3、说明为什么本征光电导器件在微弱的辐射作用下，时间显影越长,

灵敏度越高。□

4、硅光电池的内阻与哪些因素有关在什么条件下硅光电池的输出功

率最大口

5、光电三极管和普通三极管有什么不同？为什么说光电三极管比光

电二极管的输出电口

流可以大很多倍？o

四、论述题(45分)D

1、试从工作原理和系统性能两个方面比较直接探测和外差探测技术

的应用特口

点。（10分）口

2、写出硅光电二极管的全电流方程，说明各项物理意义。（10分）口

3、试问图『1（a）和图17（b）分别属哪一种类型偏置电路？为什么？

分别写出输口

出电压U0的表达式。（12分口

）0

（a）（b）o

图IT光敏电阻偏置电路口

3、阐述用差动法检测溶液浓度的工作原理及工作过程。（13分）口

武汉理工大学考试试题纸（A卷）o

一、名词解释（每小题3分，总共15分）口

1.坎德拉（Candela,cd）2.外光电效应3.量子效率4.象增强管5.本口

征光电导效应二、填空题（每小题3分，总共15分）口

1.光电信息变换的基本形口

式、、、口

、、D

2.光电倍增管是一种真空光电器件，它主要由和口

组成。0

3.发光二极管(LED)是一种注入电致发光器件，他由P型和N型半导

体组合口

而成。其发光机理可以分为和口

4.产生激光的三个必要条件是。o

5.已知本征硅的禁带宽度为Eg,要使该材料有光电子产生，其入射

光波的口

最大波长为口

三、如图1所示的电路中，已知Rb=820Q,Re=3.3KQ,UW光敏电阻为

Rp,当光照度为401某时，输出电压为6V,是为9V。设光敏电阻在

30~100之间的y值不变。口

试求：(1)输出电压为8V时的照度；图1(2)若Re增加到6KQ,输

出电压仍然为8V度；D

(3)输出电压为8V时的电压灵敏度。D

四、如果硅光电池的负载为RL。(10分)口

(1)、画出其等效电路图；o

(2)、写出流过负载的电流方程及开路电压和短路电流；□

(3)、标出等效电路图中电流方向。o

五、简述PIN光电二极管的工作原理。为什么PIN管比普通光电二极管好?

(10分)口

六、1200V负高压供电，具有11级倍增的光电倍增管，若倍增管的

阴极灵敏度SK为20uA/lm,阴极入射光的照度为0.1L某，阴极有效面积

为2cm2,各倍口

增极二次发射系数均相等（4）,光电子的收集率为00.98,各倍增极

的口

电子收集率为0.95o（提示增益可以表示为GO0N）（15分）口

（1）计算光电倍增管的放大倍数和阳极电流。Q

（2）设计前置放大电路，使输出的信号电压为200mV,求放大器的有

关参数，并画出原理图。□

七、简述CCD的两种基本类型，画出用线阵CCD测量微小物体（小于

100微米）原理简图，并分析测量原理。（15分）口

八、一InGaAAPD管在倍增因子M=l,入射波长为1550nm时的量子效率口

=60%,加偏置电压工作时的倍增因子M=12。（10分）口

1.如果入射功率为20nW,APD管的光电流为多少？D

2.倍增因子为12时，APD管的光谱响应度为多少？o

光电技术A卷参考答案口

一、名词解释口

1.坎德拉（Candela,cd）：发光频率为540310Hz的单色辐射，在口

给定方向上的辐射强度为l/683Wr-l时，在该方向上的发光强口

度为Icdoo

2.外光电效应：当光照射某种物质时，若入射的光子能量hv足够口

大，它和物质中的电子相互作用，致使电子逸出物质表面，这口

种现象称为光电发射效应，又称外光电效应。□

3.量子效率：一定波长的光子入射到光电阴极时，该阴极所发射口

的光电子数与入射的光子数之比值。□

4.象增强管：把微弱的辐射图像增强到可使人直接观察的真空光口

电成像器件。□

5.本征光电导效应：本征半导体价带中的电子吸收光子能量跃入口

导带，产生本征吸收，导带中产生光生自由电子，价带中产生口

光生自由空穴，使得材料的电导率发生变化的现象。o

二、填空题口

1.信息载荷于光源的方式信息载荷于透明体的方式、信息载荷于口

反射光的方式、信息载荷于遮挡光的方式、信息载荷于光学量口

化器的方式和光通信方式的信息变换。□

2.光入射窗、光电阴极、电子光学系统、倍增极和阳极。o

3.PN结注入发光，异质结注入发光。D

4、5、Q

四、根据图示为恒流偏置电路，流过稳压管的电流口

满足稳压管的工作条件口

⑴当4Vti

时，D

由得输出电压为6伏时电阻6K,Q

输出电压为9伏时电阻3K,故=1；D

输出电压为8VD

时，光敏电阻的阻值为口

=4KD

,带入口

，解得E=601某口

(2)与上面(1)中类似，求出照度E=341某口

(3)电路的电压灵敏度口

五、(1)光电池的等效电路图口

(2)流过负载电阻的电流方程口

短路电流的表达式口

开路电压的表达式口

(3)电流方向如图所示口

六、当光照射P—n结，只要人射光子能量大于材料禁带宽度，就会

在结区产生电子一空穴对。这些非平衡载流子在内建电场的作用下，空穴

顺电场方向运动，电子逆电场方向运动，在开路状态，最后在n区边界积

累光电子，P区积累光生空穴，产生一个与内建电场方向相反的光生电场。

光电二极管在正偏置时，呈单向导电性，没有光电效应产生，只有在反偏

置或零偏置时，才产生明显的光电效应。其基本结构就是一个p-n结，属

于结型光生伏特效应。当光照射时，满足条件hv>Eg,则在结区产生的光

生载流子将被内建电场拉开，于是在口

外电场的作用下形成了以少数载流子漂移为主的光电流，显然，光电

流比无光照射时的反向饱和电流大的多，如果光照越强，表示在同样条件

下产生的光生载流子越多，光电流就越大，反之，则光电流越小。Q

对于PIN管，由于I层的存在，使扩散区不会到达基区，从而减少了

或根本不存在少数载流子通过扩散区的扩散时间，而I层工作在反向，实

际是一个强电场区，对少子起加速的作用。即使I层较厚，对少子的度越

时间影响也不大，即提高了频率响应。同时，反偏下，耗尽层较无I层时

要大的多，从而使结电容下降，也提高了频率响应。□

七、□

CCD有两种基本类型：一种是电荷包存贮在半导体与绝缘体之间的界

面，并沿界面传输，这类器件称为表面沟道电荷耦合器件(SCCD)；另一

种是电荷包存贮在离半导体表面一定深度的体内，并在半导体内沿一定方

向传输，这类称为体内沟道或埋沟道电荷耦合器件(BCCD)o原理：当满

足远场条件L>>d2/X时，根据夫琅和费衍射公式可得到口

d=KX/SinO(1)D

当6很小时(即L足够大时)Sin。仁18。=某1<4口

代入(1)式得d=D

==..(2)S——暗纹周期，5=某1</1(是相等的，则测细丝直径d转化为

用CCD测口

S测量简图口

八(1)SolutionThereponivityatM=lintermofthequantumefficiencyiQ

(2)IfIphoitheprimaryphotocurrentandOitheincidentg

opticalpowerthenbydefinitiong

othatg

1、光源选择的基本要求有哪些口

答：①源发光的光谱特性必须满足检测系统的要求。按检测的任务不

同，要求的光谱范围也有所不同，如可见光区、紫外光区、红外光区等等。

有时要求连续光谱，有时又要求特定的光谱段。系统对光谱范围的要求都

应在选择光源时加以满足。②光对光源发光强度的要求。为确保光电测试

系统的正常工作，对系统采用的光源的发光强度应有一定的要求。□

光源强度过低，系统获得信号过小，以至无法正常测试，光源强度过

高，又会导致系统工作的非线性，有时还可能损坏系统、待测物或光电探

测器，同时还会导致不必要的能源消耗而造成浪费。因此在设计时，必须

对探测器所需获得的最大、最小光适量进行正确估计，并按估计来选择光

源。③对光源稳定性的要求。不同的光电测试系统对光源的稳定性有着不

同的要求。通常依不同的测试量来确定。稳定光源发光的方法很多，一般

要求时，可采用稳压电源供电。当要求较高时，可采用稳流电源供电。所

用的光源应该预先进行月化处理。当有更高要求时，可对发出光进行采样,

然后再反馈控制光源的输出。④对光源其他方面的要求。光电测试中光源

除以上几条基本要求外；还有一些具体的要求。如灯丝的结构和形状；发

光面积的大小和构成；灯泡玻壳的形状和均匀性；光源发光效率和空间分

布等等，这些方面都应该根据测试系统的要求给以满足口

2、光电倍增管的供电电路分为负高压供电与正高压供电，试说明这

两种供电电路的特点，举例说明它们分别适用于哪种情况口

答：采用阳极接地，负高压供电。这样阳极输出不需要隔直电容，可

以直流输出，一般阳极分布参数也较小。可是在这种情况下，必须保证作

为光屏蔽和电磁屏蔽的金属筒距离管壳至少要有10〜20mm,否则由于屏

蔽筒的影响，可能相当大地增加阳极暗电流和噪声。如果靠近管壳处再加

一个屏蔽罩，并将它连接到阴极电位上，则要注意安全。o

采用正高压电源就失去了采用负高压电源的优点，这时在阳极上需接

上耐高压、噪声小的隔直电容，因此只能得到交变信号输出。可是，它可

获得比较低和稳定的暗电流和噪声口

3、在微弱辐射作用下，光电导材料的光电灵敏度有什么特点，？为

什么要把光敏电阻制造成蛇形？o

答：在微弱辐射下，光电导材料的光电灵敏度是定值，光电流与入射

光通量成正比，即保持线性关系。口

因为产生高增益系数的光敏电阻电极间距需很小（即tdr小），同时

光敏电阻集光面积如果太小而不实用，因此把光敏电阻制造成蛇形，既增

大了受光面积，又减小了极间距。口

9、为什么结型光电器件在正向偏置时，没有明显的光电效应？它必

须在那种偏置状态？为什么？□

答：因为p-n结在外加正向偏压时，即使没有光照，电流也随着电压

指数级在增加，所以有光照时，光电效应不明显。p-n结必须在反向偏压

的状态下，有明显的光电效应产生，这是因为p-n结在反偏电压下产生的

电流要饱和，所以光照增加时，得到的光生电流就会明显增加。□

二〜论述光电检测系统的基本构成，并说明各部分的功能。□

1、下面是一个光电检测系统的基本构成框图：0

（1）光源和照明光学系统：是光电检测系统中必不可少的一部分。

在许多系统中按需要选择一定辐射功率、一定光谱范围和一定发光空间、

分布的光源，以此发出的光束作为载体携带被测信息。□

（2）被测对象及光学变换：这里所指的是上述光源所发出的光束在

通过这一环节时，利用口

各种光学效应，如反射、吸收、折射、干涉、衍射、偏振等，使光束

携带上被检测对象的特征信息、，形成待检测的光信号。光学变换通常是用

各种光学元件和光学系统来实现的，实现将被测量转换为光参量（振幅、

频率、相位、偏振态、传播方向变化等）。3）光信号的匹配处理：这一

工作环节的位置可以设置在被检测对象前面，也可设在光学变换后面，应

按实际要求来决定。光信号匹配处理的主要目的是为了更好地获得待测量

的信息，以满足光电转换的需要。口

（4）光电转换：该环节是实现光电检测的核心部分。其主要作用是

以光信号为媒质，以光电探测器为手段，将各种经待测量调制的光信号转

换成电信号（电流、电压或频率），以利于采用目前最为成熟的电子技术

进行信号的放大、处理、测量和控制等。□

（5）电信号的放大与处理：这一部分主要是由各种电子线路所组成。

光电检测系统中处理电路的任务主要是解决两个问题：①实现对微弱信号

的检测；②实现光源的稳定化。o

（6）存储、显示与控制系统：许多光电检测系统只要求给出待测量

的具体值，即将处理好的待测量电信号直接经显示系统显示。o

（1）对于图a）所示的电路，光电信号是直接取出的，即UO=ILRL,而

对于b）图，光电信号是间接取出的，UO=UC-ILRL；（2）两种电路输出的

光电信号电压的幅值相等，但相位是相反的；（3）这两种方法只适合照射

到P-N结上的光强变化缓慢和恒定光的情口

况，这时光电二极管的结电容不起作用，二极管本身的串联电阻很小,

实际上可以略去不计。o

（4）当二极管的光电流与暗电流接近时，光电信号难以取出，因此，

运用反偏法检测微弱的恒定光时不利的。□

3、如果硅光电池的负载为RL,画出它的等效电路图，写出流过负载

IL的电流方程及Uoc、Ic的表达式，说明其含义（图中标出电流方向）。

（12分口

硅光电池的工作原理和等效电路为下图：口

（a）光电池工作原理图（b）光电池等效电路图（c）进一步简化从

图（b）中可以得到流过负载RL的电流方程为：D

iip-iDipiO（eqV/KTl）SEEiO（eqV/KTl）0

（1）□

其中，SE为光电池的光电灵敏度，E为入射光照度，10是反向饱和

电流，是光电池加反向偏压后出现的暗电流。口

当i=0时，RL=8（开路），此时曲线与电压轴交点的电压通常称

为光电池开路时两端的开路电压，以VOC表示，由式（1）解得：口

VOCD

(4分)IpkTlnll(2)qOD

当Ip》Io时，VOC（kT/q）ln（Ip/IO）0

当RL=0（即特性曲线与电流轴的交点）时所得的电流称为光电流短

路电流，以Ic表示，所以口

Ic=Ip=Se2E（3）（4分）o

从式（2）和（3）可知，光电池的短路光电流Ic与入射光照度成正

比，而开路电压Voc与光照度的对数成正比。o

1、为什么发光二极管的PN结要加正向电压才能发光？而光电二极管

要零偏或反偏才能有光生伏特效应？o

答：1.p-n结在外加正向偏压时，外加电压削弱内建电场，使空间电荷

区变窄,载流子的扩散运动加强,构成少数载流子的注入,从而在P-n结附

近产生导带电子和价带空穴的复合。一个电子和一个空穴的一次复合将释

放出与材料性质有关的一定复合能量，这些能量会以热能、光能或部分热

能和部分光能的形式辐射出来，产生电致发光现象，这就是LED的发光机

理。□

因为p-n结在外加正向偏压时，即使没有光照，电流也随着电压指数

级在增加，所以有光照时，光电效应不明显。p-n结必须在反向偏压的状

态下，有明显的光电效应产生，这是因为PF结在反偏电压下产生的电流

要饱和，所以光照增加时，得到的光生电流就会明显增加。口

2、简述三种主要光电效应的基本工作原理口

答：当半导体材料受光照时，由于对光子的吸收引起载流子浓度增大,

因而导致材料电导率增大，这种现象称为光电导效应，是一种内光电效应。

材料对光的吸收有本征型和非本征型，所以光电导效应也有本征型和非本

征型两种。当光照射PN结时，只要入射光子能量大于材料禁带宽度，就

会在结区产生电子一空穴对。光生电子一一空穴对就被内建电场分离开来,

空穴留在P区，电子通过扩散流向N区，这种光照零偏PN结产生开路电压

的效应，称为光伏效应.当光照射到某种物质时，若入射的光子能量h足

够大，那么它和物质中的电子相互作用，可致使电子逸出物质表面，这种

现象称为光电发射效应，又称为外光电效应。o

3、光电探测器与热电探测器在工作原理、性能上有什么区别？o

答：所谓光电效应是指，光辐射入射到光电材料上时，光电材料发射

电子，或者其电导率发生变化，或者产生感生电动势的现象。光电效应实

质上是入射光辐射与物质中束缚于晶口

格的电子或自由电子的相互作用所引起的。光电效应就对光波频率

（或波长）表现出选择性。在光子直接与电子相互作用的情况下，其响应

速度一般比较快。按照是否发射电子，光电效应又分为内光电效应和外光

电效应。具体有光电子发射效应、光电导效应、光生伏特效应、光子牵引

效应和光电磁效应等。o

光热效应的实质是探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电

子状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件

温度上升，温度上升的结果又使探测元件与温度有关的电学性质或其他物

理性质发生变化。原则上，光热效应对光波频率（或波长）没有选择性，

因而物质温度的变化仅决定于光功率（或其变化率），而与入射光辐射的

光谱成分无关。因为温度升高是热积累的作用，所以光热效应的响应速度

一般比较慢，而且容易受环境温度变化的影响。光热效应包括热释电效应、

温差电效应和测热辐射计效应等口

4、简述光电探测器的选用原则口

答：（1）.光电检测器件必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上匹

配。（2）光电检测器件的光电转换特性必须和入射辐射能量相匹配。（3）光

电检测器件的响应特性必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配,

以保证得到没有频率失真和良好的时间响应。（4）光电检测器件必须和输

入电路以及后续电路在电特性上相互匹配，以保证最大的转换系数、线性

范围、信噪比以及快速的动态响应等。D

5、简述光电池、光电二极管的工作原理及区别？o

答：光电池和光电二极管都是基于光伏特效应的原理进行工作，只不

过光电池可以工作在零偏状态下，是光伏工作模式,器件内阻远低于负载电

阻,相当于一个恒压源;而光电二极管必须在反偏电压下才能工作,是光电

导工作模式,器件内阻远大于负载电阻,此时器件相当于一个恒流源.口

1、叙述光电池低输入阻抗和高输入阻抗放大电路的特点和区别，各

应用于什么场合？（10分）口

答：当光电池后接低输入阻抗放大电路时，其工作在短路或线性电流

放大状态，这是一种电流变换状态，要求硅光电池送给负载电阻RL（这

时RIXRm,且RL—0）的电流与光照度成线性关系。如果需要放大信号，

则应选用电流放大器。为此要求负载电阻或后续放大电路输入阻抗尽可能

小，才能使输出电流尽可能大，即接近短路电流Ic,因为只有短路电流

才与入射光照度有良好的线性关系。另外，在短路状态下器件的噪声电流

较低，信噪比得到改善，因此适用于弱光信号的检测。□

当光电池后接高输入阻抗放大电路时，其工作在线性电压输出和空载

电压输出（开路电压输出）状态。当负载电阻很小甚至接近于零的时候，

电路工作在短路及线性电流放大状态；而当负载电阻稍微增大，但小于临

界负载电阻Rm时，电路就处于线性电压输出状态，此时RL〈Rm,这种工

作状态下，在串联的负载电阻上能够得到与输入光通量近似成正比的信号

电压，增大负载电阻有助于提高电压，但能引起输出信号的非线性畸变。

工作在线性电压放大区的光电池在与放大器连接时，宜采用输入阻抗高的

电压放大器。□

空载电压输出是一