2023年成人高考专升本高起专考试试题与答案电力电子学

一、单选题（共40题，每题1分）

1.关于单相桥式全控整流电路，表述正确的是：（B）

A.单相桥式全控整流电路简单，但整流变压器存在直流磁化现象。

B.单相桥式全控整流电路中的整流变压器不存在直流磁化现象。

C.单相桥式全控整流电路简单，在电阻性负载时，整流变压器存在直流磁化现象。

2.MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是：（B）

A.型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行。

B.型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温

度系数，也可以并联使用。

C.型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行。

3.关于相控电路的驱动电路，表述正确的是：（B）

A.相控驱动电路要有同步环节，同步信号频率与主电路电源的频率相同，其相位

关系则随外加控制信号的变化而变化。

B.相控驱动电路要有同步环节，同步信号频率与主电路电源的频率相同且相位关

系确定。

C.相控驱动电路不需要同步环节，其相位关系由外加控制信号确定。

4.晶闸管正向特性表述正确的是：（C）o

A.随着门极电流幅值的增大，正向转折电压增大。

B.只要门极电流幅值大于1mA,晶闸管承受正向电压时就导通。

C.随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。

5.有关GTR的二次击穿现象表述正确的是：（C）

A.虽然GTR存在二次击穿现象，但GTR的安全工作区与二次击穿现象无关。

B.GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。

C.GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。

6.晶闸管的结构为：（B）

A.晶闸管具有PNP和NPN六层半导体结构。

B.晶闸管具有PNPN四层半导体结构

C.晶闸管具有PNP和或NPN三层半导体结构。

7.三相桥式全控整流电路导通晶闸管数量，表述正确的是：（B）

A.三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通，但不能肯定是否共

阴极组的和共阳极组的各1个导通。

B.三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通，共阴极组的和共阳

极组的各1个，且不能为同一相的晶闸管。

C.三相桥式全控整流电路每个时刻仅需1个晶闸管导通。

8.规则采样法与自然采样法，表述正确的是：（B）

A.用计算机实现三相桥式逆变电路PWM控制时，自然采样法比规则采样法更容易

实现。

B.用计算机实现三相桥式逆变电路PWM控制时，规则采样法比自然采样法更容易

实现。

C.用计算机实现三相桥式逆变电路PWM控制时，自然采样法与规则采样法是一样

的，只是称谓不同而已。

9.PWM跟踪控制技术中的三角波比较方式，表述正确的是：（A）

A.三角波比较方式可以使开关频率固定。

B.三角波比较方式的开关频率与环宽的大小有关。

C.三角波比较方式的开关频率与误差大小有关。

10.关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是：（C）

A.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比GTR慢。

B.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比电力MOSFET快。

C.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比GTR快。

11.斩波电路有三种控制方式：（B）

A.斩波电路有三种控制方式：脉冲宽度调制（PWM）；频率调制；占空比控制。

B.斩波电路有三种控制方式：脉冲宽度调制（PWM）；频率调制；混合型。

C.斩波电路有三种控制方式：脉冲宽度调制（PWM）；周期数通断比控制；占空

比控制。

12.开环控制的晶闸管直流电动机系统的机械特性，表述正确的（B）

A.无论电流断续还是电流连续，晶闸管直流电动机系统的机械特性曲线是一条直

线。

B.晶闸管直流电动机系统当电流断续时，电流小，则电动机的理想空载转速变小，

机/戒特:，性O

C.晶闸管直流电动机系统当电流断续时，电动机的理想空载转速抬高，机械特性

变软。

13.有源逆变时的直流电动势，表述正确的是：（A）

A.要有直流电动势，其值应大于变流器直流侧的平均电压，其极性须和晶闸管的

导通方向一致。

B.要有直流电动势，其值应大于变流器直流侧的平均电压，其极性没有特别的规

定。

C.要有直流电动势，其值应小于变流器直流侧的平均电压，其极性须和晶闸管的

导通方向一致。

14.关于单相全波整流电路，表述正确的是：（A）

A.单相全波整流电路只用2个晶闸管；但是晶闸管承受的最大电压是单相全控桥

的2倍。

B.单相全波整流电路只用2个晶闸管；但是晶闸管承受的最大电压是单相全控桥

的4倍°

C.单相全波整流电路只用2个晶闸管，晶闸管承受的最大电压与单相全控桥相等。

15.关于逆变角，表述正确的是：（A）

A.限制逆变角的最小值，其目的是为了防止逆变失败。

B.限制逆变角的最大值，其目的是为了防止逆变失败。

C.限制逆变角的最小值，其目的是为了防止输出电压太小。

16.关于控制角，表述正确的是：（A）

A.从SCR承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为触发延迟角，也称

触发角或控制角。

B.晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度称为控制角。

C.晶闸管的控制角也称为导通角。

17.单相电压型逆变电路，表述正确的是：（B）

A.单相电压型逆变电路的移相调压方式，改变滞后角就可调节输出电压的峰值。

B.单相电压型逆变电路的移相调压方式，改变滞后角就可调节输出电压的有效值。

C.单相电压型逆变电路的移相调压方式，改变滞后角不能调节输出电压的有效值。

18.单相桥式半控整流电路结构，表述正确的是：（B）

A.单相桥式半控整流电路须有续流通路，其电路用续流二极管构成续流通路，电

路拓扑只有一种形式。

B.单相桥式半控整流电路须有续流通路，电路拓扑不只有一种形式，也可以有其

它形式。

C.单相桥式半控整流电路须有4个晶闸管组成。

19.降压型零电压开关准谐振电路开关管耐压，表述正确的是：（A）

A.降压型零电压开关准谐振电路，谐振电压峰值高于输入电压的2倍，增加了对

开关器件耐压的要求。

B.降压型零电压开关准谐振电路，谐振电压峰值与输入电压相等。

C.降压型零电压开关准谐振电路，谐振电压峰值低于输入电压的1/2。

20.什么是电力电子技术？（A）

A.用于电力领域的电子技术，即应用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。

B.用于电力领域和信息领域的电子技术的总称。

C.用于电气领域和信息领域的电子技术的总称。

21.降压斩波电路与升压斩波电路，表述正确的是：（A）

A.降压斩波电路与升压斩波电路是用于直流/直流变换的。

B.降压斩波电路与升压斩波电路是用于直流/直流变换和交流/交流变换的。

C.降压斩波电路与升压斩波电路是用于交流/交流变换的。

22.三相电压型逆变电路输出电压波形，表述正确的是：（A）

A.三相电压型逆变电路负载相电压波形是3电平方波，线电压波形是5电平阶梯

波。

B.三相电压型逆变电路负载相电压波形是5电平阶梯波，线电压波形是3电平方

波。

C.三相电压型逆变电路负载相电压波形是5电平阶梯波，线电压波形也是5电平

方波。

23.晶闸管是如何导通的？（C）

A.在晶闸管阳极---阴极之间无论加正向或反向电压，只要门极加正向电压，产

生足够的门极电流，则晶闸管导通。

B.在晶闸管阳极一一阴极之间加反向电压，门极加正向电压，产生足够的门极电

流，则晶闸管导通。

C.在晶闸管阳极一一阴极之间加正向电压，门极也加正向电压，产生足够的门极

电流，则晶闸管导通。

24.门极可关断晶闸管GTO半导体结构式为：（B）

A.门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层半导体结构。

B.门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。

C.门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。

25.关于触发电路的定相，表述正确的是：（C）

A、晶闸管可控整流电路若采用同步信号为锯齿波的触发电路，触发电路的定相

指的是确定每相触发电路的频率。

B、晶闸管可控整流电路若采用同步信号为锯齿波的触发电路，则触发电路定相

的关键是确定同步信号数量，其数量等于电源电压相数。

C、晶闸管可控整流电路若采用同步信号为锯齿波的触发电路，则触发电路定相

的关键是确定同步信号与晶闸管阳极电压的关系。

26.降压式变换器,输入电压为27V±10%,输出电压为15V,则占空比的变化范围

是（C）o

A.0.12—0.15

B.0.15—0.18

C.0.505—0.617

27.变压器漏感对输出电压值的影响是：（B）

A.变压器漏感对整流电路的影响之一是使整流输出电压平均值升高。

B.变压器漏感对整流电路的影响之一是使整流输出电压平均值降低。

C.变压器漏感对整流电路的影响之一是波形变化了，但整流输出电压平均值不变。

28.关于升降压斩波电路、Cuk斩波电路电流，表述正确的是：（B）。

A.Cuk斩波电路和升降压斩波电路的输入电源电流和输出负载电流都是可以连

续的，有利于对输入、输出进行滤波。

B.Cuk斩波电路的输入电源电流和输出负载电流都是可以连续的，有利于对输入、

输出进行滤波。

C.升降压斩波电路的输入电源电流和输出负载电流都是可以连续的，有利于对输

入、输出进行滤波。

29.异步调制，表述正确的是：（C）

A.只要载波比N是不变的调制方式称为异步调制。通常载波频率fc固定不变，

信号波频率fr是变化的。

B.载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制。通常载波频率fc、

信号波频率fr都是变化的，载波比N是不变的。

C.载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制。通常载波频率fc

固定不变，信号波频率fr变化时，载波比N是变化的。

30.关于单相半波可控整流电路，表述正确的是：（A）

A.单相半波可控整流电路简单，但整流变压器存在直流磁化现象。

B.单相半波可控整流电路电感性负载时，整流变压器没有直流磁化问题。

C.单相半波可控整流电路电阻性负载时，电流是连续的。

31.关于缓冲电路，表述正确的是：（B）

A.关断缓冲电路指的是di/dt抑制电路。

B.关断缓冲电路指的是du/dt抑制电路。

C.关断缓冲电路指的是di/dt抑制电路和du/dt抑制电路。

答案：B.

解析：无.

32.GTR典型输出特性分为：（B）

A.典型输出特性分三个区：截止区、放大区和非饱和区。

B.典型输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。

C.典型输出特性分三个区：截止区、线性区和非饱和区。

33.关于单相桥式半控整流电路的失控，表述正确的是：（A）

A.单相桥式半控整流电路须有续流通路,否则在带电感负载时，会发生失控现象。

B.单相桥式半控整流电路，在有、没有续流通路的情况下，输出电压波形不一样，

但不会发生失控现象。

C.单相桥式半控整流电路，不能有续流通路，否则，会发生失控现象。

34.关于绝缘栅双极晶体管安全工作区，表述正确的是：（D）

A.相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区与GTR一样。

B.相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区比GTR宽。

C.相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区比GTR窄。

35.双反星形可控整流电路整流变压器，表述正确的是：（A）

A、双反星形为两组三相半波并联，且需用平衡电抗器，每组三相半波整流电路

各承担负载平均电流的1/2,整流变压器不存在直流磁化现象。

B、双反星形为两组三相半波并联，且需用平衡电抗器，每组三相半波整流电路

各承担负载平均电流的1/2,但整流变压器存在直流磁化现象。

C、双反星形为两组三相半波并联，且需用平衡电抗器，每组三相半波整流电路

各承担负载平均电流的1/2,不需要整流变压器。

36.单相交流调压电路的输出电压，表述正确的是：（A）

A.晶闸管单相交流调压电路对晶闸管的a进行控制，调节输出电压。

B.晶闸管单相交流调压电路对晶闸管的导通与关断周期数进行控制，调节输出电

压。

C.晶闸管单相交流调压电路仅对晶闸管的导通周期数进行控制，调节输出电压。

37.晶闸管门极的控制作用，表述正确的是：（A）o

A.晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。

B.晶闸管导通后，门极一旦无电流，则晶闸管就立即关断。

C.晶闸管导通后，门极一旦加反向电压，则晶闸管就立即关断。

38.MOSFET的输出特性分为:（C）

A.MOSFET的输出特性分三个区:截止区、放大区和非饱和区。

B.MOSFET的输出特性分三个区:截止区、放大区和饱和区。

C.MOSFET的输出特性分三个区:截止区、非饱和区和饱和区。

39.电力变换通常包括那几类？（B）

A.AC/DC和DC/AC两大类。

B.AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类

CAC/DC、DC/AC、DC/DC三大类。

40.三相可控整流电路中的整流变压器，表述正确的是：（A）

A.三相可控整流电路中的整流变压器一般采用△/¥或Y/△接法，避免产生3

次谐波，如果为了得到零线，则采用△△接法。

B.三相可控整流电路中的整流变压器一般采用Y/Y或△/△接法，避免产生3次

谐波，如果为了得到零线，则采用Y