半导体行业跟踪报告之十一:存储行业投资机会梳理_第1页
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文档简介

请务必参阅正文之后的重要声明21、存储行业:2024年强劲复苏,有望持续4个季度涨价2、高频数据:2024Q1持续涨价3、存储和AI:应用百花齐放,HBM空间广阔4、投资建议:关注存储全产业链投资机会5、风险提示请务必参阅正文之后的重要声明图

1:存储行业市场规模预测(单位:十亿美元)资料来源:

Gartner《Gartner

2023年10月12日:Semiconductor

&

Electronics

Forecast

Update

3Q23》,光大证券研究所。备注:2017-2022年为实际数据,2023-2027年为Gartner预测数据3表

1:

2023和2024年半导体行业细分领域市场份额和同比增速(单位:%)资料来源:

Gartner《Gartner

2023年10月12日:Semiconductor

&

Electronics

Forecast

Update

3Q23》,光大证券研究所。备注:2023-2024年为Gartner预测数据请务必参阅正文之后的重要声明4存储行业:2023

上半年存储原厂减产力度进一步加强,并尝试上调出厂价格。2022

年下半年开始,在行业景气度下行的背景下,为应对市场疲软态势带来的存储价格持续走跌,大部分存储原厂采取了降低产能利用率、缩减资本开支等方式减少存储位元供给,以缓解供过于求的局面。根据

CFM

闪存市场,铠侠从2022年10月起减产30%,西部数据自2023年1月起减产30%,2023年4月三星宣布减产规划。2023年6月,美光表示其专注于库存管理和控制供应,将DRAM和NAND

晶圆开工率进一步减少至接近30%,预计减产将持续到2024年。2023年5月起,海内外原厂先后涨价3%-5%。长江存储宣布将针对企业级客户调升NAND价格3%-5%。据Digitime报道,三星计划提高NAND晶圆价格,SK海力士已寻求将NAND闪存价格提高5%-8%以试探市场反应,并表示NAND

闪存的价格已降至可变成本以下。表

2:

2023年存储原厂减产措施资料来源:德明利公司公告,光大证券研究所请务必参阅正文之后的重要声明5请务必参阅正文之后的重要声明6表

3:

2021-2024年DRAM和NAND

FLASH价格趋势及预测(单位:%)资料来源:TrendForce统计及预测,光大证券研究所整理DRAM类别种类1Q212Q213Q214Q211Q222Q223Q224Q221Q232Q233Q234Q23(E)1Q24(F)2Q24(F)3Q24(F)4Q24(F)Mobile

DRAMLPDDR3上涨

0-5%LPDDR4X基本持平下跌

8-13%下跌

10-15%下跌

18-23%下跌

13-18%下跌

13-18%下跌

0-5%上涨

18-23%上涨

18-23%LPDDR5(X)上涨

0-5%分立上涨

8-13%上涨

5-15%下跌

3-8%下跌

0-5%eMCP/uMCP基本持平PC

DRAMDDR4上涨

5%上涨

23-28%上涨

3-8%下跌

5-10%下跌

5-10%下跌

3-8%下跌

13-18%下跌

13-18%下跌

15-20%下跌

15-20%下跌

3-8%上涨

3-8%上涨

10-15%DDR5下跌

3-8%下跌

16-20%下跌

18-23%下跌

18%-23%下跌

13-18%上涨

0-5%上涨

10-15%BlendedASP下跌

15-20%下跌

15-20%下跌

15-20%下跌

0-5%上涨

10-15%Server

DRAMDDR4上涨

8%上涨

20-25%上涨

5-10%下跌

3-8%下跌

8-13%下跌

0-5%下跌

10-15%下跌

23-28%下跌

20%-25%下跌

18-23%下跌

3-8%上涨

5-10%上涨

10-15%DDR5下跌

30-35%下跌

23-28%下跌

13-18%下跌

0-5%上涨

0-5%BlendedASP下跌

23-28%下跌

20-25%下跌

15-20%下跌

0-5%上涨

8-13%Graphic

DRAM上涨

5-10%上涨

20-25%上涨

10-15%下跌

0-5%基本持平上涨

0-5%下跌

10-15%下跌

20-25%下跌

18-23%下跌

10-15%下跌

0-5%上涨

8-13%上涨

10-15%Consumer

DRAMDDR3上涨

10%上涨

25-30%上涨

8-13%下跌

3-8%下跌

0-5%上涨

3-8%下跌

13-18%下跌

18-23%下跌

18-23%下跌

10-15%下跌

0-5%上涨

10-15%上涨

8-13%DDR4上涨

5%上涨

20-25%上涨

3-8%下跌

5-10%下跌

3-8%下跌

0-5%上涨

10-15%Blend

DRAM上涨

13-18%上涨

3-8%上涨

8-13%上涨

8-13%Total

DRAM上涨

3-8%上涨

18-23%上涨

3-8%下跌

3-8%下跌

8-13%下跌

0-5%下跌

10-15%下跌

20-25%下跌

20%下跌

13%-18%下跌

0-5%上涨

13-18%上涨

13-18%NAND类别种类1Q212Q213Q214Q211Q222Q223Q224Q221Q232Q233Q234Q23(E)1Q24(F)2Q24(F)3Q24(F)4Q24(F)eMMC/UFSconsumer上涨

0-3%上涨

10-15%上涨

0-5%下跌

5-10%下跌

3-8%上涨

3-8%下跌

13-18%下跌

13-18%下跌10-15%下跌

8-13%基本持平上涨

10-15%上涨

18-23%mobile下跌

5%上涨

5%下跌

0-5%下跌

5-10%上涨

5-10%下跌

15%-20%下跌

5-10%Enterprise

SSD下跌

10-15%上涨

0-5%上涨

13-18%上涨

0-5%下跌

3-8%上涨

3-8%下跌

10-15%下跌

15-20%下跌13-18%下跌

13-18%下跌

8%-13%上涨

10-15%上涨

18-23%Client

SsD下跌

5-10%上涨

5-10%上涨

3-8%下跌

3-8%下跌

3-8%上涨

5-10%下跌

10-15%下跌

15-20%下跌13-18%下跌

15-20%下跌

8-13%上涨

13-18%上涨

15-20%2D

NAND

Package(MLC)持平上涨

5-10%3D

NAND

Wafers(TLC&QLO)上涨

0-3%上涨

5-10%上涨

3-8%下跌

10-15%上涨10-15%下跌8-13%下跌

30-35%下跌

20-25%下跌3-8%下跌

8-13%上涨3-8%上涨

35-40%上涨

8-13%Blend

NAND

Flash下跌

5-10%上涨

5-10%上涨

18-23%上涨

3-8%上涨

8-13%上涨

0-5%Total

NAND

Flash下降

5-10%上涨

5-10%上涨

5-10%下跌

0-5%下跌5-10%上涨3-8%下跌

13-18%下跌

15-20%下跌

10-15%下跌10-15%下跌

5-10%上涨

13-18%上涨

15-20%请务必参阅正文之后的重要声明资料来源:

TrendForce预测,光大证券研究所7据TrendForce集邦咨询数据,DRAM产品合约价自2021年第四季开始下跌,连跌八季,至2023年第四季起涨。NAND

Flash方面,合约价自2022年第三季开始下跌,连跌四季,至2023年第三季起涨。在24年市场需求展望仍保守的前提下,二者价格走势均取决于供应商产能利用率情况。2024Q1:2024年针对第一季价格趋势,TrendForce维持先前预测,DRAM合约价季涨幅约13~18%;NAND

Flash合约价季涨幅约18-23%。2024Q2:虽然目前市场对2024Q2整体需求看法仍属保守,但DRAM与NAND

Flash供应商已分别在2023Q4下旬,以及2024Q1调升产能利用率,加上NAND

Flash买方也早在2024Q1将陆续完成库存回补。因此,DRAM、NAND

Flash在2024Q2合约价季涨幅皆收敛至3~8%。2024Q3:进入传统旺季,需求端预期来自北美云端服务业者(CSP)的补货动能较强,在预期DRAM及NAND

Flash产能利用率均尚未恢复至满载的前提下,两者合约价季涨幅有机会同步扩大至8~13%。其中,DRAM方面,因DDR5及HBM渗透率提升,受惠于平均单价提高,带动DRAM涨幅扩大。2024Q4:第四季在供应商能够维持有效的控产策略的前提下,涨势应能延续,预估DRAM合约价季涨幅约8~13%:DRAM合约价涨幅扩大的原因是来自DDR5与HBM产品市场渗透率上升,若仅观察单一产品,例如DDR5,仍可能出现季跌,意即2024年度的DRAM合约价上涨并非所有颗粒类别全面上扬,而是产品类别逐渐转移之故。NAND

Flash合约价季涨幅则预估0~5%。表

4:

2024Q1~2024Q2

DRAM和NAND

Flash季度合约价涨幅预测请务必参阅正文之后的重要声明表

5:

2023Q4~2024Q1NAND

Flash产品合约价涨幅预测资料来源:

TrendForce统计及预测,光大证券研究所据TrendForce集邦咨询研究显示,尽管适逢传统淡季需求呈现下降趋势,但为避免缺货,买方持续扩大NAND

Flash产品采购以建立安全库存水位,而供应商为减少亏损,对于推高价格势在必行,预估2024年第一季NAND

Flash合约价季涨幅约15~20%。NAND

Flash原厂为减少亏损而急拉价格涨幅,但由于短期内涨幅过高而需求增长相对慢于价格,后续价格上涨仍需仰赖Enterprise

SSD拉货动能恢复。2024年第一季供应商的投产步伐不一,随着部份供应商产能利用率提早拉升,新增位元产出将会自第二季发生,若后续需求位元增长未如预期,将对供应商形成压力,可能导致NAND

Flash下半年价格涨幅收敛。Client

SSD方面,PC

OEM拉货动能预估会在2024年第一季达高峰,另随着PCIe

4.0

SSD渗透率持续上升,部分供应商已经启动制程升级,买方为避免SSD供应青黄不接,均愿意绑定较大需求位元订单。同时,供应商为加速达到损益平衡,大举拉抬PCIe

4.0产品价格,笔电客户被迫接受供应商报价可能性上升,故预估PC

Client

SSD在2024年第一季合约价季涨幅约15~20%。Enterprise

SSD方面,北美CSP采购需求仍未增长,但有来自中国CSP、Server品牌业者的订单支撑,2024年第一季Enterprise

SSD市场需求呈现淡季不淡。整体来看,为建立安全库存水位,买方持续扩大订单,第一季供应商议价态度更强硬,带动Enterprise

SSD合约季涨幅约18~23%。eMMC方面,如智能手机、Chromebook等主要应用的采购需求持续回稳,不论原厂或模组厂均强势拉抬eMMC价格。由于部分原厂积极减产策略延续至第一季,导致小容量产品供应吃紧。买方由于库存偏低,为避免供应短缺,被迫接受涨价。而原厂会根据Wafer价格涨幅,同步调涨eMMC报价。故不论eMMC大小容量及产品应用领域,涨价幅度均高于两成。因此预估24Q1

eMMC合约价季涨幅约18~23%。UFS方面,受原厂限制供应UFS产品并强势抬价影响,智能手机客户库存明显偏低,其中又以采用较高制程的UFS

4.0最为短缺,使2024年第一季智能手机OEM持续扩大订单,以建立安全库存水位。由于UFS

4.0供应商有限,并集中采用先进制程,加上Wafer合约价在2023年第四季涨幅已超过四成,原厂都希望能快速实现损益平衡。而即便卖方仍有足够库存满足市场需求,但UFS各系列产品报价仍都超过三成,故预估2024年第一季UFS合约价季涨幅约18~23%,以Mobile领域产品为首领涨。NAND

Flash

Wafer方面,由于短期涨幅已高,加上第一季需求尚未全面复苏,模组厂开始销售Wafer库存锁定获利及维持营运现金流,导致买方追价意愿降低。即便原厂计划提高价格以提升获利,但2024年第一季NAND

Flash

Wafer合约价季涨幅收敛,预估约8~13%。8请务必参阅正文之后的重要声明表

6:

2023Q4~2024Q1DRAM产品合约价涨幅预测资料来源:

TrendForce统计及预测,光大证券研究所TrendForce集邦咨询表示,2024年第一季DRAM合约价季涨幅约13~18%,其中Mobile

DRAM持续领涨。目前观察,由于2024全年需求展望仍不明朗,故原厂认为持续性减产仍有其必要,以维持存储器产业的供需平衡。PC

DRAM方面,由于DDR5订单需求尚未被满足,同时买方预期DDR4价格会持续上涨,带动买方拉货动能延续,然受到机种逐渐升级至DDR5影响,对DDR4的位元采购量不一定会扩大。不过,由于DDR4及DDR5的售价均尚未达到原厂目标,加上买方仍可接受第一季续涨,故预估整体PC

DRAM合约价季涨幅约10~15%,其中DDR5涨幅会略高于DDR4。Server

DRAM方面,由于23年买方着重加速DDR4去化,导致23Q4

DDR5库存占比已上升至约40%,相较20~25%的市场渗透率,明显看出市场需求仍未全面兑现。然而,原厂持续收敛DDR4供给量,同时为提高获利能力而大幅提高DDR5产出,使24Q1

Server

DRAM合约价季涨幅扩大至10~15%。只是部分原厂较早议定价格,使23年第四季的合约价基准较高,故部分业者2024年第一季价格涨幅约8~13%。Mobile

DRAM方面,由于合约价格仍在历史相对低点,买方更倾向持续建立安全且相对低价的库存水位,因此不断放大购货需求,故第一季Mobile

DRAM需求不减。由于买方积极采购,供需转为紧张,但碍于智能手机市场后续仍有不确定性,原厂亦不敢贸然恢复满产。另一方面,半导体制程耗时较长,短期内供需紧张态势难以缓解,将有利原厂价格拉抬。因此,预估2024年第一季Mobile

DRAM合约价季涨幅约18~23%,且不排除在寡占市场格局或是品牌客户恐慌追价的情况下,季涨幅有扩大可能。Graphics

DRAM方面,由于在涨势延续的氛围下,买方也持续备货,故主流规格GDDR6

16Gb需求仍强,采购心态普遍愿意接受上涨,预估第一季Graphics

DRAM合约价季涨幅约10~15%。TrendForce集邦咨询观察,短期内Graphics

DRAM没有跌价迹象,目前拉货动能主要受到买方提前备货所带动,加上Graphics

DRAM属于浅盘市场产品,故需特别留意后续终端消费性电子产品的销售动能是否能跟上。Consumer

DRAM方面,因原厂强势拉抬合约价格,促使买方提前备货,拉货动能好转。然而,2024年第一季适逢产业淡季,预期在终端销售疲弱的情况下,买方因提前备货的策略导致库存上升。原厂普遍认为,2024年受HBM及DDR5的渗透逐季扩大影响,低毛利的DDR4产能将被排挤而形成缺货,故DDR4在2024年第一季合约价季涨幅会较DDR3高,约10~15%。DDR3仍有厂商持续供应,且普遍库存水位仍高,2024年第一季合约价季涨幅约8~13%。9请务必参阅正文之后的重要声明资料来源:

TrendForce统计及预测,光大证券研究1所0TrendForce集邦咨询表示,预期2024年存储器原厂对于DRAM与NAND

Flash的减产策略仍将延续,尤其以亏损严重的NAND

Flash更为明确。预估在2024上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗,通用型服务器的资本支出仍受到AI服务器排挤而显得相对需求疲弱。鉴于2023年基期已低,加上部分存储器产品价格已来到相对低点,预估DRAM及NAND

Flash需求位元年增长率分别有13.0%及16.0%。不过,尽管需求位元有回升,24年若要有效去化库存,并回到供需平衡状态,重点还是仰赖供应商对于产能有所节制,若供应商产能控制得宜,存储器均价则有机会反弹。PC方面,PC

DRAM平均搭载容量年增长率约12.4%,主要是预期24年随着搭载Intel新CPU

Meteor

Lake机种的量产,基于该平台仅支持DDR5与LPDDR5的特点,将促使DDR5在24下半年超越DDR4成为主流。PC

Client

SSD的成长则不如PC

DRAM,平均搭载容量年增长率预估约8~10%。由于多数消费者逐渐转向云端作业,对配有大容量储存空间的笔电需求渐少,即便1TB机种增加,512GB机种仍是消费主流。此外,由于原厂透过大幅度减产维稳价格,一旦价格触底反弹,PC

OEMSSD成本将上升,加上Windows操作系统针对1TB以上容量要提高授权费,均不利于后续搭载容量增长。服务器方面,Server

DRAM平均搭载容量年增长率预估可达17.3%,主要受益于服务器平台进入世代转换、CSP部分业务对于CPU核心匹配RAM的依赖度提升,以及AI服务器算力负载量需求高等。Enterprise

SSD平均搭载容量年增长率预估约14.7%。随着支援PCIe

5.0的处理器平台出货放量,OEM

CSP的库存有望在24年初回归正常,后续将提高8TB产品的采购。受益于NAND

Flash价格大幅滑落,服务器品牌端将持续推升16TB的搭载量。智能手机方面,受全球经济疲软影响,预估2024年生产量年增长率仅约2.2%,TrendForce集邦咨询认为这是拖累需求位元增长的主因。连续数个季度的存储器价格下滑,开启品牌在硬件上的竞赛,因此预估2023年智能手机平均搭载容量年增约14.3%。2024年由于Mobile

DRAM平均销售单价仍处于相对低点,预估将延续此态势,全年单机搭载容量有机会再增长7.9%。UFS及eMMC方面,影像储存需求、5G渗透率提高等将会带动智能手机平均搭载容量提升。但在原厂减产以酝酿涨价的情况下,智能手机OEM成本控管更谨慎,24年中低端机种1TB以上的规划可能减少。此外,由于QLC产品尚未获得智能手机OEM青睐,不利于原厂透过低成本产品引导客户升级容量。24年随着智能手机容量基期增加,加上苹果暂无规划高于1TB容量的iPhone机种,因此TrendForce预估智能手机平均储存容量年增长率约13.0%。表

7:2020-2024年DRAM及NANDFlash供给和需求位增长率预估请务必参阅正文之后的重要声明11NAND

Flash销售收入1Q222Q223Q224Q221Q232Q233Q234Q23Samsung6,2862,7554,3353,5472,9352,7552,9604,336Kioxia3,3881,8302,8361,9671,8531,8301,6851,781SKhynix+Solidigm3,2041,6662,5451,7621,3181,6661,8842,449WD2,2431,3771,7221,6571,3071,3771,5561,665Micron1,9471,0131,6881,1038851,0131,2051,230Others542487699462296487522715总共17,6109,12813,82510,4988,5949,1289,81212,226QoQ-4%-48%51%-24%-18%6%7%25%NAND

Flash市场份额1Q222Q223Q224Q221Q232Q233Q234Q23Samsung35.70%30.20%31.40%33.80%34.20%30.20%30.20%35.40%Kioxia19.20%20.00%20.50%18.70%21.60%20.00%17.20%14.60%SKhynix+Solidigm18.20%18.30%18.40%16.70%15.30%18.30%19.20%20.40%WD12.70%15.10%12.50%15.80%15.20%15.10%15.90%13.60%Micron11.10%11.10%12.20%10.50%10.30%11.10%12.30%10.10%Others3.10%5.30%5.10%4.40%3.40%5.30%5.30%5.80%表

8:

NAND

Flash销售收入和市场份额(单位:百万美元,%)据CFM闪存市场数据显示,2023年四季度全球NAND

Flash市场规模环比提升25%至122.3亿美元。TrendForce集邦咨询认为,NAND

Flash产业营收增长主要受益于终端需求因年终促销回温,加上零部件市场因追价而扩大订单动能,位元出货较23年同期旺盛;同时企业方面持续释放2024年需求表现优于2023年的看法,且启动策略备货带动。展望2024年第一季,在供应链库存水位已大幅改善以及价格仍处于上涨的态势下,

客户为避免供货短缺及成本垫高的风险,

持续增加采购订单。因此尽管第一季为传统淡季,但受惠订单规模持续放大,

激励NANDFlash

合约价平均涨幅高达

25%

故TrendForce预估1Q24NAND

Flash产业营收仍会季增两成。4Q23营收中,三星增长幅度最高,主要是服务器、笔电与智能手机需求均大幅增长,即使并未完全满足客户订单数量位元出货量,但季增仍达35%,平均销售价格季涨12%,带动营收增长;SK集团受益于价格大幅回升,4Q23营收季增较大。西部数据4Q23位元出货量季减2%,平均售价季增10%,带动NAND

Flash部门实现营收16.7亿美元,季增7%。据了解,4Q23零售市场SSD受益于价格反弹,刺激出货大幅增长,库存水位甚至下滑至过去四年来的历史新低;铠侠获PC及智能手机客户备货订单,位元出货小幅增长。由于产业在2023年面临最严峻的供过于求市况,虽然4Q23价格攀升近一成,但美光为了改善获利,明显减量供应,位元出货量季跌逾10%。此外,据TrendForce集邦咨询了解,美光认为24年NAND

Flash需求位元须年增15~20%,且要加上产能持续调控,在供给位元与需求位元的平衡下,产业才能有机会出现获利可能。

资料来源:CFM闪存市场,光大证券研究所请务必参阅正文之后的重要声明12表

9:

DRAM销售收入和市场份额(单位:百万美元,%)DRAM销售收入1Q222Q223Q224Q221Q232Q233Q234Q23Samsung10,3964,0717,0755,4054,0654,0715,1367,635SK

hynix6,5613,4475,2633,4072,3153,4474,6675,601Micron5,6842,6724,8092,8292,7222,6722,7553,427Nanya713229363253212229243276Winbond248102151106101102112134Others331155212155113155150185合计23,93310,67617,87312,1559,52810,67613,06317,258QoQ-3%-55%67%-32%-22%12%22%32%DRAM市场份额,1Q222Q223Q224Q221Q232Q233Q234Q23Samsung43.40%38.10%39.70%44.50%42.70%38.10%39.30%44.20%SK

hynix27.40%32.20%29.50%28.00%24.30%32.20%35.70%32.50%Micron23.70%25.00%26.90%23.30%28.50%25.00%21.10%19.90%Nanya3.00%2.10%2.00%2.10%2.20%2.10%1.90%1.60%Winbond1.00%1.00%0.80%0.90%1.10%1.00%0.90%0.80%Others1.40%1.50%1.20%1.30%1.20%1.50%1.10%1.10%资料来源:CFM闪存市场,光大证券研究所据CFM闪存市场数据显示,2023年四季度全球DRAM市场规模环比增长32%至172.58亿美元。TrendForce集邦咨询认为,

DRAM产业营收增长受惠于备货动能回温,以及三大原厂控产效益显现,主流产品的合约价格走高等。目前观察24年第一季DRAM市场趋势,原厂目标仍为改善获利,涨价意图强烈,促使DRAM合约价季涨幅近两成,然出货位元面临传统淡季而略微衰。4Q23营收方面,三星营收增速最高,季增幅度约五成,主要受益于1alpha

nm

DDR5出货拉升,使得Server

DRAM的出货位元季增超过60%。SK海力士虽然出货位元季增仅1~3%,然持续受惠于HBM、DDR5的价格优势,以及来自于高容量Server

DRAM模组的获利,平均销售单价季增17~19%。美光量价齐升,出货位元及平均销售单价均季增4~6%,DDR5与HBM比重相对低,故营收增长幅度较为和缓。产能规划方面,三星23年第四季大幅减产,在库存压力改善后,24年第一季投片开始回升,稼动率约为80%。随着进入24年下半年旺季需求预期将较上半年明显增温,产能会持续拉高至24年第四季度。SK海力士则积极扩张HBM产能,投片量缓步增加,随着HBM3e量产后,相关先进制程投片亦持续上升。美光投片量有回温趋势,后续将积极增加其先进制程1beta

nm

比重,

用于生产HBM

、DDR5

与LPDDR5(X)产品,因先进制程的设备增加,届时产能将较为收敛。南亚科量价齐升,其中Consumer

DRAM终端销售动能回升较缓,主要来自价格回升所带动的备货动能。华邦因KH厂新增产能开出,销售目标以去化库存、扩大客户群为主,并未调涨合约价格,出货表现积极。力积电(PSMC)受惠于现货、合约价格陆续上涨,客户端的备货力道提升,加上出货基期低,

4Q23

DRAM营收增长高达110%,达3,900万美元,若加计代工,合计营收季增11.6%。请务必参阅正文之后的重要声明131、存储行业:2024年强劲复苏,有望持续4个季度涨价2、高频数据:2024Q1持续涨价3、存储和AI:应用百花齐放,HBM空间广阔4、投资建议:关注存储全产业链投资机会5、风险提示14请务必参阅正文之后的重要声明资料来源:

DRAMexchange,光大证券研究所;数据截至2024年3月15日根据DRAMexchange

数据1)DDR3,2Gb,256Mx8,1600/1866该料号于2021年7月见顶,高点价格3.14美元,于2023年8月见底,低点价格0.95美元;目前价格1.13美元,较底部上涨18.5%;较2024年1月1日上涨8.3%。2)DDR3,4Gb,256Mx16,1600/1866该料号于2021年3月见顶,高点价格3.74美元,于2023年8月见底,低点价格0.93美元;目前价格1.04美元,较底部上涨12.0%;较2024年1月1日上涨4.2%。图

2:各类DDR3价格走势(单位:美元) 图3:

DDR3,2Gb,256Mx8,1600/1866价格走势(单位:美元)

图4:

DDR3,4Gb,256Mx8,1600/1866价格走势(单位:美元)15请务必参阅正文之后的重要声明资料来源:

DRAMexchange,光大证券研究所;数据截至2024年3月15日根据DRAMexchange

数据1)DDR4,4Gb,512Mx8,2400/2666该料号于2021年7月见顶,高点价格3.89美元,于2023年9月见底,低点价格1.00美元;目前价格1.22美元,较底部上涨21.6%;较2024年1月1日上涨6.8%。2)DDR4,8Gb,512Mx16,3200该料号于2021年5月见顶,高点价格3.97美元,于2023年9月见底,低点价格1.44美元;目前价格1.79美元,较底部上涨24.4%;较2024年1月1日上涨7.8%。图

5:各类DDR4价格走势(单位:美元) 图

6:DDR4,4Gb,512Mx8,2400/2666价格走势(单位:美元) 图

7:DDR4,8Gb,512Mx8,3200价格走势(单位:美元)请务必参阅正文之后的重要声明16资料来源:

新华财经,光大证券研究所;数据截至2024年3月4日根据新华财经数据GDDR5:8Gb该料号于2022年3月见顶,高点价格8.47美元,于2023年4月见底,低点价格3.08美元,目前价格3.54美元,较底部上涨14.9%;较2024年1月1日上涨4.4%。GDDR6:8Gb该料号于2022年3月见顶,高点价格10.56美元,于2023年9月见底,低点价格2.94美元,目前价格2.96美元,较底部上涨0.7%

;较2024年1月1日上涨4.4%

。GDDR6:16Gb该料号于2022年3月见顶,高点价格14.87美元,于2023年9月见底,低点价格6.34美元,目前价格8.28美元,较底部上涨30.6%;较2024年1月1日上涨19.7%。图

8:GDDR5:8Gb价格走势(单位:美元) 图

9:GDDR6:8Gb价格走势(单位:美元) 图

10:GDDR6:16Gb价格走势(单位:美元)请务必参阅正文之后的重要声明17资料来源:

新华财经,光大证券研究所;数据截至2024年3月15日图

11:各类利基型合约价格走势(单位:美元)图

12:利基型DDR3:4Gb,256Mx16合约价格走势(单位:美元)图

13:利基型DDR4:4Gb,256Mx16合约价格走势(单位:美元)根据新华财经数据利基型DRAM:DDR3:4Gb,256Mx16该料号于2022年4月见顶,高点价格2.77美元,于2023年9月见底,低点价格1.02美元;目前价格1.21美元,较底部上涨18.6%;较2024年1月1日上涨10.0%

。利基型DRAM:DDR4:4Gb,256Mx16该料号于2021年8月见顶,高点价格2.78美元,于2023年9月见底,低点价格1.02美元;目前价格1.27美元,较底部上涨24.5%;较2024年1月1日上涨13.4%。请务必参阅正文之后的重要声明资料来源:

DRAMexchange,光大证券研究所;数据截至2024年3月15日18根据DRAMexchange

数据DDR5,16G,2G*8,4800/5600:该料号于2023年8月见底,低点价格3.88美元,目前价格4.70美元,较底部上涨21.2%;较2024年1月1日上涨10.7%。图

14:DDR5,16Gb,2Gx8,4800/5600价格走势(单位:美元)19请务必参阅正文之后的重要声明资料来源:

DRAMexchange,光大证券研究所;数据截至2024年3月15日图

15:各类SLC价格走势(单位:美元)图

16:

SLC,2Gb,256MBx8价格走势(单位:美元)图

17:

SLC,16Gb,2GBx8价格走势(单位:美元)根据DRAMexchange数据SLC,2Gb,256MBx8该料号于2022年5月见顶,高点价格1.37美元,于2023年9月见底,低点价格0.76美元;目前价格0.79美元,较底部上涨4.1%;较2024年1月1日上涨2.7%。SLC,16Gb,2GBx8该料号于2021年9月见顶,高点价格12.22美元,目前价格持平企稳。请务必参阅正文之后的重要声明20资料来源:

DRAMexchange,光大证券研究所;数据截至2024年3月15日根据DRAMexchange数据MLC,128Gb,16GBx8该料号于2022年6月见顶,高点价格8.28美元,于2023年6月见底,低点价格6.30美元;目前价格6.40美元,较底部上涨1.7%;较2024年1月1日上涨0.8%。MLC,256Gb,32GBx8该料号于2022年5月见顶,高点价格16.59美元,于2023年6月见底,低点价格11.16美元;目前价格11.47美元,较底部上涨2.8%;较2024年1月1日上涨0.5%。图

18:各类MLC价格走势(单位:美元) 图

19:

MLC,128Gb,16GBx8价格走势(单位:美元) 图

20:

MLC,256Gb,16GBx8价格走势(单位:美元)21请务必参阅正文之后的重要声明资料来源:

新华财经,光大证券研究所;数据截至2024年2月26日根据新华财经数据Wafer:256Gb,TLC该料号于2021年5月见顶,高点价格2.71美元,于2023年7月见底,低点价格0.93美元;目前价格1.77美元,较底部上涨90.3%;较2024年1月1日上涨13.5%。Wafer:512Gb,TLC该料号于2021年5月见顶,高点价格4.97美元,于2023年8月见底,低点价格1.40美元;目前价格3.44美元,较底部上涨145.7%;较2024年1月1日上涨9.9%。图

21:各类Wafer价格走势(单位:美元) 图

22:Wafer:256Gb,TLC价格走势(单位:美元) 图

23:

Wafer:512Gb,TLC价格走势(单位:美元)请务必参阅正文之后的重要声明营业收入公司20A21A22A23A24E25E财报截至日期09/03/202009/02/202109/01/202208/31/202308/31/202408/31/2025美光21,435.027,705.030,758.015,540.024,146.234,559.0YoY(%)-8.4%29.3%11.0%-49.5%55.4%43.1%财报截至日期12/31/202012/31/202112/31/202212/31/202312/31/202412/31/2025三星201,062.2244,312.1234,593.1198,277.1226,811.1251,067.3YoY(%)2.8%18.1%8.1%-14.3%14.4%10.7%财报截至日期12/31/202012/31/202112/31/202212/31/202312/31/202412/31/2025海力士27,085.237,570.534,635.425,090.042,901.552,326.2YoY(%)18.2%34.8%3.8%-26.6%71.0%22.0%资料来源:

Bloomberg,光大证券研究所;注:24-25年数据为Bloomberg一致预期表

10:2020-2025年海外存储龙头公司年度营收(单位:百万美元,%)请务必参阅正文之后的重要声明净利润-Non

GAAP公司20A21A22A23A24E25E财报截至日期09/03/202009/02/202109/01/202208/31/202308/31/202408/31/2025美光2,953.06,351.18,970.8-5,375.5336.18,317.5YoY(%)-56.2%115.1%41.2%/87.8%237.95%财报截至日期12/31/202012/31/202112/31/202212/31/202312/31/202412/31/2025三星19,399.229,960.837,277.39,730.522,116.531,577.9YoY(%)21.9%50.1%40.1%-73.5%127.3%42.8%财报截至日期12/31/202012/31/202112/31/202212/31/202312/31/202312/31/2024海力士2,931.97,980.42,931.7-6,977.76,495.810,470.9YoY(%)62.3%164.5%-58.6%//61.2%表

11:2020-2025年海外存储龙头公司年度净利润(单位:百万美元,%)资料来源:

Bloomberg一致预期,光大证券研究所;注:24-25年数据为Bloomberg一致预期请务必参阅正文之后的重要声明营业收入公司21Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q1财报截至日期03/04/202106/03/202109/02/202112/02/202103/03/202206/02/202209/01/202212/01/202203/02/202306/01/202308/31/202311/30/202302/29/2024美光6,236.07,422.08,274.07,687.07,786.08,642.06,643.04,085.03,693.03,752.04,010.04,726.05,824.0YoY(%)30.0%36.5%36.6%33.2%24.9%16.4%-19.7%-46.9%-52.6%-56.6%-39.6%15.7%44.3%QoQ(%)19.0%11.5%-7.1%1.3%11.0%-23.1%-38.5%-9.6%1.6%6.9%17.9%23.2%财报截至日期03/31/202106/30/202109/30/202112/31/202103/31/202206/30/202209/30/202212/31/202203/31/202306/30/202309/30/202312/31/2023三星58,671.656,782.863,786.364,681.064,529.761,219.757,270.351,975.949,970.645,608.951,326.251,344.6YoY(%)26.4%30.7%13.1%17.4%10.0%7.8%-10.2%-19.6%-22.6%-25.5%-10.4%-1.2%QoQ(%)-3.2%12.3%1.4%-0.2%-5.1%-6.5%-9.2%-3.9%-8.7%12.5%0.0%财报截至日期03/31/202106/30/202109/30/202112/31/202103/31/202206/30/202209/30/202212/31/202203/31/202306/30/202309/30/202312/31/2023海力士7,621.69,204.910,178.810,455.510,084.710,951.68,192.05,678.63,988.65,552.76,904.08,564.1YoY(%)26.2%30.4%48.7%46.6%32.3%19.0%-19.5%-45.7%-60.4%-49.3%-15.7%50.8%QoQ(%)20.8%10.6%2.7%-3.5%8.6%-25.2%-30.7%-29.8%39.2%24.3%24.0%资料来源:

Bloomberg,光大证券研究所

注:截至2023年3月25日,美光发布截至2024年2月29日的经营数据表

12:2021-2023年海外存储龙头公司季度营收(单位:百万美元,%)请务必参阅正文之后的重要声明净利润-Non

GAAP公司21Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q1财报截至日期03/04/202106/03/202109/02/202112/02/202103/03/202206/02/202209/01/202212/01/202203/02/202306/01/202308/31/202311/30/202302/29/2024美光763.02,054.52,698.22,372.32,343.72,809.51,512.8-149.6-2,191.6-1,704.8-1,308.1-1,048.0476.0YoY(%)74.5%136.2%133.3%189.7%207.2%36.7%-43.9%//////QoQ(%)169.3%31.3%-12.1%-1.2%19.9%-46.2%//////财报截至日期03/31/202106/30/202109/30/202112/31/202103/31/202206/30/202209/30/202212/31/202203/31/202306/30/202309/30/202312/31/2023三星5,548.17,345.49,080.57,888.28,083.87,609.65,987.315,237.7949.31,028.73,695.14,007.8YoY(%)45.1%70.7%29.2%66.5%57.6%16.5%-23.8%121.2%-87.6%-85.9%-39.6%-74.4%QoQ(%)32.4%23.6%-13.1%2.5%-5.9%-21.3%154.5%-93.8%8.4%259.2%8.5%财报截至日期03/31/202106/30/202109/30/202112/31/202103/31/202206/30/202209/30/202212/31/202203/31/202306/30/202309/30/202312/31/2023海力士888.71,769.62,854.72,801.61,645.32,280.9829.4-2,749.6-2,022.7-2,273.3-1,663.2-1,028.0YoY(%)56.5%56.4%205.4%87.4%100.2%45.0%-66.4%/////QoQ(%)99.1%61.3%-1.9%-41.3%38.6%-63.6%/////表

13:2021-2023年海外存储龙头公司季度NonGAAP净利润(单位:百万美元,%)资料来源:

Bloomberg,光大证券研究所

注:截至2023年3月25日,美光发布截至2024年2月29日的经营数据请务必参阅正文之后的重要声明毛利率公司21Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q1财报截至日期03/04/202106/03/202109/02/202112/02/202103/03/202206/02/202209/01/202212/01/202203/02/202306/01/202308/31/202311/30/202302/29/2024美光26%42%47%46%47%47%39%22%-33%-18%-11%-1%19%YoY(%)(6.39)29.9138.4654.2278.5410.86(16.52)(52.86)(79.87)(64.49)(50.32)(22.60)51.19QoQ(%)15.675.16(0.90)0.84(0.52)(7.22)(17.61)(54.52)14.856.9610.1119.27财报截至日期03/31/202106/30/202109/30/202112/31/202103/31/202206/30/202209/30/202212/31/202203/31/202306/30/202309/30/202312/31/2023三星37%42%42%41%39%40%37%31%28%31%31%32%YoY(%)(1.49)5.094.227.048.07(4.11)(11.00)(24.96)(29.52)(23.64)(17.53)3.14QoQ(%)5.250.23(0.72)(1.81)0.59(2.68)(6.40)(3.16)2.770.241.13财报截至日期03/31/202106/30/202109/30/202112/31/202103/31/202206/30/202209/30/202212/31/202203/31/202306/30/202309/30/202312/31/2023海力士32%42%49%49%44%46%35%0%-32%-16%1%20%YoY(%)5.378.1241.1060.7338.339.15(28.74)(99.92)(32.38)16.21(97.99)48998.54QoQ(%)9.927.35(0.49)(4.47)1.45(10.69)(35.16)(32.38)16.2116.8318.98表

14:2021-2023年海外存储龙头公司季度毛利率(单位:%)资料来源:

Bloomberg,光大证券研究所

注:截至2023年3月25日,美光发布截至2024年2月29日的经营数据PSPE公司20A21A22A23A24E25E20A21A22A23A24E25E财报截至日期09/03/202009/02/202109/01/202208/31/202308/31/202408/31/202509/03/202009/02/202109/01/202208/31/202308/31/202408/31/2025美光644854412014//18财报截至日期12/31/202012/31/202112/31/202212/31/202312/31/202412/31/202512/31/202012/31/202112/31/202212/31/202312/31/202412/31/2025三星21122118129361611财报截至日期12/31/202012/31/202112/31/202212/31/202312/31/202312/31/202412/31/202012/31/202112/31/202212/31/202312/31/202312/31/2024海力士322322291129/138请务必参阅正文之后的重要声明资料来源:

Bloomberg,光大证券研究所;注:24-25年数据为Bloomberg一致预期表

15:2020-2025年海外存储龙头公司估值请务必参阅正文之后的重要声明图

24:

2017年-2024年2月台湾存储行业月度营收同环比增长率资料来源:

Wind,光大证券研究所整理我们选取存储公司南亚科技、华邦电子、旺宏、亿而得、力旺电子、钰创科技、晶豪科技、爱普科技、安国国际、点序、矽统科技、品安、十铨、广颖电通、宇瞻科技、立达国际、创见资讯、威刚科技、福懋科技、力成、华东作为台湾存储行业的观测指标。2024年2月台湾存储行业营收263.53亿台币,同比增长13%。请务必参阅正文之后的重要声明2023/22023/32023/42023/52023/62023/72023/82023/92023/102023/112023/122024/12024/2-67%-69%-68%-66%-63%-53%-45%-25%-15%-4%4%32%36%51%2408.TW

南亚科技2344.TW

华邦电子-44%-33%-25%-36%-30%-22%-15%-13%-8%1%-2%0%31%8%2337.TW

旺宏-41%-43%-34%-22%-36%-45%-39%-40%-42%-35%-29%-13%-16%36%-35%-50%-15%-46%-12%-14%-30%-30%-15%-46%-40%11%27%-9%-10%5%-25%9%-4%-13%10%74%64%-5%5%7%15%23%-70%-64%-63%-44%-47%-39%-27%-29%-13%6%15%-54%-43%-43%-49%-45%-34%-40%-18%-19%-3%17%20%19%72%38%-64%-50%-44%-34%-17%-35%9%2%1%28%26%69%-6%20%10%16%19%-10%-9%179%2%17%30%2%-1%-4%-23%-25%-21%-7%-3%-4%19%-2%19%14%23%12%28%3%-38%-23%-45%-41%-43%-26%-36%-29%-46%-45%71%504%3%4%-49%70%-12%-14%1%-26%-2%-20%17%-26%-20%-3%-29%-21%-36%-20%-24%-13%490%121%208%84%152%113%221%250%201%102%56%-3%26%0%20%7%4%15%27%10%10%11%-13%2%20%1%-39%-13%6%-30%-8%-27%-22%-6%-13%-14%10%-9%25%4%-18%21%11%15%43%28%65%33%36%56%101%-18%-13%-21%-13%-2%6423.TWO

亿而得3529.TWO

力旺电子5351.TWO

钰创科技3006.TW

晶豪科技6531.TW

爱普科技8054.TWO

安国国际6485.TWO

点序2363.TW

矽统科技8088.TWO

品安4967.TW

十铨4973.TWO

广颖电通8271.TW

宇瞻科技5262.TWO

立达国际2451.TW

创见资讯3260.TWO

威刚科技-35%-34%-23%-22%-16%-22%-23%-27%-13%-24%-15%-1%0%4%-2%0%33%1%40%56%21%13%34%67%37%64%-13%-11%-22%-39%-44%-32%-26%-18%-21%-31%-33%-23%-32%-28%-26%-27%-20%-12%-10%-8%8%12%存储DRAM

IDM存储

DARM

NAND

NORIDM存储

NAND

NORNVM

IPNVM

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