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基于SOI上微环相位传感器及微流通道的工艺研究的中期报告中期报告：基于SOI上微环相位传感器及微流通道的工艺研究一、研究背景和目的随着科技的飞速发展，微纳技术被广泛应用于各种领域，其中包括微电子领域。在微电子领域，相位传感器及流量传感器是目前发展比较成熟的领域之一。传统相位传感器及流量传感器通常采用MEMS技术制作，但是由于制造难度大、成本高的原因，其在实际应用中受限较大。针对传统相位传感器及流量传感器的缺点，本研究采用SOI技术制作微环相位传感器及微流通道。SOI技术具有制造难度小、成本低、体积小、性能稳定等优点，能够满足微电子领域对传感器的高性能、低成本、小体积等多重需求。本研究主要探究基于SOI上微环相位传感器及微流通道的工艺研究。二、研究内容和进展情况1.微环相位传感器的制作a.设计图纸根据微环相位传感器的原理，设计出传感器的电路原理图和布局图，并通过仿真软件进行仿真验证。b.SOI晶片制备采用SOI技术制作晶片，将SOI晶片进行清洁、制备硅层、制备二氧化硅层等工序，得到平稳、干净的晶片基板。c.硅溅射通过硅溅射技术，在晶片上沉积层厚度约为400nm的单晶硅薄膜。d.光刻在硅薄膜表面进行光刻，制作出微环结构。e.电极制作将金属制成电极，在晶片上形成微环电极。f.清洗和检验清洗晶片，并对其进行检验和测试。2.微流通道的制作a.设计图纸根据微流通道的原理，设计出流通道的电路原理图和布局图，并通过仿真软件进行仿真验证。b.SOI晶片制备采用SOI技术制作晶片，将SOI晶片进行清洁、制备硅层、制备二氧化硅层等工序，得到平稳、干净的晶片基板。c.光刻和电极制作在晶片表面进行光刻，在电极处进行金属沉积，形成微流通道的电极。d.清洗和检验清洗晶片，并对其进行检验和测试。三、存在的问题和解决办法1.制作微环相位传感器时，电极之间的间距较小，容易出现电极间短路问题。解决办法是对晶片进行清洗和检验，在测试时加强电流控制。2.制作微流通道时，由于光刻工艺复杂度较高，容易造成光掩膜偏差。解决办法是通过反复试验和优化，精细制作光掩膜。四、研究展望目前，本研究已完成微环相位传感器和微流通道的制作，初步测试结果表明其性能良好。接下来，我们将进行更加深入的研究，探究微环相位传感器的灵敏度和稳定性等性能指标，并进一步优化微流通道的设计和制

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