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文档简介

29.045

82NXCL

T/NXCL

200

mm

重掺锑直拉硅单晶抛光片200

heavily

antimony-doped

single

crystaline

Czochralski

silicon

polished

wafer 宁夏材料研究学会  发

布T/NXCL

0162022

1.1—2020

T/NXCL

0162022

mm

本文件规定了200

重掺锑直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为200

的重掺锑硅单晶的

12963—2014

26

28

679

<100><111>

0.151.4<100><110>deg90+5/-1deg1515Warp-bf200.35deg100.25100.0810001.0×1010FeZn

1.510FeZn

10.5Sb0.02T/NXCL

0162022

12963—20144.2表1

硅抛光片的导电类型、掺杂元素、电阻率及其径向变化应符合表

表1

表2

表2

的规定。

硅抛光片的间隙氧含量应不大于17

，氧含量的径向变化具体指标应不大于10%，或由供需双

0.5

）每种元素应不大于原子数，体金属（铁）含量应不大于原子数，或硅抛光片的几何参数应符合表的规定，表3未包含参数或对表中参数有其他要求时，由供需双方表3

表3

SP-10.16/45

0.2/180.3/9100.35degT/NXCL

0162022硅抛光片表面质量（包含正面和背面）应符合表的规定，其中对颗粒的要求可由供需双方协商确表4

表4

硅片经边缘倒角及边缘抛光，抛光处理后的边缘轮廓应符合

26的要求，特殊要求可由供需双

1550

6616

1557

1558

679

4058

6624

1.01.01.01.01.01.01.01.01.0101.0112.0T/NXCL

0162022

26

25

7.2.2.1

每批产品应对电阻率、厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、总平整度、表面质量（除局部7.2.2.2

导电类型、径向电阻率变化、局部平整度、氧化诱生缺陷、表面金属、边缘轮廓、局部光散

7.2.3.1

7.2.3.2

7.2.4.1

表5

表5

7.2.4.2

氧化诱生缺陷、表面金属、边缘轮廓、局部光散射体（颗粒）、雾、背表面处理的检验结果7.2.4.3

抽检不合格的产品，供方可对不合格项进行全数检验，除去不合格品后，合格品可以重新组

a)

T/NXCL

0162022b)

c)

d)

e)

a)

对电阻率围、径向阻率变化厚度、总度变化、曲度、翘度、总平度、目检面质量、部平整度局部光散体（颗粒等项目，从出厂检合格的产中抽取，

25

b)

对直径、向及晶向离度、参面位置和向、切口寸、边缘廓、导电型、氧化

a)

b)

c)

d)

28a)

b)

c)

d)

e)

f)

g)

10

T/NXCL

0162022在本文件的包装方式条件，以及在上述要求的储

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