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文档简介

部分习题解答部分物理常数：shanren第

2章1、在N区耗尽区中，高斯定理为：

取一个圆柱形体积，底面在PN结的冶金结面（即原点）处，面积为一个单位面积，顶面位于x处。则由高斯定理可得：当x=xn

时，E(x)=0，因此，于是得：

（2-5a）shanren3、shanren4、shanren6、

ND2

ND1

shanrenshanren8、(1)shanrenshanren(2)shanrenshanren20、shanren24、PN

结的正向扩散电流为式中的I0因含ni2而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为于是PN

结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为shanren31、当N-

区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为：

当N-

区缩短到W=3

m时，雪崩击穿电压成为：shanren34、shanren39、shanren第3章1、NPN缓变基区晶体管在平衡时的能带图NPN缓变基区晶体管在放大区时的能带图shanren2、NPN缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图shanren3、shanren6、shanren7、8、以NPN管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时，由式（3-33a）和式（3-33b），再根据注入效率的定义，可得：shanren9、shanren10、(1)(2)(3)(4)shanren14、shanren15、shanren20、当忽略基区中的少子复合及ICEO

时，shanrenshanren27、实质上是ICS

。22、shanren

使NB>>NC

，这样集电结耗尽区主要向集电区延伸，可使基区不易穿通。39、为提高穿通电压Vpt，应当增大WB

和NB，但这恰好与提高β相矛盾。解决方法：shanren48、

当

IE很大时，这时α0<α

；

当IE

很小时，这时α0>α

；

在

IE

很小或很大时，α都会有所下降。

在正常的IE

范围内，α几乎不随IE

变化，这时

β0

与β

也有类似的关系。shanren58、shanrenshanren59、shanren65、(1)(3)(2)(4)shanren68、shanren第5章1、shanren3、shanr

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