MOOC 半导体物理与器件-南京邮电大学 中国大学慕课答案

MOOC半导体物理与器件-南京邮电大学中国大学慕课答案本章测验1、问题：电子的德布罗意波长的数量级大约为？选项：A、B、C、D、正确答案:【】2、问题：波函数的模方表示？选项：A、粒子的概率密度分布函数B、粒子的动量C、粒子的能量D、粒子的角动量正确答案:【粒子的概率密度分布函数】3、问题：假设粒子在一维无限深势阱中运动，势阱宽度为a。当粒子处于基态时，在x=0到x=a之间找到粒子概率最大的地方在（）处。选项：A、0B、a/4C、2/aD、a正确答案:【2/a】4、问题：可以同时确定一微观粒子的坐标和动量？选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题：对微观粒子，讨论其运动轨道是有意义的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】6、填空题：根据德布罗意关系式，波长越短，能量越?(填“高”或“低”)正确答案:【高】7、填空题：戴维逊-革末实验验证了电子的？（填“波动性”或“粒子性”）正确答案:【波动性】8、填空题：将波函数乘上一个常数后，所描写的粒子状态是否发生改变？（填“不变”或“改变”）正确答案:【不变】9、填空题：薛定谔方程是（）方程？（填“常微分”或“偏微分”）正确答案:【偏微分】10、填空题：自由粒子运动的概率密度分布函数与时间有关吗？（填“有”或“无”）正确答案:【无】第一章测验1、问题：晶体区别于非晶体的最根本特征是?选项：A、熔点B、导电能力C、周期性D、解理性正确答案:【周期性】2、问题：下列不属于半导体的是?选项：A、SiB、GeC、GaAsD、Fe正确答案:【Fe】3、问题：下列二维点阵中不属于原胞的是？选项：A、1B、2C、3D、4正确答案:【4】4、问题：半导体Si属于哪种晶格类型？选项：A、简单立方B、面心立方C、体心立方D、六角密堆正确答案:【面心立方】5、问题：金刚石晶体的晶胞含有几个碳原子？选项：A、2B、4C、6D、8正确答案:【8】6、问题：有一ABC面，截距为4a、2b、，截距的倒数为1/4、1/2、0，它的密勒指数为？选项：A、(1,2,0)B、(2,1,0)C、(4,1,0)D、(1,4,0)正确答案:【(1,2,0)】7、问题：简单立方晶体中最近（110）晶面间的距离为？假设晶格常数为a=4.83?。选项：A、2.415?B、3.42?C、4.83?D、9.66?正确答案:【3.42?】8、填空题：晶格中的最小重复单元是？（填“原胞”或“晶胞”）正确答案:【原胞】9、填空题：反映晶格周期性的是？（填“原胞”或“晶胞”）正确答案:【原胞】10、填空题：原子建中最弱的是？（填“共价键”或“范德华键”）正确答案:【范德华键】第三章本章测验1、问题：准连续分布的能级在考虑了周期场微扰之后，分裂为一系列的能带，能带之间形成（）。选项：A、允带B、导带C、价带D、带隙正确答案:【带隙】2、问题：下列属于直接带隙半导体的是（）。选项：A、SiB、GeC、GaAsD、SiO2正确答案:【GaAs】3、问题：三维自由电子的状态密度函数与（）正比。选项：A、B、EC、D、正确答案:【】4、问题：允带之间不存在能级，称为禁带。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】5、问题：有效质量就是粒子的惯性质量。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】6、问题：状态密度函数描述的是单位能量间隔内量子态的数目。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】7、填空题：外层的价电子，轨道交叠多，共有化运动（）。（填“弱”或“强”）正确答案:【强】8、填空题：E对k的二阶导数与粒子的有效质量成（）。（填“正比”或“反比”）正确答案:【反比】9、填空题：根据泡利不相容原理，一个量子状态只能被（）个电子占据。（填“1”或“2”）正确答案:【1】10、填空题：绝对零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的几率是（）填“0”或者“1”？正确答案:【1】第四章本章测验1、问题：半导体在热平衡状态下，材料的所有特性均与无关。选项：A、时间B、质量C、速度D、浓度正确答案:【时间】2、问题：是晶体中不含杂质和晶格缺陷的纯净半导体。选项：A、P型半导体B、n型半导体C、本征半导体D、平衡半导体正确答案:【本征半导体】3、问题：本征半导体中，导带中的电子数量价带中的空穴数量。选项：A、相等B、大于C、小于D、不确定正确答案:【相等】4、问题：对于本征费米能级位置的描述，错误的是。选项：A、电子有效质量等于空穴有效质量，本征费米能级位于禁带中央B、电子有效质量小于空穴有效质量，本征费米能级低于禁带中央C、状态密度函数与载流子有效质量直接相关D、本征费米能级位置随状态密度的增大而发生移动正确答案:【电子有效质量小于空穴有效质量，本征费米能级低于禁带中央】5、问题：T=300K时，计算硅中的本征费米能级相对于禁带中央的位置。已知硅中载流子有效质量分别为mn*=1.08m0,mp*=0.56m0.选项：A、-12.8meVB、-6.4meVC、-25.6meVD、12.8meV正确答案:【-12.8meV】6、问题：非本征半导体中，当电子浓度高于空穴浓度时，半导体是型，掺入的是杂质。选项：A、n,受主B、n,施主C、p,受主D、p,施主正确答案:【n,施主】7、问题：热平衡状态非本征半导体，电子浓度n0和空穴浓度p0与本征半导体浓度ni的关系（）选项：A、n0*p0=ni2B、n0*p0ni2C、n0*p0ni2D、无法确定正确答案:【n0*p0=ni2】8、问题：补偿半导体的形成描述不正确的是()选项：A、指同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体B、n型半导体中材料中注入受主杂质原子C、p型半导体中材料中注入受主杂质原子D、补偿型半导体性质完全取决于杂质浓度Na与Nd的数目正确答案:【p型半导体中材料中注入受主杂质原子】9、问题：T=0K时p型半导体，杂质原子不包含任何电子，费米能级一定高于受主能级。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10、问题：补偿型半导体完全电离条件下，热平衡电子浓度关系是n0+Na=p0+Nd。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第五章测验1、问题：在非本征半导体中，漂移电流密度基本取决于（）选项：A、多数载流子B、少数载流子C、电子D、空穴正确答案:【多数载流子】2、问题：在半导体中，不影响载流子的迁移率的散射机制是（）选项：A、晶格散射B、电离杂质散射C、声子散射D、固体散射正确答案:【固体散射】3、问题：不影响电离杂质散射的因素有（）选项：A、电子或空穴与电离杂质之间存在的库仑作用B、半导体电离杂质浓度C、温度D、半导体晶体形状正确答案:【半导体晶体形状】4、问题：关于半导体材料的电导率说法不正确的是（）选项：A、是载流子浓度的函数B、与迁移率相关C、是电阻率的倒数D、与半导体材料有关正确答案:【与半导体材料有关】5、问题：关于载流子的扩散电流说法不正确的是（）选项：A、是载流子浓度的空间导数，与浓度梯度成正比B、电子从高浓度向低浓度的扩散，扩散电流方向与电子运动方向相反C、空穴的扩散电流方向与运动方向相同D、温度差越大，扩散电流越强正确答案:【温度差越大，扩散电流越强】6、问题：关于半导体中总电流密度的描述不正确的是（）选项：A、是电子漂移电流和扩散电流，空穴的漂移电流和扩散电流之和B、电子的迁移率描述了半导体中电子在电场力作用下的运动情况C、扩散系数描述了半导体中电子在浓度梯度下的运动情况D、迁移率和扩散系数是相互独立的，互不相关正确答案:【迁移率和扩散系数是相互独立的，互不相关】7、问题：迁移率反映了载流子的平均漂移速度与电场的关系。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：非本征半导体的电导率是多数载流子的函数。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：饱和速度指的是强电场区载流子的漂移速度特性严重偏离了弱电场的线性关系，漂移速度达到饱和，不再随外加电场变化。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、填空题：半导体晶体中的两种基本输运机制是（）正确答案:【漂移运动，扩散运动】第六章测验1、问题：过剩载流子的复合描述不正确的是（）选项：A、过剩电子和空穴是成对复合的，复合率相同B、直接的带间复合是一种自发行为C、电子和空穴的复合率是时间的函数D、复合的概率必须同时与电子和空穴的浓度成比例正确答案:【电子和空穴的复合率是时间的函数】2、问题：对于双极输运的解释不正确的是（）选项：A、过剩电子和空穴不是相互独立的运动B、过剩电子和空穴具有相同的有效扩散系数，漂移迁移率和寿命C、双极输运是方程是描述过剩电子和空穴的状态D、以上都不正确正确答案:【以上都不正确】3、问题：无电场情况下，不同时刻过剩少子浓度随空间的变化关系描述不正确的是（）选项：A、t0，过剩少子关于x=0两侧扩散B、t0，生成的多子也以少子相同的速率进行扩散C、t→∞，过剩少子和过剩多子复合，过剩少子浓度为零D、这过程中，只有复合过程正确答案:【这过程中，只有复合过程】4、问题：在恒定电场情况下，不同时刻过剩少子浓度随空间的变化关系描述不正确的是（）选项：A、随着时间增加，过剩少子沿着电场方向漂移B、扩散和复合过程同时进行，保持电中性，任意时刻δn=δpC、过剩载流子的状态依赖于少子的参数D、过剩多子的状态以多子的参数为依据正确答案:【过剩多子的状态以多子的参数为依据】5、问题：非热平衡状态下，半导体中由于过剩载流子产生，导致费米能级的改变。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题：τ趋向无穷时，过剩电子和空穴已稳定的速率产生，但过剩载流子浓度恒定。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】7、问题：内建电场的生成是带电粒子电子和空穴相反方向运动而产生的。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、填空题：T=300K时，硅中掺入硼原子的浓度为Na=5*1016cm-3。均匀掺杂材料中生成的过剩载流子浓度为1016cm-3，少数载流子的寿命为5μm。该掺杂半导体材料的少子是（）正确答案:【电子】9、填空题：正确答案:【0.2984eV】10、填空题：正确答案:【0.179eV】第7章测试011、问题：在pn结p区一侧加正压时，该pn结空间电荷区宽度（）。选项：A、增加B、减少C、不变D、视情况而定正确答案:【减少】2、问题：n结中，哪个区域中的空间电荷区宽度更宽（）。选项：A、p区B、n区C、均有可能D、均不可能正确答案:【n区】3、问题：pn结的空间电荷区是由于（）行为产生的。选项：A、扩散B、漂移C、移动D、复合正确答案:【扩散】4、问题：在热平衡条件下，空间电荷区边界附近的载流子受到内建电场力和（）的相互平衡。选项：A、扩散力B、偏移力C、静电力D、以上均不是正确答案:【扩散力】5、问题：空间电荷区内的电荷是（）。选项：A、移动的B、固定的C、扩散的D、复合的正确答案:【固定的】6、问题：pn结的p区中的电子是（）。选项：A、多子B、少子C、多子+少子D、不确定正确答案:【少子】7、问题：pn结内建电场的方向为n区指向p区。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：pn结的空间电荷区中产生了电子空穴对后将固定在该区域内。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】9、问题：pn结处于热平衡状态下，可以用统一的费米能级来描述整个pn结的载流子状态。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：按照传统的半导体物理知识，一块n型半导体和一块p型半导体简单的发生接触就能形成pn结。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第7章测试021、问题：假设一硅基pn同质结，在形成pn结之后，n区能带通常将（）。选项：A、上抬B、下压C、均有可能D、均不可能正确答案:【下压】2、问题：同时提高p区和n区的掺杂浓度，pn结的空间电荷区宽度将（）。选项：A、变宽B、变窄C、不变D、不确定正确答案:【不确定】3、问题：由于外界条件的改变，pn结的空间区宽度增加，则内建场将（）。选项：A、变大B、变小C、不变D、不确定正确答案:【变大】4、问题：热平衡状态下，我们可以利用外用表来测量出pn结内建电势差。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题：热平衡状态下的pn结中的费米能级处处相等。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题：在形成pn结之后，p区和n区费米能级与导带和价带的相对位置发生改变。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题：在形成pn结之后，p区和n区的半导体的禁带宽度发生改变。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：均匀掺杂的pn结内建电场是恒定不变的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】9、问题：pn结内建电场的最大处出现在冶金结处。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：假设一硅基pn同质结，内建电势差的产生是由于统一费米能级的行为而造成的。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第7章测试031、问题：pn结反偏时，内建电势差将会（）。选项：A、变大B、变小C、不变D、不确定正确答案:【变大】2、问题：pn结反偏时，空间电荷区宽度差将会（）。选项：A、变大B、变小C、不变D、不确定正确答案:【变大】3、问题：由于外加偏压的改变，pn结的空间电荷区宽度发生变化，该现象称为pn结的（）。选项：A、结电容B、扩散电容C、漂移电容D、结电容+扩散电容正确答案:【结电容】4、问题：对于大多数pn结而言，占主导地位的击穿机制是（）。选项：A、齐纳击穿B、雪崩击穿C、热击穿D、高压击穿正确答案:【雪崩击穿】5、问题：pn结在反偏条件下，由于能带的过度倾斜造成的击穿类型为（）。选项：A、齐纳击穿B、雪崩击穿C、热击穿D、高压击穿正确答案:【齐纳击穿】6、问题：pn结构光电器件反偏时，更适合应用于（）。选项：A、发光器件B、光探测器件C、太阳电池D、场效应晶体管正确答案:【光探测器件】7、问题：1.当pn结由正偏转换成反偏时，pn结内存储的（）载流子会被移走，即为电容放电。选项：A、多数B、少数C、过剩多数D、过剩少数正确答案:【过剩少数】8、问题：隧道二极管p区与n区都为（）。选项：A、非简并半导体B、简并半导体C、掺杂半导体D、非掺杂半导体正确答案:【简并半导体】9、问题：发生雪崩击穿时，产生雪崩效应的区域为（）。选项：A、p区B、n区C、空间电荷区D、不确定正确答案:【空间电荷区】10、问题：pn结反偏时，正电压加载在p区一侧。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第8章测试1、问题：pn结正偏时，内建电势差将会（）。选项：A、变小B、变大C、不变D、不确定正确答案:【变小】2、问题：pn结正偏时，空间电荷区宽度差将会（）。选项：A、变小B、变大C、不变D、不确定正确答案:【变小】3、问题：p区内总的少子电子的浓度符号为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】4、问题：pn结正偏下总电流密度等于复合电流密度和（）密度之和。选项：A、漂移电流B、反向饱和电流C、扩散电流D、以上均是正确答案:【扩散电流】5、问题：由于载流子浓度梯度产生的电流（）。选项：A、扩散电流B、漂移电流C、反向饱和电流D、复合电流正确答案:【扩散电流】6、问题：由于外加电场作用产生的载流子流动称为（）。选项：A、扩散电流B、漂移电流C、反向饱和电流D、复合电流正确答案:【漂移电流】7、问题：在一定的偏压条件下，pn结内任意位置的多子电流和少子扩散电流之和为（）。选项：A、不同B、相同C、视具体情况而定D、梯度变化正确答案:【相同】8、问题：pn结构光电器件正偏时，更适合应用于（）。选项：A、发光器件B、光探测器件C、太阳电池D、场效应晶体管正确答案:【发光器件】9、问题：pn结正偏时，正电压加载在p区一侧。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：短二极管的扩散电流密度要小于长二极管的扩散电流密度。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第10章单元测验1、问题：在MOSFET中，若衬底为p型，栅极加大的___电压时，形成n型反型层；若衬底为n型，栅极加大的___电压时，形成p型反型层。选项：A、正、正B、正、负C、负、正D、负、负正确答案:【正、负】2、问题：在MOS器件中，不论半导体是p型还是n型，栅极加负电压时，半导体表面的能带向___弯曲；栅极加正的电压时，半导体表面的能带向___弯曲。选项：A、上、上B、上、下C、下、上D、下、下正确答案:【上、下】3、问题：MOSFET的跨导与沟道宽度成___，与沟道长度成___，与氧化层厚度成___.选项：A、正比、正比、反比B、反比、反比、正比C、正比、反比、反比D、正比、反比、正比正确答案:【正比、反比、反比】4、问题：MOS器件中，耗尽层的厚度随着表面势的增大而___。选项：A、增大B、降低C、不变D、不确定正确答案:【增大】5、问题：当选项：时，所加的栅电压称之为___。A、平带电压B、阈值电压C、导通电压D、反型电压正确答案:【阈值电压】6、问题：对于p型衬底的MOSFET，负阈值电压表明该器件为耗尽型器件。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】7、问题：对于p型衬底MOSFET的理想C-V特性而言，当C取值最小时，栅压为负。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：对于p型衬底MOSFET而言，当有效氧化层陷阱电荷数增大时，其C-V特性曲线往左移动。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：当栅压等于平带电压时，半导体内能带没有弯曲，净空间电荷为零，穿过氧化物的电压也为零。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10、问题：对于大功率MOSFET而言，栅极要远离源极，以防漏电压较大时产生击穿。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第九章测试11、问题：半导体的导带底至真空能级之间的能级差异称为半导体的（）。选项：A、功函数B、电子亲和能C、势垒能D、自由能正确答案:【电子亲和能】2、问题：半导体费米能级至真空能级之间的能级差异称为半导体的（）。选项：A、功函数B、电子亲和能C、势垒能D、自由能正确答案:【功函数】3、问题：如果在金属-半导体之间加一个反偏压，此时金属半导体势垒高度将（）。选项：A、变大B、变小C、不变D、不确定正确答案:【不变】4、问题：当金属电极直接淀积在半导体表面则会形成（）。选项：A、肖特基接触B、欧姆接触C、范德华接触D、以上均不是正确答案:【肖特基接触】5、问题：通常情况下，金属的功函数较大，则形成的肖特基势垒（）。选项：A、大B、小C、不确定D、与半导体的功函数也有关系正确答案:【与半导体的功函数也有关系】6、问题：肖特基结的空间电荷区为（）中。选项：A、金属B、半导体C、二者均有D、不确定正确答案:【半导体】7、问题：肖特基结与pn结一样，均存在空间电荷区。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：场效应晶体管的栅极极金属半导体接触类型为肖特基接触。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：势垒的镜像力会提高肖特基势垒的高度。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10、问题：界面态会降低肖特基势垒的高度。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第十一章单元测验1、问题：与Si-MESFET相比，GaAs-MESFET的电子迁移率一般要低一些。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】2、问题：对于MESFET而言，当栅压等于零时，沟道厚度比空间电荷区要小，那么此种类型为增强型MESFET。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：从降低功耗的角度出发，FET的亚阈值摆幅数值越大越好。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】4、问题：沟道输运时间是影响JFET低频特性的主要因素之一。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题：从晶体管的小信号模型可以看到，源极电阻的影响是降低有效跨导或晶体管增益。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、填空题：结型场效应晶体管中的“结”主要是指_____结和肖特基结。正确答案