放大器的基本原理

第

二章

放

大

器

的

基

本

原

理第一节半导体器件§2.1.1

半导体的基本知识§2.1.2

PN结及半导体二极管§2.1.3

半导体三极管第二节基本放大电路§2.2.1

放大电路的组成§2.2.2放大电路的分析方法§2.2.3静态工作点的稳定§2.2.4放大器的主要性能指标§2.2.5多级阻容耦合放大电路(一)导体、半导体和绝缘体导体：

自然界中很容易导电的物质称为导体，金属

一般都是导体。绝缘体：

有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡

皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：

另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓

和一些硫化物、氧化物等。半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：·当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。·往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。(二)

本征半导体本征半李辆半晃垄的辅构糖病完整的半导体晶体。

现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们

的最外层电子(价电子)都是四个。通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，

而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子

与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价硅和锗的晶体结构：电子。+

4

表

示除去价电

子后的原子硅和锗的共价键结构共价键共用电子对共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，

称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自

由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以

本征半导体的导电能力很弱。形成共价键后，每个原子的最外层电子是

八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规

则排列，形成晶体。二、本征半导体的导电机理1.载流子、自由电子和空穴在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子

来填补，这样的结果

相当于空穴的迁移，

而空穴的迁移相当于

正电荷的移动，因此

可以认为空穴是载流

子。2.本征半导体的导电机理本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即

自由电子和空穴。本征半导体中电流由两部分组成：1.自由电子移动产生的电流。2.空穴移动产生的电流。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性

能的一个重要的外部因素，这是半导体的一

大特点。(三)杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺

杂半导体的某种载流子浓度大大增加。N

型半导体：

自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为(电子半导体)。P型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为(空穴半导体)。一

、N

型半导体>≤@2+4多余电子+42②磷原子<5○N

型半导体中的载流子是什么?1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子

称为多数载流子(多子),空穴称为少数载流子

(

少

子

)

。二、P

型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼(或铟),晶体点阵中的某些半导体原子被杂质

取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。P型半导体中空穴是多子，电子是少子。三、杂质半导体的示意表示法

P型半导体

N型半导体杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。

近似认为多子与杂质浓度相等。§2.1.2

PN结及半导体二极管一

)

PN

结的形成在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN

结。—内电场E十十0N型半导体十十内电场越强，就使漂移

运动越强，而漂移使空

间电荷区变薄。扩散的结果是使空间电

荷区逐渐加宽，空间电

荷区越宽。空间电荷区也称耗尽层。P型半导体一

十

十+

十

+O-扩散运动漂移运动4—O④+。①++十十⊙十十一

一O一P型半导体

N型半导体——内电场Eo

+

十

十

十

+

+)

+

+

十

十

十

十+

十

十

十

+

++

十

十

十

十

十扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固

定不变。漂移运动空间电荷区十

++一⊙

十-O一

)

O一δ-)O电位VN

型区P型区一一十oOOOOOOo00000O注意：1.空间电荷区中没有载流子。2.空间电荷区中内电场阻碍P区中的空穴、

N区中的电子都是多子)向对方运动(扩散运

动)。3.P

区中的电子和N

区中的空穴(都是少子),数量有限，因此由它们形成的电流很小。二)PN

结的单向导电性PN

结加上正向电压、正向偏置的意思都是：P区加正、N

区加负电压。PN

结加上反向电压、反向偏置的意思都是：P

区加负、N

区加正电压。①内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成

较大的扩散电流。

N一、PN

结正向偏置变薄一

内电场E+P外电场R++十十

一4内电场被被加强，多子

的扩散受抑制。少子漂

移加强，但少子数量有

限，只能形成较小的反

向电流。IV二、PN

结反向偏置变厚———

内电场——外电场R

|E++十十(0●)P一)一)一三)

半导体二极管一、基本结构PN

结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。二极管的电路符号：外壳线

基片面接触型点接触型触丝线PN

结引线死区电压硅管

0.6V,锗管0.2V。反向击穿电

压UgR导通压降：硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。一U二、伏安特性

I三、主要参数1.最大整流电流

Iom二极管长期使用时，允许流过二极管的最大

正向平均电流。2.反向击穿电压UpR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至

过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电

压UwrM一般是Ug的一半。3.反向电流Ig指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性

差，因此反向电流越小越好。反向电流受

温度的影响，温度越高反向电流越大。硅

管的反向电流较小，锗管的反向电流要比

硅管大几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、

保护等等。下面介绍两个交流参数。4.

微变电阻

rprp

是二极管特性曲线上工作点Q附近电压的变化与

电流的变化之比：显然，

rp是对Q附近的微小

变化区域内的电阻。jipIp一

UpUpQ二极管：

死区电压=0.5V,正向压降~0.7V(硅二极管)理想二极管：

死区电压=0,正向压降=0二极管的应用举例：二极管半波整流u;曲线越陡

电压越稳

定。Uz稳压误差Az△UzUIzIzmax

稳压二极管r₂越小，稳

压性能越好。动态电阻：I稳压二极管的参数：(1)稳定电压Uz(2)电压温度系数av(%

1/℃

)稳压值受温度变化影响的的系数。(3

)动态电阻(4)稳定电流I

、最大、最小稳定电流Imax、Izmin

·(5)最大允许功耗

P₂w=UzIzmaxPNPE○发射极NPNE发射极(一)基本结NPN型§2.1.3半导体三极管构C

?

集电极BO-基极集电极

Q

CBo基极PNP型集电区：面积较大B

O—基极C

集电极-NP

-N●发射区：掺杂浓度较高基区：较薄，

掺杂浓度低E发射极C

o集电极NPNE○发射极B

O-基极集电结发射结进入P

区的电子

少部分与基区的

空穴复合，形成

电流Ip,

多数

扩散到集电结。发射结正

偏，发射

区电子不

断向基区

扩散，形

成发射极电

流IEo-LcNIg基区空穴

向发射区

的扩散可

忽略。CBEE(二)晶体管放大原理RLl

gO-

Plse

NEIg子作为集电结的少

子，漂移

进入集电

结而被收

集，形成YcpIc=Ice+IcBo≈IcEC

从基区扩集电结反偏，有

少子形成的反向

电流IcBoRgEg散来的电IcBollge

NO-IgE

NEIE+Ic=Ice+IcRo≈lcpCIg=lgE-Icso≈lsEBRc二EcRgEgIgP根据基尔霍夫第一定律：Ip+Ic=IE基极电流Ig小，集电极电流Ic大

，Ic=βI

₀β——直流电流放大系数若取电流的变化量，则有△Ic=β△IBβ——交流放大系数要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集

电结反偏。NPN型三极管

PNP

型三极管三)

特性曲线IgμARgIcmAEcEg

三极管特性测试实验线路CeVUBEUcERcVbUcg≥1V工作压降：

硅管Upe≈0.6~0.7V;

锗管UBr≈0.2~0.3V。0.8

→Ua(V)死区电

压，硅管

0.5V,

锗

管0.2V。604020一、输入特性Ucg=0V80UcE=0.5VI₈(μA)0.4当Ucg大于一

定的数值时，

Ic只与I₂

有关，Ic=βIg₀60μA40μA20μAIg=09

12

Uce(V)二、输出特性Ic(mA)此区域满足Ic=βIg称为线性区(放大区

)

。Ⅱ63此区域中Ucp<UBE

集电结正偏，βIg>Ic,Uce≈0.3V称为饱和区。—40μA—20μA—Ig=06

9

12

Uce(V)4321Ic(mA3Ic(mA)43213

6

9此区域中：Ig=0,Ic=IcE

o,U

<

死

区

电压，称为

截止区。—20μAIg=012

Uce(V)输出特性三个区域的特点：(1)放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：

Ic=βIg,

且△lc=β△I₂(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：Uce<UBE,βlg>Ic,Ucr≈0.3V(3)截止区：

Ugp<死区电压，

Ig=0,I=IcEo≈0三、主要参数1.

电流放大倍数β和β前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为△Ig,相应的集电极电流变化为△c,

则交流电流放

大倍数为：TRBEB参考点耦合电容C₁:①隔直作用：

隔断放大电

路与信号源之间的直流通路②交流耦合：保证交流信

号顺利通过放大元件，起电流放大作用，是

整个放大电路的

核心。u。输出Rc门输入Q

+Ec漂移形成

的反向电

流，受温

度的变化

影响。Icno是集

电结反偏

由少子的2.集-基极反向截止电流IcsoIcgoμA①IcEo受温度影响很大，当温度上

升时，

IcEo增加

很快，所以Ic

也根据放大关系，由于Ip

的存

在，必有电流βIgE。相应增加。三极管的温度特性较

差。集电结反偏有IcBoBIcEo=βlgE+IcBoCIcBo进入N

区，形成I

gEe3.集-射极反向截止电流IcEoCBBEEBE

NPTT4.集电极最大电流Ic

n集电极电流Ic上升会导致三极管的β值的下降，当β值下降到正常值的三分之二时的集电极电

流即为Icw。5.集-射极反向击穿电压当集---射极之间的电压Ucr超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是

25°C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。·集电极电流Ic流过三极管，所发出的焦耳

热为：Pc=IcUc

E·必定导致结温上升，所以Pc

有限制。Pc≤Pcm6.集电极最大允许功耗Pc

wIcCMIcUcp=PcM安全工作区U(BR)CEOUcE§2.2.1

放大电路的组成

放大的概念电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大

成较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。电压放大电路可以用有输入口和输出口的四

端网络表示，如图：()基本放大电路的组成共射放大器共基放大器共集放大器以共射放

大器为例

讲解工作

原理三极管放

大电路有

三种形式KEB参考点放大元件，起电流放大作用，是

整个放大电路的

核心。Q+EcRc门Tu。输出输入C,B作

用

：使发射

结正偏，并提

供适当的静态

工作点。ORc|RgE基极电源与

基极电阻O-Q

+EcC1T集电极电源，

为电路提供能

量。并保证集

电结反偏。RCC₁C₂

LTBEB○

+E集电极电阻，

将变化的电流

转变为变化的

电压。-Oq+EcC₂TRcRBEBC₁耦合电容：电解电容，有极性。大小为10μF~50μFNO-RB作

用

：隔离

输入输出与

电路直流的

联系，同时

能使信号顺

利输入输出。Q

+EcRc]

C₂TEB电路改进：采用单电源供电单电源供电电路)

+EcIc≠0CQ

ZTIEg=lsọ+lcg一、静态工作点由于电源的存在Ig≠0

Rg

KcD二、

基本放大电路的工作原理BQ-O

+Ec2CQT

(Icg₂Uceg)U

CEQ(lggUgeg)URcBQRCBEQ(lg,UEg)

和(Icg₂Uceg)分别对应于输入输出特性曲线上的一个点称为静态工作点。I₈IBọUsEgUBEucr怎么变化假设u有一微小的变化u

相位如何

ue

与u;反相!uc

的变化沿一

条直线UcE各点波形实现放大的条件1.晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏，集电结反偏。2.正确设置静态工作点，使整个波形处于放大区。3.输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。4.输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压，经电容滤波只输出交流信号。如何判断

一

个电路是否能实现放大?与实现放大的条件相对应，判断的过程如下：1.信号能否输入到放大电路中。2.信号能否输出。3.晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏，集电结反偏。4.正确设置静态工作点，使整个波形处于放大区。如果已给定电路的参数，则计算静态工作点来

判断；如果未给定电路的参数，则假定参数设

置正确。§2.2.2放大电路的分析方法估算法静态分析图解法微变等效电路法动态分析图解法计算机仿真放大

电路

分析(一)直流通道和交流通道放大电路中各点的电压或电流都是在静态直

流上附加了小的交流信号。但是，电容对交、直流的作用不同。如果电

容容量足够大，可以认为它对交流不起作用，即

对交流短路。而对直流可以看成开路，这样，交

直流所走的通道是不同的。交流通道：

_只考虑交流信号的分电路。直流通道：只考虑直流信号的分电路。信号的不同分量可以分别在不同的通道分析。例：

对直流信号(只有+Ec

)对交流信号(输入信号u;)置零交流通路u;二)直流负载线和交流负载线一、直流负载线Uce~Ic满足什么关系?+EC

1.三极管的输出特性。Rg

Rc

Ic

2.Uce=Ec-IcRc。EC

Ic

与输出UCE

交点就是Q点Ig直流负载线直流通道

UcEEcRc

特性的二、交流负载线u;R₁=R//Rcic和

ucg是全量，与交流量i。和ue,有如下关系i₂=△icu。=△uce所以：

即：交流信号的变化沿着斜率为：

的直线。这条直线通过Q点，称为交流负载线。过Q

点作一条直线，斜率为：交流负载线的作法IcEcRcIgEc交流负载线UcEQ一、估算法RgR₃

称为偏置电阻，Ig称为偏

置电流。(1)根据直流通道估算Ig三)

静态分析-o+EcRg

Rc

Ic

Ic=βl₈+Iceo≈βl₈U

CEUc=E-lR(2)根据直流通道估算Ucg、Ic直流通道二、

图解法先估算

Ig,

然后在输出特性曲线上作出直

流负载线，与Ig

对应的输出特性曲线与直流负

载线的交点就是Q

点。例

：用估算法计算静态工作点。已知：

Ec=12V,Rc=4kΩ,Rg=300k2,β=37.5。B

Ec=12=0.04mA=40μAIc≈βI₈=βI₈=37.5×0.04=1.5mA请注意电路中I₂

和Ic

的数量级。Uc=Ec-IcRc=12-1.5×4=6VR,

300解：四)动态分析一

、三极管的微变等效电路1.

输入回路

当信号很小时，将输入特性

在小范围内近似线性。对于小功率三极管：

ri=300(S2)+(1+βrp₀的量级从几百欧到几千欧。对输入的小交流信号而言，

三极管相当于电阻roe。26(mV)I₇(mA)ic=Ic+i.=β(Ig+i,)=βI₈+βi,所以：ic=βi

,A(1)

输出端相当于一个受i,控制

的电流源。A“cr(2)

考虑ucg

对

ic的影响，输出端还要并联一个大电阻/。r

的含义2.输出回路ClbbUbeeUbe

TbeUce3.三极管的微变等效电路

lblbB₀re很大，

一般忽略。BTu

ceI'beCe二、放大电路的微变等效电路将交流通道中的三极管用微变等效电路代替：U;=i,ToeR'L=Rc//RU。=-βi,R',特点：负载电阻越小，放大倍数越小。三、

电压放大倍数的计算0四、输入电阻的计算对于为放大电路提供信号的信号源来说，放大电路

=R₈

//r≈Tpe电路的输入电阻越大，从信号源取得的电流越小，

因此一般总是希望得到较大的的输入电阻。小可以用输入电阻来表示。是的入电理的负载，这个负是动态电阻。五、输出电阻的计算对于负载而言，放大电路相当于信号源，其内阻即为放大器的输出电阻r。,

它是一个动态电阻。由于电流源的内阻为无穷大，所以r₀

ri(五)

失真分析在放大电路中，输出信号应该成比例地放大输入信号(即线性放大);如果两者不成比例，则输出信号

不能反映输入信号的情况，放大电路产生非线性失真为了得到尽量大的输出信号，要把Q设置在交流负载线的中间部分。如果Q

设置不合适，信号进入截

止区或饱和区，则造成非线性失真。下面将分析失真的原因。为简化分析，假设负载为空载(R₁=o)。输入情况VgEotL0.2

0.4

0.6

0.8

ugE(V)UBEfis06040—20—00Tig(μA)otL0.2

0.4

0.6

0.8

ug(V)UBE604020-00otfis0Tig(μA)VgEot输出情况M选择静态工作点C可输出的最大不失

真信号QUCEIQu₀Q’输入波形QQ”UCE1.Q

点过低，信号进入截止区放大电路产生截止失真U输出波形i,C放大电路产生饱和失真输入波形2.Q

点过高，信号进入饱和区输出波形u

。icOUCEi,§2.2.3静态工作点的稳定为了保证放大电路的稳定工作，必须有合适的、稳定的静态工作点。但是，温度的变化严重影响静

态工作点。工作点不稳定的原因很多，但主要影响因素是晶体管的特性参数UE

、Icao

和β。这三个参数随温

度而变化，温度对静态工作点的影响主要体现在这

一方面。UgETD→

UBE

UBE的变化将通过Ig的变化影响Q

点一、温度对Ugp的影响

25℃50℃ig1→Icl温度上升时，输出特性曲线上移，造成Q

点上移。T1—B.Ico总的效果是：ic二

、温度对β值及Icgo的影响UCE小结：T1—→

Ic1固定偏置电路的Q

点是不稳定的。

Q

点不稳定可能会导致静态工作点靠近饱和区或截止区，从而

导致失真。为此，需要改进偏置电路，当温度升高、

I

增加时，能够自动减少Ig,

从而抑制Q

点的变化。

保持Q点基本稳定。常采用分压式偏置电路来稳定静态工作点。电路见下页。分压式偏置电路：-0

+EcRc|REC₂RCER

射极直流

负反馈电阻一、静态分析C交流旁

路电容直流通路RB1C₁Rg₂|u₀O1.静态工作点稳定的原理本电路稳压的

过程实际是由

于加了R₂

形成

了负反馈过程T1→Ic1→U1Icl—Il→UgEl算法一：Ec=l₁R₁+UE+IRI₂R₈₂=UE+IERI₁=I₂+I₈Ig=(1+β)I₈上述四个方程联立，可求出Ig

,

进而，可求出UcE。本算法比较麻烦，通常采用下面介绍的算法二、三。2.求静态工作点直流通路R₄=Rg₁/lR₂算法二：方框中部分用戴维

南定理等效为：进而，可求出Ig

、UcE

。直流通路Ucg=Ec-lc·R-Ig·R₈直流通路算法三：UBE=U-UE=U-IERI₂>>I₈似乎I₂越大越好，

但是Rg₁

、R₂

太小，

将增加损耗，降低输

入电阻。因此一般取

几十kΩ。可以认为与温度无关。直流通路+Ec

算法一、二的结果：I₈=0.0435mAIc=βl₈=2.175mAUcg=Ec-lcRc-l₅R=5.43V算法三的结果：结

论

：三种算法的结果近似相等，但算法三的计算过程要简单得多。例

：已知β=50,

Ec=12V,R=7.5kΩ,R

g₂=2.5kΩ,Rc=2kΩ,R=1kQ,求该电路的静态工作点。Ig≈2.3mAUcg≈5.1Vr;=R'gllrp≈Tbe

r₀=R二、动态分析U+Ec放大倍数怎样?

,C

的作用：交流通路中，C₂

将R

短路

，R

对

交流不起作用，放大倍数不受影响。问题：如果去掉Cgu₀u

。u;U。=-βi₂Rr;=RIl{r+(1+β)R}去掉Cg

后的交流通路和微变等效电路：U,=i₄r+(1+β)I,R₈0问题2:如果电路如下图所示，如何分析?+Ecu₀静态分析：直流通路动态分析：微变等效电路：交流通路：)放大器的主要性能指标一、放大倍数与增益

电压放大倍数K电流放大倍数K;

功率放大倍数K,功率增益G,

G,=101gK,

单

位

：dB电流增益G;G;=10lg(1₂/I²)=20lg(I。/I₁)=20lg

K,电压增益GG=10lg(U

。/U²)=20lg(U

。/U₁)=20lg

K,放大电路一定要有前级(信号源)为其提供信号，那么就要从信号源取电流。输入电阻是衡量放大电路

从其前级取电流大小的参数。输入电阻越大，从其前级取得的电流越小，对前级的影响越小。即

：r;越

大

，I;就越小，

u;就越接近us二、输入阻抗输入电阻r;定义：三、输出阻抗r。当输入信号不变，负载改变时，输出电压改变量△u。与输出电流改变量△i。之比对于低频交流信号，输出阻抗是纯电阻性输出阻抗

输出电阻放大电路对其负载而言，相当于信号源，我们可以将它等效为戴维南等效电路，

这个戴维南

等效电路的内阻就是输出电阻。r,越小，放大电路

的负载能

力越强。ffi

下限截

上限截

fn通频带：

=fn

频率通频带越宽，放大器对信号的频率变化适应能力越强。-f₁止ɔw频率f止四、通频带A₁Aμm0.7Aum放大倍数随频率变化曲线——幅频特性曲线噪声系数：NF

=

金端售噪能一系况NF越小，说明放大器对微弱信号的实际放大能力越强。

四、信噪比与噪声系数信噪比：

SNR=信噪比越大越好有用信号功率噪声信号功率多级放大电路对耦合电路要求：1.

静态：保证各级Q点设置2.

动态：传送信号。耦合：

即信号的传送。耦合方式：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；光电耦合。第二级放大电路第n级放大电路§2.2.5多级阻容耦合放大电路第一级放大电路输出功放级第

n-1级放大电路要求：波形不

失真，减少压

降损失。输典

型

电

路+Ucc(+24V)

设：β₁

=β₂

=50,Tbei=2.9kΩ,Tbez=1.7kΩ求：Ku

、r;

、r。U后级前级性能分析1.静态：

Q

点同单级。2.动态性能：关键：考虑级间影响方法：ri₂=RL₁+Usci2①

②

r;,r。:概念同单级lb2KR₂TR₃TroeT;2微变等效电路：blBiohPke₂U,○TbelR₁RE₁U0R₁r;!Y

O1.r;=R₁//[rbe₁+(β+1)R₁]其

中：

Rμ'=Rg₁/1r₂=Rg₁//R₂||R₃//rbe₂=Rg₁|/R=R//r;z=27//1.7≈1.7kΩ∴r;=1000//(2.9+51×1.7)≈82kQ2.r₀=Rc₂=10kΩ0O3.中频电压放大倍数：

K₄=K·K₂K=K×K₂=0.968×-147=-142.3多级阻容耦合放大器的特点：(1)由于电容的隔直作用，各级放大器的静态工作点相互独立，分别估算。(2)前一级的输出电压是后一级的输入电压。(3)后一级的输入电阻是前一级的交流负载电阻。(4)总电压放大倍数=各级放大倍数的乘积。(5)总输入电阻r;即为第一级的输入电阻r₁。(6)总输出电阻即为最后一级的输出电阻。由上述特点可知，射极输出器接在多级放大电

路的首级可提高输入电阻；接在末级可减小输出电

阻；接在中间级可起匹配作用，从而改善放大电路

的性能。例1:放大电路由下面两个放大电路组成。已知Ec=15V,R₁=100kΩ,R₂=33kΩ,Rg₁=2.5

kΩ,Rc=5kΩ,β₁=60,;Rg=570kΩ,R₂=5.6kΩ,β₂=100,Rs=20kΩ,R₁=5kΩ1.求直接采用放大电路一的放大倍数A,和A。2.

若信号经放大电路一放大后，再经射极输出器输出，求放大倍数A,

、r;和r。。3.

，再经放大后放大电求放大倍数极输出器后输出号经路若A。(1)由于Rs大，而r;小，致使放大倍数降低；(2)放大倍数与负载的大小有关。例：R₁=5kΩ时，A₁=-93;R₁=1kΩ时，A,=-31。r;=R₁//R₂/lrbe=1.52

kΩu

1.求直接采用放大电路一的放大倍数A,和A。Tbei=1.62k2,Tbez=2.36kΩTbei=1.62kΩr₀₁=Rc=5kΩ

rbez=2.36

kΩR₁=r₂=R₈//[r₂+(1+β₂)R'r2]=173kΩ2.

若信号经放大电路一放大后，再经射极输出器

输出，求放大倍数A,

、r;和r。。A,=A×A₂=-185×0.99=-183r;=r₁=R//R₂//r₁=1.52kQ讨论：带负载能力。1.输出接射极输出器时的带负载能力：R₁=5k2时：

A=-185,A₂=0.99,r;₂=173kΩ→A=AA=-183R₁=1kQ时：

A=-174,A₂=0.97,r;z=76

kΩ→A₁=A₁A₂=-169

即：当R,由5kQ变为1kΩ时，放大倍数降低到原来的92.3%。

2.输出不接射极输出器时的带负载能力：R₁=5k

2时：A₁=-93R₁=1k

Ω时：

A₁=-31

放大倍数降低到原来的30%

可见输出级接射极输出器后，可稳定放大倍数A。3.若信号经射极输出器后，再经放大后放大电路一

输出，求放大倍数A

。riA=0.98r;=101kΩRgC₂₁T₂u;

R₂2Au₂=