半导体物理学期末复习试题及答案一

选择题与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量〔B〕。A.比绝缘体的大B.比绝缘体的小C.和绝缘体的一样受主杂质电离后向半导体提供〔B〕，施主杂质电离后向半导体提供〔C〕，本征激发向半导体提供〔A〕。A.电子和空穴B.空穴C.电子对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会〔B〕。A.上移B.下移C.不变在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和〔B〕有关A.杂质浓度和温度B.温度和禁带宽度C.杂质浓度和禁带宽度D.杂质类型和温度MIS构造发生多子积累时，外表的导电类型与体材料的类型〔B〕。A.一样B.不同C.无关空穴是(B)。A.带正电的质量为正的粒子B.带正电的质量为正的准粒子C.带正电的质量为负的准粒子D.带负电的质量为负的准粒子砷化稼的能带构造是〔A〕能隙构造。A.直接B.间接将Si掺杂入GaAs中，假设Si取代Ga则起〔A〕杂质作用，假设Si取代As则起〔B〕杂质作用。A.施主B.受主C.陷阱D.复合中心在热力学温度零度时，能量比小的量子态被电子占据的概率为〔D〕，当温度大于热力学温度零度时，能量比小的量子态被电子占据的概率为〔A〕。A.大于1/2B.小于1/2C.等于1/2D.等于1E.如下图的P型半导体MIS构造的C-V特性图中，AB段代表〔A〕，CD段代表〔B〕。A.多子积累B.多子耗尽C.少子反型D.平带状态P型半导体发生强反型的条件〔B〕。A.B.C.D.金属和半导体接触分为：〔B〕。A.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，假设光照突然停顿后，其中非平衡载流子将衰减为原来的〔A〕。A.1/eB.1/2C.0D.载流子的漂移运动是由〔A〕引起的，反映扩散运动强弱的物理量是〔B〕。A.电场B.浓度差C.热运动D.E.F.对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：〔B〕。A.声学波散射和光学波散射B.声学波散射和电离杂质散射C.光学波散射和电离杂质散射D.光学波散射证明题对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。即EFn>Ei。计算画图题三块半导体Si室温下电子浓度分布为，,〔NC=3*1019cm-3，NV=1*1019cm-3，ni=1010cmln1000＝6.9〕则〔1〕、计算三块半导体的空穴浓度〔2〕、画出三块半导体的能带图〔3〕、计算出三块半导体的费米能级相对与的位置〔要求n型半导体求EC－EF，p型半导体求EF－Ev〕〔15分〕室温下，本征锗的电阻率为47，试求本征载流子浓度。假设锗原子的浓度为，掺入施主杂质，使每个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度(设杂质全部电离)。试求该掺杂锗材料的电阻率。设，且认为不随掺杂而变化。假设流过样品的电流密度为，求所加的电场强度。画出金属和N型半导体接触能带图〔，且忽略间隙〕，并分别写出金属一边的势垒高度和半导体一边的势垒高度表达式。如下图，为P型半导体MIS构造形成的能带图，画出对应的电荷分布图