GB/T 1558-2023硅中代位碳含量的红外吸收测试方法

ICS77040

CCSH.17

中华人民共和国国家标准

GB/T1558—2023

代替GB/T1558—2009

硅中代位碳含量的红外吸收测试方法

Testmethodforsubstitutionalcarboncontentinsiliconbyinfraredabsorption

2023-12-28发布2024-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T1558—2023

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法与

GB/T1558—2009《》。GB/T1558—2009

相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

,,:

更改了范围见第章年版的第章

a)(1,20091);

更改了术语和定义见第章年版的第章

b)(3,20093);

更改了方法原理见第章年版的第章

c)(4,20094);

更改了干扰因素内容见年版的新增了干扰因素内

d)(5.2、5.3、5.4、5.6,20095.2、5.3、5.4、5.6),

容见

(5.8、5.9、5.10、5.11、5.12、5.13);

增加了试验条件见第章

e)(6);

更改了仪器设备要求见年版的删除了窗口材料和温度计的要求见年

f)(7.2,20096.2),“”“”(2009

版的

6.4、6.5);

更改了样品见第章年版的第章

g)(8,20097);

更改了试验步骤见第章年版的第章

h)(9,20098);

更改了精密度见第章年版的第章

i)(11,200910);

更改了试验报告见第章年版的第章

j)(12,200911);

增加了附录见附录

k)A(A)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所青海芯测科技有限公司天津中环领先

:、、

材料技术有限公司浙江金瑞泓科技股份公司山东有研半导体材料有限公司浙江海纳半导体股份有

、、、

限公司布鲁克北京科技有限公司中国计量科学研究院有色金属技术经济研究院有限责任公司开

、()、、、

化县检验检测研究院四川永祥新能源有限公司亚洲硅业青海股份有限公司新疆新特新能材料检

、、()、

测中心有限公司陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司中电晶华天津半导体材料有限公司浙江

、、()、

众晶电子有限公司义乌力迈新材料有限公司湖南三安半导体有限责任公司

、、。

本文件主要起草人李静何烜坤刘立娜李素青索开南马春喜薛心禄张雪囡张海英孙韫哲

:、、、、、、、、、、

王彦君沈益军赵跃王军锋李兰兰邹剑秋徐顺波李寿琴张宝顺刘国霞徐岩李明达陆勇

、、、、、、、、、、、、、

皮坤林杜伟华

、。

本文件于年首次发布年第一次修订年第二次修订本次为第三次修订

1979,1997,2009,。

Ⅰ

GB/T1558—2023

硅中代位碳含量的红外吸收测试方法

1范围

本文件描述了硅中代位碳原子含量的红外吸收测试方法

。

本文件适用于电阻率大于的型硅单晶片及电阻率大于的型硅单晶片中代

3Ω·cmp1Ω·cmn

位碳原子含量的测试室温下测试范围15-3至硅中碳原子的最大固溶度温度低于时测

(:5×10cm;80K

试范围不小于14-3

:5×10cm)。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

数值修约规则与极限数值的表示和判定

GB/T8170

分子吸收光谱法术语

GB/T8322

半导体材料术语

GB/T14264

用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

GB/T29057

硅单晶中碳氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法

GB/T35306、

3术语和定义

和界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264GB/T8322。

31

.

背景光谱backgroundspectrum

在红外光谱仪中无样品存在的情况下使用单光束测试获得的谱线

,。

注通常包括氮气空气等信息

:、。

32

.

基线baseline

从测试图谱中碳峰的两侧最小吸光度处作出的切线