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什么是GaN氮化镓？1对于GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。这要从近两年充电器上的疯狂内卷开始说起。好像从某个时间点开始，一夜之间，GaN就如雨后春笋般出现在了充电行业。然后随之而来的，就是我们憧憬已久的幻想开始实现：快速充电，更快速充电。到2022年的今天，功率甚至已经在突破200这个数字上初现端倪。倍思GaN2氮化镓快充充电器1C100W这是第三代半导体材料的胜利，也是移动端充电行业的狂欢。但对于GaN，很多人只是有个模糊的概念，对于它实现「小体积大功率」背后的原理、以及为何能改变多行业格局其实并不清楚。这也是本文的主旨，今天就让我们带着这些问题去一探究竟。什么是GaN氮化镓？——从分子结构看科学解释：GaN：由镓（原子序数31)和氮（原子序数7)结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带：是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，GaN的禁带宽度为3.4eV，是硅的3倍多，所以说GaN拥有宽禁带特性（WBG）。禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。GaN比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构，而载流子浓度直接决定了半导体的导电能力。**为什么GaN**这么受欢迎？要回答这个问题，我们就要先回答：GaN有何优势？由于GaN具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN充电器的运行速度，比传统硅器件要快100倍。倍思能量堆GaN移动电源适配器10000mAh45WGaN在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率，GaN材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。更重要的是，GaN相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。说人话就是：基于GaN功率芯片的充电器充电速度比传统硅充电器快高三倍，但尺寸和重量，甚至只有后者的一半。同时还有耐高温、低损耗等特点。这就是为什么我们现在看到的充电器能够轻松达到65W、100W，但同时它们的体积却并不大的原因，至少这在以往是难以想象的。GaN的优势能够带来什么？我们把这种材料技术带来的优势分成两个层面解读：产品与行业。对产品：在电力电子领域，基于GaN材料制备的功率器件拥有更高的功率密度输出，以及更高的能量转换效率。除此之外可以使系统小型化、轻量化，有效降低电力电子装置的体积和重量，从而极大降低系统制作及生产成本。倍思GaN3氮化镓快充充电器1C30W对行业：相关数据表明，在低压市场，GaN的应用潜力甚至可以占据到整个功率市场约68%的比重。另一点可能是你比较意外的，那就是GaN技术还可以有效降低碳排放。其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用GaN功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40%的能源浪费。

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