《硅光电倍增管可靠性评估方法》征求意见稿

1硅光电倍增管可靠性评估方法本文件适用于硅光电倍增管的可靠性评估，其他类型的雪崩器件可参GB/T4937.4-2012半导体器件.机械和气候试验方法.GB/T21194-2007通信设备用的光电子器件的可靠性GB/T33768-2017通信用光电子器件可IDDCR2对试样进行可靠性调查、分析和评价的一种手段，为故障分析、判断产品是否达到指标要求等提供依据。试样在规定条件下、规定的时间内丧失规定功能的能力时，称为失效。失效判据failurecriteria判定试样失效的依据。4一般要求4.1试验类型试验类型包括：光电特性试验、机械试验、环境试验。4.2试验设备试验设备的维护、校准和调控应符合GB/T19001的相关规定。4.3试验环境除非另有规定，所有试验应在下列标准大气条件的环境中进行：a)温度：15℃~35℃;b)相对湿度：45%～75%;c)大气压力：86kPa～106kPa。注：若另有规定，可在试验报告上注明试验环境条件。5光电性能测试方法5.1暗电流测试原理图见图1。图1暗电流测试原理图5.1.1测试步骤测试步骤如下：a)按图1连接测试系统；b)设置施加在试样两端的反向偏置电压扫描范围，并记录电流值，即为暗电流。5.1.2规定条件：相关文件至少应规定如下条件：a)环境测试温度；b)反向偏置电压。5.2暗计数率测试原理图见图2。图2暗计数率测试原理图5.2.1测试步骤3a)按图2连接测试系统；b)调节稳压源，在试样两端施加规定反向偏置电压；c)测试时间T₀内高于规定阈值的脉冲计数Na;d)按公式(1)得到试样在规定反向偏置电压下的暗计数率DCR。c)规定阈值一般为0.5pe(photonequivalent),即1个光子引发雪崩脉冲幅度的0.5倍。b)试验条件下能够监视试验温度、电压a)环境温度：15℃~35℃;d)测试环境应无影响测量准确度的机械振动、静电、电磁等干扰；g)测试室应具有光屏蔽条件，以避免环境光对试样性能的影响。检测b)暗计数率增加量大于1个数量级；4T/XXXXXXX—XXXXa)器件表面：采用1.5倍～10倍显微镜；b)器件密封处：采用10倍～1000倍显微镜；c)其他：采用5倍～1000倍显微镜。在1.5倍～10倍的显微镜下对试样表面进行检查，器件密封处应在10倍～1000倍的显微镜下检查，其他外部检查应在5倍～1000倍的显微镜下进行。a)试验结束后，按照本文件6.2完成目检；b)按照本文件5.1-5.2规定的条件和要求完成光电性能测试。当出现本文件和6.2.5和中的任意情况时视为失效。a)试验结束后，按照本文件6.2完成目检；b)按照本文件5.1-5.2规定的条件和要求完成光电性能测试。当出现本文件和6.2.5中的任意情况时视为失效。试验目的5试验设备的信息见GB/T33768-2017其中的GB/T33768-2017为规试验步骤的信息见GB/T33768-20b)按照本文件5.1-5.2规定的条件试验条件的信息见GB/T4937.4-20a)试验前在规定的温度下完成试样光电特性测试；b)其余试验步骤的信息见GB/T4937.4-201256b)其余试验步骤的信息见GB/T4937.13-2012b)电压电流表、光源、衰减器、示波器、光功率计、读出电路等；c)试验条件下能够监视试验温度、电压、电流、输出波形的装置；d)能使试样引出端有可靠的光电连接的光电插座和其他安装形式。试验条件的信息见GB/T33768-20175试验步骤的信息见GB/T33768-20175检测要求的信息见GB/T33768-20177[1]Jackson,C.,O’Nei