芯片生产全过程

芯片生产全过程1编辑ppt摩尔1965年发表文章图片2编辑ppt3编辑ppt4编辑ppt摩尔定律〔18个月翻一番〕验证5编辑ppt晶圆图片6编辑ppt晶圆图片7编辑pptAMDROADMAP20078编辑ppt我国2007芯片产业9编辑ppt从沙子到芯片-1沙子：硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25％的硅元素，以二氧化硅(SiO2)的形式存在，这也是半导体制造产业的根底。10编辑ppt从沙子到芯片-2硅熔炼：12英寸/300毫米晶圆级，下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，学名电子级硅(EGS)，平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的，最后得到的就是硅锭(Ingot)。11编辑ppt从沙子到芯片-3单晶硅锭：整体根本呈圆柱形，重约100千克，硅纯度99.9999％。12编辑ppt从沙子到芯片-3硅锭切割：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆(Wafer)。顺便说，这下知道为什么晶圆都是圆形的了吧？。13编辑ppt从沙子到芯片-3晶圆：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，外表甚至可以当镜子。事实上，Intel自己并不生产这种晶圆，而是从第三方半导体企业那里直接购置成品，然后利用自己的生产线进一步加工，比方现在主流的45nmHKMG(高K金属栅极)。值得一提的是，Intel公司创立之初使用的晶圆尺寸只有2英寸/50毫米。14编辑ppt从沙子到芯片-3光刻胶(PhotoResist)：图中蓝色局部就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。15编辑ppt从沙子到芯片-3光刻：光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下，变得可溶，期间发生的化学反响类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案。一般来说，在晶圆上得到的电路图案是掩模上图案的四分之一。16编辑ppt从沙子到芯片-3光刻：由此进入50-200纳米尺寸的晶体管级别。一块晶圆上可以切割出数百个处理器，不过从这里开始把视野缩小到其中一个上，展示如何制作晶体管等部件。晶体管相当于开关，控制着电流的方向。现在的晶体管已经如此之小，一个针头上就能放下大约3000万个。17编辑ppt从沙子到芯片-3溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，去除后留下的图案和掩模上的一致。18编辑ppt从沙子到芯片-3蚀刻：使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆局部，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的局部。19编辑ppt从沙子到芯片-3去除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部去除后就可以看到设计好的电路图案。20编辑ppt从沙子到芯片-3光刻胶：再次浇上光刻胶(蓝色局部)，然后光刻，并洗掉曝光的局部，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那局部材料。21编辑ppt从沙子到芯片-3离子注入(IonImplantation)：在真空系统中，用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。经过电场加速后，注入的离子流的速度可以超过30万千米每小时

22编辑ppt从沙子到芯片-3去除光刻胶：离子注入完成后，光刻胶也被去除，而注入区域(绿色局部)也已掺杂，注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。23编辑ppt从沙子到芯片-3晶体管就绪：至此，晶体管已经根本完成。在绝缘材(品红色)上蚀刻出三个孔洞，并填充铜，以便和其它晶体管互连。24编辑ppt从沙子到芯片-3电镀：在晶圆上电镀一层硫酸铜，将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极(阳极)走向负极(阴极)。25编辑ppt从沙子到芯片-3铜层：电镀完成后，铜离子沉积在晶圆外表，形成一个薄薄的铜层。26编辑ppt从沙子到芯片-3抛光：将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶圆外表。27编辑ppt从沙子到芯片-3金属层：晶体管级别，六个晶体管的组合，大约500纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层，具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片外表看起来异常平滑，但事实上可能包含20多层复杂的电路，放大之后可以看到极其复杂的电路网络，形如未来派的多层高速公路系统。28编辑ppt从沙子到芯片-3晶圆测试：内核级别，大约10毫米/0.5英寸。图中是晶圆的局部，正在接受第一次功能性测试，使用参考电路图案和每一块芯片进行比照。29编辑ppt从沙子到芯片-3晶圆切片(Slicing)：晶圆级别，300毫米/12英寸。将晶圆切割成块，每一块就是一个处理器的内核(Die)。30编辑ppt从沙子到芯片-3丢弃瑕疵内核：晶圆级别。测试过程中发现的有瑕疵的内核被抛弃，留下完好的准备进入下一步。31编辑ppt从沙子到芯片-3单个内核：内核级别。从晶圆上切割下来的单个内核，这里展示的是Corei7的核心。32编辑ppt从沙子到芯片-3封装：封装级别，20毫米/1英寸。衬底(基片)、内核、散热片堆叠在一起，就形成了我们看到的处理器的样子。衬底(绿色)相当于一个底座，并为处理器内核提供电气与机械界面，便于与PC系统的其它局部交互。散热片(银色)就是负责内核散热的了。33编辑ppt从沙子到芯片-3处理器：至此就得到完整的处理器了(这里是一颗Corei7)。这种在世界上最干净的房间里制造出来的最复杂的产品实际上是经过数百个步骤得来的，这里只是展示了其中的一些关键步骤。34编辑ppt从沙子到芯片-3等级测试：最后一次测试，可以鉴别出每一颗处理器的关键特性，比方最高频率、功耗、发热量等，并决定处理器的等级，比方适合做成最高端的Corei7-975Extreme，还是低端型号Corei7-920。35编辑ppt从沙子到芯片-3装箱：根据等级测试结果将同样级别的处理器放在一起装运。36编辑ppt从沙子到芯片-3零售包装：制造、测试完毕的处理器要么批量交付给OEM厂商，要么放在包装盒里进入零售市场。这里还是以Corei7为例。37编辑ppt晶圆的生产工艺流程：从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序〔其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序〕：晶棒成长--晶棒裁切与检测--外径研磨--切片--圆边--表层研磨--蚀刻--去疵--抛光--清洗--检验--包装1、晶棒成长工序：它又可细分为：1〕、融化〔MeltDown〕：将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。2〕、颈部成长〔NeckGrowth〕：待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸〔一般约6mm左右〕，维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。3〕、晶冠成长〔CrownGrowth〕：颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸〔如5、6、8、12吋等〕。4〕、晶体成长〔BodyGrowth〕：不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度到达预定值。5〕、尾部成长〔TailGrowth〕：当晶棒长度到达预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以防止因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全别离。到此即得到一根完整的晶棒。2、晶棒裁切与检测〔Cutting&Inspection〕：将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾局部，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。3、外径研磨〔SurfaceGrinding&Shaping〕：由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。4、切片〔WireSawSlicing〕：由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。5、圆边〔EdgeProfiling〕：由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为防止边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片外表光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。6、研磨〔Lapping〕：研磨的目的在于去掉切割时在晶片外表产生的锯痕和破损，使晶片外表到达所要求的光洁度。7、蚀刻〔Etching〕：以化学蚀刻的方法，去掉经上几道工序加工后在晶片外表因加工应力而产生的一层损伤层。8、去疵〔Gettering〕：用喷砂法将晶片上的瑕疵与缺陷感到下半层，以利于后序加工。9、抛光〔Polishing〕：对晶片的边缘和外表进行抛光处理，一来进一步去掉附着在晶片上的微粒，二来获得极佳的外表平整度，以利于