第5章磁电式传感器课件

2023/12/51第5章磁电式传感器麦克斯韦电磁场理论

变化的磁场在周围空间产生电场，当闭合回路导体处在此电场中时，导体中的自由电子在电场力作用下作定向移动而产生感应电流；如果不是闭合回路，则导体中自由电子的定向移动使断开处两端积累正、负电荷而产生感应电动势。

被测量→电信号分类：磁电感应式、霍尔式2023/12/52一磁电感应式传感器1、工作原理法拉第电磁感应定律：Φ为磁通量B为磁感应强度l为导体长度v相对运动速度磁铁与线圈之间作相对运动磁路中的磁阻变化恒定磁场中的线圈面积变化Φ磁通量变化关键2023/12/53其中：1-永久磁铁2-软磁铁3-感应线圈4-测量齿轮5-内齿轮6-外齿轮7-转轴(1)变磁通式a开磁通式b闭磁通式磁电感应式传感器分类：变磁通式和恒磁通式2023/12/54①开磁路变磁通式：线圈、磁铁静止不动，测量齿轮安装在被测旋转体上，随之一起转动。每转动一个齿，齿的凹凸引起磁路磁阻变化一次，磁通也就变化一次，线圈中产生感应电势，其变化频率等于被测转速与测量齿轮齿数的乘积。

这种传感器结构简单,但输出信号较小,且因高速轴上加装齿轮较危险而不宜测量高转速。2023/12/55②闭磁路变磁通式：它由装在转轴上的内齿轮和外齿轮、永久磁铁和感应线圈组成，内外齿轮齿数相同。当转轴连接到被测转轴上时，外齿轮不动,内齿轮随被测轴而转动，内、外齿轮的相对转动使气隙磁阻产生周期性变化，从而引起磁路中磁通的变化，使线圈内产生周期性变化的感生电动势。

显然，感应电势的频率与被测转速成正比。采用测频的方法可以得到被测物体的转动速度。开磁路式转速传感器结构比较简单，但输出信号小，另外当被测轴振动比较大时，传感器输出波形失真较大。在振动强的场合往往采用闭磁路式转速传感器。2023/12/57(2)恒定磁通式工作气隙中的磁通恒定永久磁铁

线圈相对运动线圈不动，磁铁运动线圈运动，磁铁不动动圈式动铁式2023/12/58感应电动势与线圈相对磁铁运动线速度或角速度正比B——气隙磁感应强度(Wb/m2)l——线圈导线总长度(m)S——线圈所包围的面积(m2)v——线圈和磁铁间相对运动的速度(m/s)ω——线圈和磁铁间相对旋转运动的角速(rad/s)α——运动方向与磁感应强度方向的夹角式中：磁铁和线圈的相对运动产生切割磁力线从而产生感应电势2023/12/59磁电式传感器：利用，测量量变化→感应电压e有源传感器电磁式传感器：利用衔铁运动，Rm变化→L变化→U

变化无源传感器注意与电磁式传感器区别2023/12/5102、基本特性当测量电路接入磁电传感器电路中,传感器的输出电流Io为

式中:Rf——测量电路输入电阻l——每匝线圈平均长度

R——线圈等效电阻N——线圈匝数传感器的电流灵敏度为运动速度传感器ERRfI02023/12/511而传感器的输出电压和电压灵敏度分别为：

当传感器的工作温度发生变化或受到外界磁场干扰、机械振动或冲击时,其灵敏度将发生变化而产生测量误差。相对误差为：2023/12/512(1)非线性误差

磁电式传感器产生非线性误差的主要原因是:

由于传感器线圈内有电流I流过时，将产生一定的交变磁通ΦI，此交变磁通叠加在永久磁铁所产生的工作磁通上，使恒定的气隙磁通变化，如图所示2023/12/513当产生的附加磁场方向与原工作磁场方向相反，减弱了工作磁场的作用，从而使得传感器的灵敏度随着被测速度的增大而降低。当线圈的运动速度与图所示方向相反时，感生电势E、线圈感应电流反向，所产生的附加磁场方向与工作磁场同向,从而增大了传感器的灵敏度。其结果是线圈运动方向不同时,传感器的灵敏度具有不同的数值2023/12/514为补偿上述附加磁场干扰,可在传感器中加入补偿线圈,如图所示。补偿线圈通以经放大K倍的电流,适当选择补偿线圈参数,可使其产生的交变磁通与传感线圈本身所产生的交变磁通互相抵消,从而达到补偿的目的。补偿线圈2023/12/515对铜线而言，当温度变化时每摄氏度变化量为：dL/L≈0.167×10-4

dR/R≈0.43×10-2

温度变化时对铝镍钴永久磁合金dB/B≈-0.02×10-2这样可得近似值：γt≈(-4.5%)/10℃这一数值是很可观的,所以需要进行热磁分流器温度补偿。(2)温度误差2023/12/516热磁分流器由具有很大负温度系数的特殊磁性材料做成。温度正常时将空气气隙磁通分路掉一小部分；而当温度过高时，它的磁导率显著下降，分流掉的磁通显著降低，从而保持空气气隙的工作磁通不随温度变化，维持传感器灵敏度为常数。2023/12/517磁电式传感器是速度传感器，通常具有较高的灵敏度，不需要增益放大器。积分：将速度转换成位移，s＝∫vdt微分：速度转换成加速度，a＝dv/dt磁电式传感器量程选择321前置放大微分电路积分电路主放大器显示或记录3’2’1’3、测量电路2023/12/518(1)磁电式相对速度计

1-顶杆2,5-弹簧片3-磁铁4-线圈6-引出线7-外壳4、应用

测量时，壳体固定在一个试件上，顶杆顶住另一试件，则线圈在磁场中运动速度就是两试件的相对速度。速度计的输出电压与两试件的相对速度成正比。相对式速度计可测量的最低频率接近于零。2023/12/519(2)磁电式扭矩传感器2023/12/520在驱动源和负载之间的扭转轴的两侧安装有齿形圆盘，它们旁边装有相应的两个磁电传感器。当齿形圆盘旋转时，圆盘齿凸凹引起磁路气隙的变化，于是磁通量也发生变化，在线圈中感应出交流电压，其频率等于圆盘上齿数与转数乘积。当扭矩作用在扭转轴上时，两个磁电传感器输出的感应电压u1和u2存在相位差。这个相位差与扭转轴的扭转角成正比。这样传感器就可以把扭矩引起的扭转角转换成相位差的电信号。2023/12/521二霍尔式传感器1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应,但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着半导体技术的发展,开始用半导体材料制成霍尔元件,由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。霍尔效应置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上垂直于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应。该电势称霍尔电势，半导体薄片称霍尔元件。

霍尔式传感器一、霍尔传感器工作原理霍尔器件是一种磁电传感器，其工作机理是霍尔效应。图2.1霍尔效应原理图如图2.1所示，在垂直于外磁场B的方向上放置一导电板，导电板通以电流I，方向如图所示。霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果。

霍尔式传感器导电板中的电流使金属中自由电子在电场作用下做定向运动。此时，每个电子受洛伦兹力fl的作用，f1的大小为fl=eBv式中：e——电子电荷；v——电子运动平均速度；B——磁场的磁感应强度。

霍尔式传感器fl的方向如图2.1，此时电子除了沿电流反方向作定向运动外，还在fl的作用下漂移，结果使金属导电板内侧面积累电子，而外侧面积累正电荷，从而形成了附加内电场EH，称霍尔电场。该电场强度为式中,UH为电位差,b为两点间沿电场线方向的距离。

霍尔式传感器霍尔电场的出现，使定向运动的电子除了受洛伦兹力作用外，还受到霍尔电场力的作用，其力的大小为eEH，此力阻止电荷继续积累。随着内、外侧面积累电荷的增加，霍尔电场增大，电子受到的霍尔电场力也增大，当电子所受洛伦兹力与霍尔电场作用力大小相等、方向相反，即eEH=eBv

EH=vB此时电荷不再向两侧面积累，达到平衡状态。

霍尔式传感器霍尔效应演示当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势cdab若薄片为N型半导体，导电板单位体积内载流子（电子）数为n，电子定向运动平均速度为v，则激励电流I=n(-e)vbd，即代入上两式得

霍尔式传感器式中令RH=-1/ne，称之为霍尔常数（反映霍尔效应强弱），其大小取决于导体载流子密度,则式中,KH=RH/d称为霍尔片的灵敏度。上述推导是针对N型半导体，对于P型半导体，则 式中：

霍尔式传感器

对霍尔片材料的要求,希望有较大的霍尔系数RH,霍尔元件激励极间电阻R=ρL/(bd),同时R=UI/I=EIL/I=L/(μnebd),其中UI为加在霍尔元件两端的激励电压，EI为霍尔元件激励极间内电场强度，μ－载流子的迁移率，即单位电场作用下载流子的运动速度，μ=v/E。则可见，霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度，其灵敏度与霍尔系数RH成正比而与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏度，霍尔元件常制成薄片形状。

霍尔式传感器由电阻率ρ＝1/neμ或1/peμ

，得RH=ρμ从RH表达式可知，霍尔系数等于霍尔片材料的电阻率与电子迁移率μ的乘积。若要霍尔效应强，即霍尔电势大，则RH值大，因此要求霍尔片材料有较大的电阻率和载流子迁移率。

霍尔式传感器一般金属材料载流子迁移率很高,但电阻率很小;而绝缘材料电阻率极高,但载流子迁移率极低。故只有半导体材料适于制造霍尔片。半导体中电子迁移率（电子定向运动平均速度）比空穴迁移率高，因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件。目前常用的霍尔元件材料有:锗、硅、砷化铟、锑化铟等半导体材料。

霍尔式传感器霍尔元件的结构很简单，它是由霍尔片、四根引线和壳体组成的，如图二.2(a)所示。霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片，引出四根引线：1、1′两根引线加激励电压或电流，称激励电极（控制电极）；2、2′引线为霍尔输出引线，称霍尔电极。霍尔元件的壳体是用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装的。在电路中，霍尔元件一般可用两种符号表示，如图二.2(b)所示。二、霍尔元件的结构和基本电路

霍尔式传感器图二.2霍尔元件（a）外形结构示意图HABCDBCDA（b）图形符号霍尔元件的基本测量电路如图所示，激励电流由电压源供给，其大小可由可变电阻调节。

霍尔式传感器控制电流端并联输出电势为：2倍控制电流端串联次级绕阻叠加输出E++++++++++----------直流供电方式：~交流供电方式：

霍尔式传感器(1)额定激励电流和最大允许激励电流

额定激励电流：当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。

最大允许控制电流：以元件允许最大温升为限制所对应的激励电流值。三、霍尔元件的主要特性参数

霍尔式传感器(2）输入电阻和输出电阻输入电阻：激励电极间的电阻值称为输入电阻。输出电阻：输出霍尔电势电极间的电阻。以上电阻值是在磁感应强度为零，且环境温度在20℃±5℃时所确定的。

霍尔式传感器(3）不等位电势和不等位电阻当霍尔元件的激励电流为I时，若元件所处位置磁感应强度为零，则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零。这时测得的空载霍尔电势称为不等位电势。如图二.3所示。

霍尔式传感器图二.3不等位电势示意图不等位电势也可用不等位电阻表示，即由式可以看出，不等位电势就是激励电流流经不等位电阻r0所产生的电压。

霍尔式传感器产生这一现象的原因有：①霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上；②半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀；③激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。(4）寄生直流电势（霍尔元件零位误差的一部分）在外加磁场为零、霍尔元件用交流激励时，霍尔电极输出除了交流不等位电势外，还有一直流电势，称为寄生直流电势。寄生直流电势产生的原因有：①激励电极、霍尔电极与霍尔元件接触不良，造成整流效果；②两个霍尔电极大小不对称，则两个电极点的热容不同，散热状态不同而形成极间温差电势。

霍尔式传感器(5）霍尔电势温度系数在一定磁感应强度和激励电流下，温度每变化1℃时，霍尔电势变化的百分率称为霍尔电势温度系数。对于霍尔元件中存在的误差必须进行补偿。

霍尔式传感器不等位电势与霍尔电势具有相同的数量级，有时甚至超过霍尔电势，而实用中要消除不等位电势是极其困难的，因而必须采用补偿的方法。（1）工艺上保证电极对称，实现欧姆接触；（2）电路补偿四、霍尔元件误差及补偿1.不等位电势误差的补偿

霍尔式传感器图二.4为霍尔元件的等效电路，其中A、B为霍尔电极，C、D为激励电极，电极分布电阻分别用r1、r2、r3、r4表示，把它们看作电桥的四个桥臂。图二.4霍尔元件的等效电路可以把霍尔元件视为一个四臂电阻电桥，不等位电势就相当于电桥的初始不平衡输出电压。

霍尔式传感器此时可根据A、B两点电位的高低，判断应在某一桥臂上并联一定的电阻，使电桥达到平衡，从而使不等位电势为零。几种补偿线路如图二.5所示。图二.5不等位电势补偿电路

霍尔式传感器2.温度误差及其补偿温度误差产生原因：霍尔元件的基片是半导体材料，因而对温度的变化很敏感。其中载流子浓度和载流子迁移率、电阻率和霍尔系数都是温度的函数。当温度变化时，霍尔元件的一些特性参数，如霍尔电势、输入电阻和输出电阻等都要发生变化，从而使霍尔式传感器产生温度误差。

霍尔式传感器减小霍尔元件的温度误差选用温度系数小的元件采用恒温措施采用电路补偿

霍尔式传感器霍尔元件的灵敏系数KH也是温度的函数，它随温度变化将引起霍尔电势的变化。霍尔元件的灵敏度系数与温度的关系可写成KH=KH0(1+αΔT)

式中：

KH0——温度T0时的KH值；

ΔT=T-T0——温度变化量；

α——霍尔电势温度系数。

恒流源温度补偿

霍尔式传感器大多数霍尔元件的温度系数α是正值，它们的霍尔电势随温度升高而增加αΔT倍。但如果同时让激励电流IH相应地减小，并能保持KH·IH

乘积不变，也就抵消了灵敏系数KH增加的影响。

霍尔式传感器图二.6就是按此思路设计的一个既简单，补偿效果又较好的补偿电路。电路中Is为恒流源，分流电阻Rp与霍尔元件的激励电极相并联。当霍尔元件的输入电阻随温度升高而增加时，旁路分流电阻Rp自动地增大分流，减小了霍尔元件的激励电流IH，从而达到补偿的目的。恒流源温度补偿电路图二.6在图二.6所示的温度补偿电路中，设初始温度为T0，霍尔元件输入电阻为Ri0，灵敏系数为KH0，温度补偿电阻为Rp0，根据分流概念得当温度升至T时，电路中各参数变为式中：δ——霍尔元件输入电阻温度系数；

β——分流电阻温度系数。

霍尔式传感器则虽然温度升高了ΔT，为使霍尔电势不变，补偿电路必须满足温升前、后的霍尔电势不变，即UH0=UH，则KH0IH0B=KHIHB

KH0IH0=KHIH

霍尔式传感器经整理并略去αβ(ΔT)2高次项后得当霍尔元件选定后，它的输入电阻Ri0和温度系数δ及霍尔电势温度系数α是确定值。由上式即可计算出分流电阻Rp0及所需的温度系数β值。为了满足Rp0及β两个条件，分流电阻可取温度系数不同的两种电阻的串、并联组合，这样虽然麻烦但效果很好。

霍尔式传感器合理选择负载电阻当温度为T时RL上的电压表示为：当温度由T变成T+ΔT时，则RL上的电压变为

霍尔式传感器要使UL不受温度变化影响，即ΔUL=0，由上两式可知整理得:

霍尔式传感器采用热敏元件对于由温度系数大的半导体材料（锑化铟）制成的霍尔元件，常采用下图的温度补偿电路在安装测量电路时，热敏元件最好和霍尔元件封装在一起或尽量靠近，以使二者温度变化一致。

霍尔式传感器2023/12/556三、霍尔式传感器的应用

霍尔电势是关于I、B、

三个变量的函数，即EH=KHIBcos

。利用这个关系可以使其中两个量不变，将第三个量作为变量，或者固定其中一个量，其余两个量都作为变量。这使得霍尔传感器有许多用途。2023/12/557（1）当B恒定，UH与I呈线性关系（2）当I恒定，UH与B成正比（3）当I恒定，元件在均匀梯度磁场中运动时直接测量电流能转换成电流的其它物理量测量交、直流磁感应强度可测量微位移，以及压力、加速度、振动等（4）当B→励磁电流I2时，UH＝KI1I2霍尔元件做成乘法器、乘方器、开方器、除法器2023/12/558霍尔特斯拉计霍尔元件2023/12/559霍尔传感器用于测量磁场强度

霍尔元件测量铁心气隙的B值2023/12/560

霍尔元件具有结构简单、体积小、动态特性好和寿命长的优点,在位移测量中得到广泛应用。霍尔式微位移传感器2023/12/561霍尔转速表

在被测转速的转轴上安装一个齿盘，也可选取机械系统中的一个齿轮，将线性型霍尔器件及磁路系统靠近齿盘。齿盘的转动使磁路的磁阻随气隙的改变而周期性地变化，霍尔器件输出的微小脉冲信号经隔直、放大、整形后可以确定被测物的转速。SN线性霍尔磁铁2023/12/562霍尔转速表原理

当齿对准霍尔元件时，磁力线集中穿过霍尔元件，可产生较大的霍尔电动势，放大、整形后输出高电平；反之，当齿轮的空挡对准霍尔元件时，输出为低电平。2023/12/563霍尔转速传感器在汽车防抱死装置（ABS）中的应用

若汽车在刹车时车轮被抱死，将产生危险。用霍尔转速传感器来检测车轮的转动状态有助于控制刹车力的大小。带有微型磁铁的霍尔传感器钢质霍尔2023/12/564霍尔转速表的安装方法

只要黑色金属旋转体的表面存在缺口或突起，就可产生磁场强度的脉动，从而引起霍尔电势的变化，产生转速信号。霍尔元件磁铁2023/12/565输入轴转盘霍尔元件磁铁2023/12/566输入轴转盘霍尔元件磁铁2023/12/567输入轴转盘霍尔元件磁铁2023/12/568输入轴转盘霍尔元件磁铁2023/12/569霍尔无刷电机2023/12/570

霍尔式无刷电动机取消了换向器和电刷，而采用霍尔元件来检测转子和定子之间的相对位置，其输出信号经放大、整形后触发电子线路，从而控制电枢电流的换向，维持电动机的正常运转。由于无刷电动机不产生电火花及电刷磨损等问题，所以它在录像机、CD唱机、光驱等家用电器中得到越来越广泛的应用。普通直流电动机使用的电刷和换向器2023/12/571无刷电动机在电动自行车上的应用电动自行车可充电电池组无刷电动机2023/12/572无刷电动机在电动自行车上的应用

无刷直流电动机的外转子采用高性能钕铁硼稀土永磁材料；三个霍尔位置传感器产生六个状态编码信号，控制逆变桥各功率管通断，使三相内定子线圈与外转子之间产生连续转矩，具有效率高、无火花、可靠性强等特点。2023/12/573电动自行车的无刷电动机及控制电路去速度控制器

利用PWM调速2023/12/574光驱用的无刷电动机内部结构2023/12/575霍尔式接近开关

当磁铁的有效磁极接近、并达到动作距离时，霍尔式接近开关动作。霍尔接近开关一般还配一块钕铁硼磁铁。2023/12/576霍尔式接近开关

用霍尔IC也能完成接近开关的功能，但是它只能用于铁磁材料的检测，并且还需要建立一个较强的闭合磁场。

在右图中，当磁铁随运动部件移动到距霍尔接近开关几毫米时，霍尔IC的输出由高电平变为低电平，经驱动电路使继电器吸合或释放，控制运动部件停止移动（否则将撞坏霍尔IC）起到