模拟电子电路第7章

第7章常用半导体器件教学目标与要求熟悉半导体的导电特性。掌握PN结的特性。

了解二极管、三极管和场效应管的结构和工作原理，掌握其特性曲线及其主要参数。

了解发光二极管、光电二极管、光电三极管和光电耦合器等新型半导体器件的结构及工作原理。

7.1半导体的基本知识物质的分类（按导电性能分）①导体：低价元素（如Cu、AI等）导电性能好②绝缘体：高价元素（如惰性气体）或高分子物质（如橡胶）导电性能极差③半导体：四价元素（如Si、Ge等）导电性能介于导体和绝缘体之间（1）热敏特性半导体的多变特性（2）光敏特性温度升高导电能力显著变化。如热敏电阻光线照射导电能力显著变化。如光电二极管载流子（3）掺杂特性在本征半导体中掺入少量的有用的杂质，导电能力显著增强。如二极管、晶体管等。7.1.1本征半导体定义SiSiSiSiSiSiSiSiSi共价键价电子晶体原子的结合方式共价键纯净的具有单晶体结构的半导体称为本征半导体。如图所示

2.本征半导体的特点（1）有两种载流子，即自由电子和空穴，且数目相等，即成对出现。（2）可形成两种电流，即电子电流和空穴电流。空穴自由电子注意

（1）金属导体只有一种载流子即自由电子。本证激发复合（2）本证半导体中，自由电子和空穴的浓度相等。SiSiSiSiSiSiSiSiSi（3）本征半导体中载流子的浓度与环境温度有关；温度T载流子的浓度导电能力增强（4）导电能力仍不如导体。

（5）绝对零度（T=0K）时，本征半导体成为绝缘体。

7.1.2杂质半导体①N型半导体②P型半导体多余电子

在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷）

N型半导体的特点：

①有两种载流子，即自由电子和空穴。自由电子是多子，空穴是少子；1.N型半导体N型半导体SiSiSiP+SiSiSiSiSi

②主要靠自由电子导电。2.P型半导体

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）P型半导体SiSiSiSiB-SiSiSiSi空位空穴

P型半导体的特点：

①有两种载流子，即自由电子和空穴。空穴是多子，自由电子是少子；

②主要靠空穴导电。特别提示

杂质半导体中的杂质原子必须是微量的，且有用，否则将改变半导体的晶体结构。

在杂质半导体中，所掺杂质的浓度基本上决定了多子的浓度；而温度决定少子的浓度。

杂质半导体（N型半导体或P型半导体）仍呈中性。

7.2PN结

7.2.1PN结的形成

扩散运动漂移运动动态平衡（一定宽度）空间电荷区PN结---------------+++++++++++++++P区多子N区多子---------------+++++++++++++++空间电荷区内电场说明空间电荷区又称耗尽层

7.2.2PN结的单向导电性

1.PN结正向偏置外加正向电压或正向接法特别提示

PN结的正向电流可视为由多子的扩散运动形成的。---------------+++++++++++++++空间电荷区内电场RUS外电场变窄内电场外电场USRP区N区---+++I

2.PN结反向偏置外加反向电压或反向接法特别提示

PN结的反向电流可视为由少子的漂移运动形成。---------------+++++++++++++++空间电荷区内电场RUS外电场---------+++++++++变宽内电场RUS外电场I

PN结的反向电流对温度很敏感。

PN结正向偏置空间电荷区变窄正向电阻很小正向电流较大PN结导通

PN结反向偏置空间电荷区变宽

（理想时为∞）反向电流（反向饱和电流）极小（理想时为0）PN结截止反向电阻很大PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止单向导电性结论（理想时为0）说明PN结的结电容Cj①势垒电容Cb②扩散电容CdCj=Cb+Cd

7.2.3PN结的电流方程IS：反向饱和电流q：电子电量k：波尔兹曼常数T：热力学温度温度的电压当量则常温时，即T=300K（即27℃）时，UT≈26mV说明构成:实质上就是一个PN结PN结+引线+管壳7.3二极管+-阳极阴极

特性：单向导电性外形及图形符号阳极阴极PN7.3.1二极管的类型和结构

1.二极管的类型按所用材料不同分①硅管②锗管按用途不同分①普通管②整流管③开关管按内部结构不同分①点接触型②面接触型③平面型大功率整流元件多为锗管多为硅管1.二极管的结构（1）点接触型金属触丝阳极引线N型锗片阴极引线外壳结面积小、结电容小、正向电流小。特点用途用于高频电路的检波和变频等。（2）面接触型结面积大、正向电流大、结电容大。特点用途多用于工频大电流整流电路。（3）平面型铝合金小球N型硅阳极引线PN结金锑合金底座阴极引线结面积可大可小。特点用途多用于低频整流和开关电路中。阴极引线阳极引线SiO2保护层P型硅N型硅1.2.2、二极管的伏安特性硅管0.5V锗管0.1V反向击穿电压U(BR)导通压降

外加电压大于死区电压二极管才能导通。

外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。正向特性反向特性特点硅0.6~0.8V典型值0.7V锗0.1~0.3V典型值0.2V死区电压

反向电流在一定电压范围内保持常数。uiPN+–PN–+非线性

二极管的特性与环境温度有关。当环境温度升高时，正向特性曲线将左移，反向特性曲线将下移，反向饱和电流将增加，而反向击穿电压将降低，如图所示。

特别提示Ou/Vi/mA25℃60℃U(BR)Bi/μA死区电压正向特性反向特性A

一般地，硅二极管所允许的结温比锗二极管的高（硅管的最高结温约为150℃，锗管的约为90℃），故大功率的二极管几乎均为硅管。

二极管的正向特性曲线不是直线，而是近似为指数曲线。故二极管是一个非线性器件。7.3.3二极管的主要参数1.最大整流电流IFM：指平均值。要求IVD(AV)≤IFM2.最高反向工作电压URM：指最大值。要求URm≤URM3.最大反向电流IRM:要求IRM4.最高工作频率fM好注意：IRM对温度十分敏感。7.3.4二极管的主要用途1.整流将大小和方向随时间变化的交流电压变成单一方向的、脉动的直流电压的过程称为整流。整流原理详见第12章。2.检波调制的方式通常分为调幅、调频和调相三种。tuo调制信号O低通滤波器包络检波原理检波输出调幅波检波器ui载波调制信号Ot3.限幅将输出电压的幅值限制在一定数值范围之内的电路称为限幅器。限幅器又称为削波器。4.钳位将电路中某点的电位钳制在某一数值上，称为钳位。5.保护保护电路中某些元器件，防止受到过电压而损坏。

二极管电路分析举例定性分析：判断二极管的工作状态导通截止若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。否则，正向管压降硅0.6～0.8V（典型值取0.7V）锗0.1～0.3V（典型值取0.2V）-10（b）波形图uo/VOωt5.7-5.7π2π3π10ui【例7-1】如图（a）所示电路，设输入电压，，US1＝US2＝5V，VD1和VD2均为硅管，其正向导通电压降UVD＝0.7V。试画出输出电压uo的波形。VD1VD2Ruiuo+-US1US2+-（a）【解】当ui≥5.7V时，VD1导通，VD2因反向偏置而截止，uo＝UVD1＋US1＝5.7V。当ui≤－5.7V时，VD1因反向偏置而截止，VD2导通，uo＝－UVD2＋US2＝－5.7V。当－5.7V＜ui＜5.7V时，VD1和VD2均截止，uo＝ui。输出电压uo的波形如图（b）所示。分析二极管电路的一般方法：若U阳>U阴或UVD为正(正向偏置)，二极管导通将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压UVD的正负。若U阳<U阴或UVD为负(反向偏置)，二极管截止【例7-2】如图（a）所示电路，VD为硅管，其正向导通电压降，，，，。试求输出端电压uO。AUS1US2VDR1R2+-UOBC（a）原电路

可见，A点的电位高于B点的电位。若将二极管接入电路中，则二极管的阳极电位高于阴极电位，故二极管因正向偏置而导通。【解】先将二极管从电路中断开，并设C点接地，如图（b）所示。则A点的电位B点的电位

在此，二极管VD起钳位的作用，它将B点的电位钳制在8.3V上。（b）二极管断开时的电路AUS1US2VDR1R2+-UOBC（a）原电路AUS1US2VDR1R2+-UOBC+-UVD7.4稳压二极管

稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。稳压区：反向击穿区1.符号

2.伏安特性UZIZIZM

UZ

IZu/Vi/mAO3.稳压管的主要参数（1）稳定电压UZ（2）稳定电流

IZ（或IZmin)（4）额定功耗PZM（5）动态电阻rzIZ好要求：rZ好注意稳压管电路中必须要串联限流电阻！UZIZIZM

UZ

IZu/Vi/mAOAB（3）最大稳定电流

IZM

稳压管的正常稳压区在其反向击穿区内。

特别提示

为保证稳压管安全地起到稳压作用，要求

IZ≤IVZ≤IZM

【例7-3】如图所示电路UI＝24V，VZ的型号为2CW58，UZ＝10V，IZ＝5mA，IZM＝23mA，限流电阻R＝500Ω，为保证电路为负载RL提供10V的稳定直流电压，试确定负载电阻RL的适用范围。RRLVZ+-UO+-UIIVZIRIL当稳压管工作于稳压区时，若负载电阻RL最小，则负载电流IL最大。由于IR不变，故由上式可知，稳压管的电流IVZ最小。此时，应有【解】为保证电路输出10V的稳定直流电压，应使稳压管安全地工作于稳压区。根据KCL得解得RRLVZ+-UO+-UIIVZIRIL若负载电阻RL最大，则负载电流IL最小。由于IR不变，故稳压管的电流最大。此时，应有解得RRLVZ+-UO+-UIIVZIRIL所以，负载电阻RL的适用范围为435Ω～2kΩ。

7.5晶体管（晶体三极管、半导体三极管简称三极管或晶体管）晶体管的几种常见外形7.5.1晶体管的类型和结构按构成管子材料的不同分①硅管②锗管按管子内部结构的不同分①平面型管②合金型管按PN结的构成方式不同分①NPN型管②PNP型管多为硅管多为锗管1.类型多为硅管多为锗管2.基本结构晶体管的结构(a)平面型(b)合金型EP型硅N型硅SiO2保护层大铟球N型锗N型硅CBECPP小铟球BPNP型晶体管ECBCE发射区集电区基区集电结发射结PPN基极发射极集电极B（a）结构示意图（b）图形符号NPN型晶体管CEBCE发射区集电区基区集电结发射结NNP基极发射极集电极B（a）结构示意图（b）图形符号构成：三区、三极、两结集电区：掺杂浓度低，面积最大3.结构特点：特别提示晶体管的两个PN结不能用两个二极管来简单的代替。一般地，发射极和集电极不能互换使用。基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高，面积小发射结集电结BECNNP基极发射极集电极7.5.2晶体管的电流放大原理（以NPN管为例）晶体管放大的条件（1）内部条件：管子内部结构要合理（2）外部条件：发射结正偏、集电结反偏如图所示的共射放大电路++-△uO△uIRBRCVCC-VBBVT为保证集电结反偏：要求VCC＞VBBNNPRCVCCVBBIEIBICRbIENICNICBO扩散运动，形成发射极电流IE。由漂移运动，形成集电极电流IC。1.三极管内部载流子的运动规律设△uI=0由复合运动形成基极电流IBIBN2.电流分配关系及电流放大系数若不计从基区扩散到发射区的空穴而形成的扩散电流，则发射极电流集电极电流

ICBO的物理意义是，当发射极断开，集电结反向偏置时，从集电极流向基极的集电结反向饱和电流。

ICBO是由少子的漂移运动所形成的电流，对温度敏感。温度

ICBO

ICBO

A+–VCC于是，有满足KCL

ICE与IBE之比称为共发射极电流放大倍数

ICEO称为穿透电流。其物理意义是，当基极断开时，在集电极电源VCC的作用下，使集电结反向偏置，发射结正向偏置时从集电极流向发射极的电流。

AICEOIB=0+–

ICEO对温度敏感。温度

ICEO，故IC也相应增加。晶体管的温度特性较差。当集电极与发射极之间的电压uCE为常数时，集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比，称为共射交流电流放大系数，即说明①一般，不加严格区分；②一般选β＝几十～100多的管子为好。③PNP型晶体管的放大原理。+UBE

ICIEIB

CVTEB

+UCE

(a)NPN型晶体管电流的实际方向和发射结与集电结的实际极性+UBE

IBIEICCVTEB

+UCE

(b)PNP型晶体管特别提示

一般地，在对放大电路进行分析时，不管是NPN型管还是PNP型管，各电极电流的参考方向均规定为从晶体管的基极和集电极流进，从发射极流出。死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。7.5.3晶体管的输入和输出特性曲线1.输入特性曲线说明

①UCE=0时，输入特性曲线与PN的伏安特性相似；

②UCE曲线右移

③UCE≥1后，曲线基本重合。OiB/

AuBE/VUCE≥1VUCE=0V正常工作时发射结电压：NPN型硅管

uBE

0.6~0.8VPNP型锗管

uBE

(0.1~0.3)V说明

①输出特性曲线是一族曲线；

②曲线的起始部分较陡；

③UCE≥1后，曲线几乎与横轴平行。iC/mAuCE/VIB5

IB4

IB3

IB2OIB1=0临界饱和线饱和区放大区截止区

2.输出特性曲线

④晶体管有三个工作区

（a）放大区外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。iC/mAuCE/VIB5

IB4

IB3

IB2OIB1=0临界饱和线饱和区放大区截止区uBE大于死区电压，且uCE>

uBE输出特性曲线近于平直的区域就是放大区。在放大区（也称为线性区）内，晶体管具有恒流特性。

晶体管放大的特点（b）饱和区-RBRCVCCVT++-iBiCuCEuBEVBB外部条件：发射结正向偏置，集电结正向偏置。uBE大于死区电压，且uCE<uBE

当晶体管工作于放大区时，由图可知uCE＝VCC－iCRC＝VCC－βIBRC

IBuCEuCE=uBE临界饱和状态集电极临界饱和电流基极临界饱和电流硅管UCES=0.7V锗管UCES=0.2VIBuCE<uBE饱和状态晶体管饱和的特点①②uCE很小，NPN硅管PNP锗管的,C和E之间相当于短路.iC/mAuCE/VIB5

IB4

IB3

IB2OIB1=0临界饱和线饱和区放大区截止区如图所示

（c）截止区外部条件：发射结电压小于死区电压，集电结反向偏置。iC/mAuCE/VIB5

IB4

IB3

IB2OIB1=0临界饱和线饱和区放大区截止区晶体管截止的特点①②C和E之间相当于开路.【例7-4】在如图所示的电路中，若VCC＝12V，RB＝5kΩ，RC＝1kΩ，UBE＝0.7V。试分别分析当VBB＝－1V、1V和3V时晶体管的工作状态。-RC+VCCVT++-IBICUCEUBERBVBB集电极临界饱和电流为【解】基极临界饱和电流为（1）当VBB＝－1V时，发射结和集电结均反向偏置，故晶体管处于截止状态。（2）当VBB＝1V时，因为基极电流VT处于放大状态（3）当VBB＝3V时，因为基极电流故VT处于深度饱和状态当发射结正向偏置时,另一种判断方法：先假设晶体管工作于放大状态，求出集-射极电压uCE，然后，判断集电结的偏置情况。（1）若集电结反向偏置（即|uCE|>|uBE|），则晶体管处于放大状态；（2）若集电结正向偏置（即|uCE|＜|uBE|），则晶体管处于饱和状态；（3）若uCE=uBE，则晶体管处于临界饱和状态。说明【例7-5】晶体管VT1三个引脚的直流电位分别为6V、2V和1.3V；晶体管VT2三个引脚直流电位分别为6V、3V和6.2V。试分别指出晶体管各引脚的名称以及管子的类型（NPN型或PNP型、硅管或锗管）。思路：①先定基极

由UE<UB<UC（NPN管）和UC<UB<UE（NPN管）知，中间电位所对应的极为基极B。②再定发射极和集电极

与基极间电压绝对值为0.7V或0.2V的电极为发射极E，则剩下的电极为集电极C。③最后定类型若UB>UE，则为NPN型，否则为NPN型；若|UBE|=0.7V，则为硅管；若为0.2V，则为锗管。7.5.4晶体管的主要参数（1）共射直流电流放大系数（2）共射交流电流放大系数β

1.共射电流放大系数2.极间反向电流①ICBO：集电结反向饱和电流。

②ICEO：穿透电流说明选管原则：β＝几十～100多，好硅管比锗管的热稳定性好4.集电极最大耗散功率PCM

3.集电极最大允许电流

ICM

5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO要求：pC<PCM要求：iC<ICM要求：uCE<u(BR)CEOICM、PCM和U（BR）CEO是晶体管的三个极限参数，是选择管子的主要依据，由其构成了晶体管的安全工作区。U(BR)CEOICMuCEiCO等功耗线PCM=uCEiC过损耗区安全工作区晶体管的安全工作区7.6场效应晶体管

场效应晶体管(FET)是利用外加电压所产生的电场效应来控制电流大小的一种半导体器件。

它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

类型①结型②绝缘栅型（MOS管）

优点：输入电阻大（109Ω

～1014Ω）、噪音低、热稳定性好、抗辐射能力强等N沟道MOS管P沟道MOS管按导电沟道不同分按是否具有原始沟道分增强型MOS管耗尽型MOS管MOS管的类型①N沟道增强型MOS管②P沟道增强型MOS管③N沟道耗尽型MOS管④P沟道耗尽型MOS管7.6.1N沟道MOS管1.N沟道增强型MOS管1）结构及符号栅极和其它电极之间是绝缘的，故称绝缘栅型场效应晶体管，又称为MOS管。漏极金属铝片栅极源极DGSSIO2P型硅衬底N+N+BGSDB耗尽层漏极金属铝片栅极源极DGSSIO2P型硅衬底N+N+BGSDB耗尽层①栅极电流几乎为零，输入电阻很高（最高可达

1014）。说明②栅极电容的形成。2）工作原理（1）uGS对沟道的控制作用当栅源电压uGS

=0时，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结,不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置,漏极电流近似为零。当栅-源极加正向电压，即uGS>0,而uDS=0时，绝缘层与衬底之间形成耗尽层，如图所示。DGSP型硅衬底N+N+B耗尽层P型硅衬底BDGSuGSN+N+耗尽层开启电压UGS(th)：使沟道刚刚形成的栅源电压

uGS反型层加厚沟道电阻变小DGSP型硅衬底N+N+BuGS反型层当uGS耗尽层加厚反型层导电沟道（3）当uGS>UGS(th)且一定时，uDS对iD的影响

uDSuGD沟道变窄（漏极附近）若在漏-源极之间加正向电压，即uDS>0，则导电沟道的形状如图所示。P型硅衬底N+uGSS–G+N+DN沟道–+uDS若uGD=UGS(th)预夹断

uDSP型硅衬底N+uGSS–G+N+DN沟道–+uDSP型硅衬底N+uGSS–G+N+DN沟道–+uDSuDS=uGS-UGS(th)P型硅衬底N+uGSS–G+N+DN沟道–+uDS

预夹断前：d—s间呈电阻特性（沟道电阻基本不变）

uDS夹断区加长

预夹断后：uGD<UGS(th)iD几乎只由uGS决定，与uDS无关恒流特性uGD>UGS(th)，即uDS<uGS-UGS(th)uGD<UGS(th)，即uDS>uGS-UGS(th)3）特性曲线与电流方程（1）输出特性曲线（曲线族）可变电阻区预夹断轨迹说明

Ⅰ预夹断轨迹uDS=uGS-UGS(off)即uGD=UGS(off)

Ⅱ场效应管有三个工作区

外部条件①可变电阻区（又称非饱和区）a.

uGS>UGS(th)>0（正向电压）b.0<uDS<uGS-UGS(th)（正向电压）uDS/ViD/mAOUGS1＝UGS(th)>0UGS2UGS3UGS4UGS增加恒流区夹断区②恒流区（又称饱和区）外部条件a.uGS>uGS(th)>0

（正向电压）b.uDS>uGS-UGS(th)（正向电压）③夹断区外部条件：uGS<UGS(th)特点：a.iD∝uDS

（uGS一定）

RDS特点：a.

uGS

iD

b.uDSiD

几乎不变特点：iD=0b.

uGS可变电阻区预夹断轨迹uDS/ViD/mAOUGS1＝UGS(th)>0UGS2UGS3UGS4UGS增加注意场效应晶体管是电压控制型器件

（2）转移特性uDS/ViD/mAOUGS1＝UGS(th)>0UGS2UGS3UGS4UGS增加无沟道有沟道uGS/VUGS(th)iD/mAO2UGS(th)IDO（3）电流方程[uGS>UGS（th)>0](uDS>uGS-UGS(th))

2.N沟道耗尽型MOS管

耗尽型管和增强型管的主要区别：有无原始导电沟道。1）结构及符号2）工作原理P型硅衬底BDGSN+N+uGS++++N沟道SGDB3）特性曲线与电流方程（b）输出特性曲线uDSiDOUGS＝UGS(off)UGS1＜0UGS2＝0UGS3＞0UGS增加uGS（a）转移特性曲线OiDUGS(off)IDSS(UGS（off)<uGS<0)(uDS>uGS-UGS(off))说明

①N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)为负值；

②工作时uGS在一定范围内可正、可负、可零（一般为负）；漏极饱和电流7.6.2P沟道MOS管G、S之间加一定电压才形成导电沟道在制造时就具有原始导电沟道P沟道GSD增强型N沟道BGSDB耗尽型GSDN沟道P沟道GSDBB名称图形符号转移特性输出特性工作于恒流区条件N沟道增强型

N沟道耗尽型

GDSBGDSBuGSOiDUGS(off)N沟道MOS管的图形符号、特性曲线及放大条件uGS>uGS(th)>0uDS>uGS-uGS(th)>0uGS>uGS(off)uDS>uGS-uGS(off)>0uDSiDuGS>0uGS>0uGS>0OuDSiDOuGS=0uGS<0uGS>0uDS=uGS-uGS(th)uDS=uGS-uGS(off)uGSUGS(th)OiD名称图形符号转移特性输出特性工作于恒流区条件P沟道增强型

P沟道耗尽型

GDSBGDSBP沟道MOS管的图形符号、特性曲线及放大条件uGS<uGS(th)<0uDS<uGS-uGS(th)<0uGS<uGS(off)uDS<uGS-uGS(off)<0UGS(off)OiDuGSuDSiDuGS<0OuGS<0uGS<0uDSiDuGS>0OuGS=0uGS<0uDS=uGS-uGS(th)uDS=uGS-uGS(off)UGS(th)OiDuGS

7.6.3场效应晶体管的主要参数1.开启电压UGS（th)和夹断电压UGS（0ff)2.漏极饱和电流IDSS增强型MOS管的参数结型管和耗尽型MOS管的参数

对于耗尽型管，在UGS=0时产生预夹断时的iD定义为IDSS。UGS（th)UGS（0ff)3.低频跨导gm恒流区时说明①gm是转移特性曲线上某点切线的斜率；②iDgm4.极间电容：

Cgs、Cgd、Cds8.最大耗散功率PDM

7.漏极最大允许电流IDM

9.噪声系数5.栅-源极击穿电压U(BR)GS栅-源极击穿电压是指SiO2绝缘层（指MOS管）被击穿时的栅-源极电压。6.漏-源极击穿电压U(BR)DS漏-源极击穿电压是指漏极和源极耗尽层被击穿时漏-源极电压。场效应晶体管的极限参数，由其输出特性曲线限定了管子的安全工作区NF越小越好注意对于MOS管：③焊接时，电烙铁应好接地。①要避免栅极悬空；②在工作电路中，应给栅-源极间提供直流通路；7.6.4场效应晶体管与晶体管的比较场效应晶体管晶体管只有一种极性的载流子，即多子载流子有两种极性的载流子，即多子和少子控制方式电压控制型电流控制型导电类型N沟道型和P沟道型NPN型和PNP型放大能力输入电阻较低较高功耗很低较高热稳定性好差抗辐射能力强弱噪声系数小大制造工艺简单、成本低较复杂集成化容易较难电极对应关系栅