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文档简介
(2-0)一、二极管与门YD1D2AB+5V逻辑变量逻辑函数(uD=0.3V)000010
ABY100111真值表:逻辑式:Y=A•B逻辑符号&ABY3逻辑门电路二、二极管或门YD1D2AB-12V000011
ABY101111逻辑式:Y=A+B逻辑符号:
ABY真值表:(2-2)RRAY+12V三、三极管非门逻辑式:逻辑符号1AY真值表:
组合逻辑门是由与门、或门、非门中的全部或若干种结合在一起构成的逻辑门。1.与非门
与门在前,非门在后,串联则构成与非门。与非门的真值表和与非运算一致,见右表。与非门的逻辑关系和与门的逻辑关系相反,只有各输入端都是“1”,输出才为“0”,输入端只要有“0”,输出为“1”。与非门的逻辑符号如下图所示。与非门是应用最广的门电路之一。ABY001011101110Y
或门在前,非门在后,串联即可构成或非门。或非门的逻辑关系为:有“1”出“0”,全“0”出“1”,或非门的输出和或门正好相反,或非门的真值表见下表。或非门的逻辑符号如下图所示。2.或非门ABY001010100110
与门在前,后接或非门,则构成与或非门。与或非门的逻辑符号如图所示。若干个与门先分别进行与运算,然后,对与运算的结果再进行或非运算。真值表和逻辑符号如下所示,既可为0,也可为1。3.与或非门
解:由逻辑图可以写出逻辑关系式输出信号Y的波形如图3.8所示。图3.7例3.1图
图3.8例3.1的题解图
【例3.1】试写出图3.7所示电路的逻辑式,并根据给定的输入波形画出输出波形Y。
3.3TTL门电路TTL门电路是由三极管构成的集成电路,属于双极型器件,具有工作速度快、稳定性好、负载能力强等优点,但是功耗较大,工艺复杂,不易做成大规模集成电路。这类数字集成门通称为TTL集成逻辑门电路。TTL门电路TTL与非门电路三态输出与非门电路+5VABCT1R1R2T2T3T4T5R3R5R4Y+5VABCR1C1B1TTL与非门电路多发射极晶体管T1
等效电路+5VABCT1R1R2T2T3T4T5R3R5R4Y
设:
uA=0.3VuB=uC=3.6V,则
UB1=0.3+0.7=1VRLuY=5–ube3–ube4–uR2=5–0.7–0.7=3.6V拉电流UB1=1VuY=3.6V•T2、T5截止,T3、
T4导通Y=1+5VABCR1C1B11.输入不全为
1+5VABCT1R1R2T2T3T4T5R3R5R4Y设
uA=uB=uC=3.6V,输入端全部是高电平,UB1升高,足以使T2、T5导通,uo=0.3V,Y=0。且UB1=2.1V,T1发射结全部反偏。UC2=UCE2+UBE5=0.3+0.7=1V,使T3导通,T4截止。灌电流T1R1+UccUB1=2.1VUC2=1VuY=0.3V+5VABCR1C1B12.输入全为1集成门电路电气特性及主要参数
电压传输特性:输出电压uO与输入电压uI的关系曲线。1.曲线分析2.输入输出电平
(1)输出高电平UOH下限典型值为3V。(2)输出低电平UOL
上限典型值为0.3V。集成门电路电气特性及主要参数
13(3)开门电平UON一般要求UON≤1.8V(4)关门电平UOFF一般要求UOFF≥0.8V
在保证输出为额定低电平的条件下,允许的最小输入高电平的数值,称为开门电平UON。
在保证输出为额定高电平的条件下,允许的最大输入低电平的数值,称为关门电平UOFF。集成门电路电气特性及主要参数
14
(5)阈值电压UTH
电压传输特性曲线转折区中点所对应的uI值称为阈值电压UTH(又称门槛电平)。通常UTH≈1.4V。
(6)噪声容限(UNL和UNH
)噪声容限也称抗干扰能力,它反映门电路在多大的干扰电压下仍能正常工作。
UNL和UNH越大,电路的抗干扰能力越强。集成门电路电气特性及主要参数
15①低电平噪声容限(低电平正向干扰范围)
UNL=UOFF-UILUIL为电路输入低电平的典型值(0.3V)若UOFF=0.8V,则有UNL=0.8-0.3=0.5(V)②高电平噪声容限(高电平负向干扰范围)
UNH=UIH-UON
UIH为电路输入高电平的典型值(3V)若UON=1.8V,则有UNH=3-1.8=1.2(V)集成门电路电气特性及主要参数
16平均传输延迟时间tpd
平均传输延迟时间tpd表征了门电路的开关速度。tpd=(tpLH+tpHL)/2TTL与非门的传输延迟时间
集成门电路电气特性及主要参数
3.4CMOS门电路MOS门电路由绝缘栅型场效应管组成,由NMOS和PMOS两种场效应管组成的互补型MOS电路称为CMOS门电路。CMOS电路是一种制造工艺简单、功耗低、抗干扰能力强、便于集成的数字集成器件,目前应用非常广泛。CMOS门电路CMOS非门电路CMOS与非门电路CMOS或非门电路
1.CMOS非门电路CMOS非门电路又称为CMOS反相器。驱动管VT1(N沟道增强型MOS管)和负载管VT2(P沟道增强型MOS管)形成互补对称结构,其栅极连接输入端A,漏极连接输出端Y,衬底与各自的源极相连。图3.16CMOS非门电路
2.CMOS与非门电路两输入的CMOS与非门电路如图6.3.17所示,驱动管VT1和VT2是NMOS管,在结构上串联。负载管VT3和VT4采用并联的PMOS管。负载管整体与驱动管串联。VT1和VT3的栅极相连形成输入端A,VT2和VT4的栅极相连形成输入端B。图3.17CMOS与非门电路3.3其它门电路——OC门及TSL门问题的提出:为解决一般TTL与非门不能线与而设计的。①A、B不全为1时,uB1=1V,T2、T3截止,Y=1。接入外接电阻R后:②A、B全为1时,uB1=2.1V,T2、T3饱和导通,Y=0。外接电阻R的取值范围为:1.OC门2.OC门的主要用途
①线与
从图中可以看出,仅当所有OC门的输出都是高电平时,Z才为高电平,任一个OC门输出为低电平时,Z就是低电平,所以输出Z的逻辑表达式为:
从表达式中可知,此电路通过输出线的相连,就实现了“与逻辑”功能,这称为“线与”。
OC门线与②电平转移
一般TTL电路输出高电平为3.6V,在需要不同高电平电压值输出的情况下,也可以用OC实现。如图所示电路中,OC电路的输出经负载电阻RL接向+10V电源电压VCC。这样,当电路输入低电平时输出管截止,输出高电平电压值为10V。
OC实现电平转移③用作驱动电路
OC门通常具有较大电流驱动能力,可直接用它驱动指示灯、继电器、脉冲变压器等等,其连接见下图。
OC门用作驱动电路3.TSL门①E=0时,二极管D导通,T1基极和T2基极均被钳制在低电平,因而T2~T5均截止,输出端开路,电路处于高阻状态。结论:电路的输出有高阻态、高电平和低电平3种状态。②E=1时,二极管D截止,TSL门的输出状态完全取决于输入信号A的状态,电路输出与输入的逻辑关系和一般反相器相同,即:Y=A,A=0时Y=1,为高电平;A=1时Y=0,为低电平。4.TSL门的应用:用于控制信号的传输①作多路开关:E=0时,门G1使能,G2禁止,Y=A;E=1时,门G2使能,G1禁止,Y=B。②信号双向传输:E=0时信号向右传送,B=A;E=1时信号向左传送,A=B。③构成数据总线:让各门的控制端轮流处于低电平,即任何时刻只让一个TSL门处于工作状态,而其余TSL门均处于高阻状态,这样总线就会轮流接受各TSL门的输出。9.3.4集成逻辑门电路中的几个实际问题1.TTL门电路与CMOS门电路性能的比较(1)与TTL相比,CMOS的功耗非常低。(2)TTL电源电压范围较窄,典型值为+5V;CMOS电源电压范围较宽,易于与其他电路接口。(3)CMOS门电路的工作速度低于TTL门电路,HCMOS,其工作速度与TTL门电路差不多。当CMOS门电路的电源电压UDD=+5V时,它可以和低耗能的TTL门电路兼容。262.TTL门电路与CMOS门电路的接口UOH(min)≥UIH(min)UOL(max)≥UIL(max)IOH(max)≥nIIH(max)IOL(max)≥mIIL(max)(1)TTL门电路驱动CMOS门电路输出端与电源之间接入一个电阻(上拉电阻)。(2)CMOS门电路驱动TTL门电路驱动能力范围内:直接连接驱动能力范围外:扩流27TTL电路驱动CMOS电路的接口电路的作用是:提高输出高电平,以便与CMOS电路逻辑电平相容。TTL驱动CMOS2.CMOS驱动TTLCMOS驱动TTL要解决的问题是增大其驱动电流。为此,可以用专门用于CMOS电路驱动TTL电路的接口电路或用晶体管衔接。
A、利用独立电流放大器利用三极管的电流放大作用,为TTL负载提供足够大的
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