扎维模拟CMOS集成电路设计第三章习题_第1页
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Chapter3习题12023最新整理收集do

something2023/11/2523.1(1)2023/11/2532023/11/254(2)二极管连接的Pmos负载,没有体效应.2023/11/2553.2(1)2023/11/256(2)M1工作在线性区边缘,满足2023/11/257M2工作在线性区边缘,满足2023/11/2583.3(1)2023/11/259(2)M1工作在线性区边缘,满足2023/11/25102023/11/2511(3)M1工作在线性区2023/11/25122023/11/25133.122023/11/25142023/11/25153.142023/11/25162023/11/25173.202023/11/25182023/11/25193.21a.M2,M3构成共源共栅结构,可以等效为一个阻抗RD.不考虑体效应2023/11/2520b.M1,M3都为二极管连接的MOS器件,将M1等效为电阻RS,M3等效为电阻RD.2023/11/2521c.M3等效电阻为M1等效电阻为2023/11/25222023/11/25233.23M1临界饱和时,2023/11/25242023/11/25252023/11/2526c.输出电压摆幅:2023/11/2527d.输出电压摆幅:输入电压摆幅:X处电压摆幅:当M1处于临界饱和时,输出电压为,,满足,即M2处于饱和状态.Vin增加,Vout减小,VX减小,M1进入线性区,M2仍处于饱和区,直到,即M1比M2先进入线性区.2023/11/25283.24在图所示电路中,a.假如,计算小信号增益.b.假设,计算使M1处于线性区边缘的输入电压.并求出此时的小信号增益.2023/11/25292023/11/25302023/11/2531b.M1工作在线性区边缘,满足2023/11/25322023/11/25333.252023/11/2534下面,利用迭代法求Vout的值:2023/11/25352023/11/25362023/11/25372023/11/25382023/11/25392023/11/2540b.M1工作在线性区边缘,满足假设M2工作在线性区,此时有2023/11/2541,故M2工作在饱和区.2023/11/25422023/11/2543c.M2工作在线性区边缘,满足2023/11/2

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