集成电路制造技术名词解释

集成电路制造技术绪论1，摩尔定律集成电路的集成度每三年增长四倍，特征尺寸没三年缩小根号二倍。2，等比例缩小定律等比例缩小器件的纵向横向尺寸，以增加跨导和减少负载电容，提高集成电路性能。电源电压也要缩小相同倍数。第一章衬底制备1，衬底制备包括:整形，晶体定向，晶面标识，晶面加工。2,CMP:化学机械抛光。第二章氧化1，桥键氧：连接两个Si-O四面体的氧称为桥键氧，是多数。2，非桥键氧：只与一个Si原子联结的氧，是少数。3，网络形成剂：即替位式杂质，取代Si，如P,B,Sb等。其特点是离子半径与Si接近。4，网络改变剂：即间隙式杂质，如Na,K,Pb,Ca,Ba,Al等。5，干氧：高温下，氧气与硅片反应生成SiO2的过程6，水汽氧化：高温下，硅片与高纯水蒸气反应生成SiO2的过程。7，湿氧氧化：氧气中携带一定量的水汽，Si在其中被氧化成SiO2的过程8，分凝系数：对于固相-液相的界面，由于杂质在不同相中的溶解度不一样，所以杂质在界面两边材料中分布的浓度是不同的，这就是所谓杂质的分凝现象。这种杂质分凝作用的大小常常用所谓分凝系数来描述：“分凝系数”=(杂质在固相中的溶解度)/(杂质在液相中的溶解度)。注：PPT上是，分凝系数m=杂质在Si中的平衡浓度÷杂质在SiO2中的平衡浓度9，在SiO2内和Si-SiO2界面处，存在四种界面电荷。⑴可动离子电荷：即Qm正电荷，如Na+、K+.⑵氧化层固定电荷：Qf正电荷，它的极性不随表面势和时间的变化而变化，所以叫它固定电荷。如Si+，氧化层固定电荷很可能是这一层中的离化的硅或氧空位所引起的⑶界面陷阱电荷Qit：Qit是指存在于Si-SiO2界面，能量处于硅禁带中，可以与价带或导带方便交换电荷的那些陷阱能级或电荷状态。⑷氧化层陷阱电荷：Qot正或负电荷，位于SIO2中和Si-SiO2界面附近，能够俘获电子或空穴的电荷。第三章扩散1..间隙式扩散：存在于晶格间隙的杂质称为间隙式杂质。间隙式杂质从一个间隙位置到另一个间隙位置上的运动称为间隙式扩散。2.替位式扩散：占据晶格位置的外来原子称为替位杂质。替位杂质从一个晶格位置运动到另一个晶格位置上称为替位式扩散。3.恒定表面源扩散：如果在整个扩散过程中，鬼片表面的杂质浓度始终不变，这种类型的扩散就称为恒定表面源扩散。4.有限表面源扩散：如果扩散之前在硅片表面先淀积一层杂质，在整个扩散过程中这层杂志作为扩散的杂质源，不再有新源补充，这种扩散方式称为有限表面源扩散。5.两步法扩散：为了同时满足对表面浓度，杂质数量，结深以及梯度等方面的要求，实际生产中所采用的扩散方法往往是两种方式的结合，也就是将扩散过程分为两步完成，这种结合的扩散工艺称为两步扩散。6..结深：如果扩散杂质与硅衬底原有杂质的导电类型不同，则在两种杂质浓度相等处形成pn结，位置为xj。7.方块电阻：？？8.预淀积：与扩散实在较低温度下，采用恒定表面源扩散方式，在硅片表面扩散一层数量一定按余误差函数形式分布的杂质，由于温度较低，且时间较短，杂质的扩散很浅，可认为杂质是均匀分布在一薄层内目的是控制扩散杂质的数量。9.再分布：住扩散是将预扩散引入的杂质作为扩散源，在较高的温度下进行扩散，扩散的同时也往往进行氧化。目的是为了控制表面浓度和扩散深度，杂质数量一定，在较高温度下重新分布。第四章1.核碰撞：在离子注入中，注入离子与靶原子核碰撞，将能量传给靶核，离子发生偏转，靶核产生位移。2.电子碰撞：注入离子与靶内的自由电子和束缚电子碰撞，产生电子空穴对。注入离子方向基本不变。3.级联碰撞：离子注入时，在碰撞过程中，被碰原子可能发生移位，成为移位原子，还具有很高的能量，会再次与其他原子发生碰撞，这种不断碰撞的现象称为“级联碰撞”4.临界能量：Sn(E)=Se(E)处的能量5.非晶靶：??????6.沟道效应：离子沿沟道前进，核阻挡作用小，因而射程比非晶靶远得多，这种现象叫沟道效应。7.退火：如果将注有离子的硅片在一定温度下，经过适当时间的热处理，则硅片中的损伤就会得到大部分消除，少数载流子的寿命以及迁移率也会不同程度的得到恢复，掺入的杂质也将得到一定比例的点激活，这样的处理过程称为热退火。8.RTA（RTP）：就是快速退火，即降低退火温度，或者缩短退火时间完成退火。第五章第六章物理气相淀积（pvd）：利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底表面上，并淀积成薄膜。真空蒸发：利用蒸发材料在高温时所具有的饱和蒸气压进行薄膜制备。饱和蒸气压：在一定的温度下，真空室内蒸发物质的蒸气与固态或液态平衡时所表现出来的压力。升华：低于材料熔化温度时，产生蒸汽的过程。蒸发：材料熔化时，产生蒸汽的过程。直流辉光放电：在直流稳定电场作用下产生的气体放电现象。溅射：利用带有电荷的离子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向欲被溅射的靶电极。化学气相淀积：一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。APCVD(常压CVD)：气相淀积在1个大气压下进行。LPCVD（低压CVD）：在27-270Pa压力下进行化学气相淀积。PECVD（等离子增强CVD）：RF激活气体分子（等离子体），使其在低温（室温）下发生化学反应，淀积成膜。保形覆盖：所有图形上淀积的薄膜厚度相同；也称共性覆盖。第七章*外延：在单晶衬底上按衬底晶向生长一层新的单晶薄膜的工艺技术外延层：衬底上新生长的单晶层外延片：生长了外延层的衬底硅片同质外延：外延层与沉底的材料相同异质外延：外延层与沉底的材料同*扩散效应：衬底杂质与外延层杂质相互扩散，导致界面处杂志再分布的现象*自掺杂效应：在外延生长过程中，衬底杂质及其他来源杂质因为热蒸发，或者化学反应等非人为地参入外延层，改变了边界层中的掺杂成分和浓度，从而导致了外延层中的杂质十几分布偏离理想情况，这种现象称为自掺杂效应*分子束外延(MBE)：在超高真空下，利用薄膜组分元素受热蒸发所形成的原子或分子数，直接射到沉底表面，形成外延层。（原理）*SOS：蓝宝石上硅或者尖晶石的衬底上进行硅的异质外延SOI：绝缘层上进行硅的异质外延*选择性外延：是指利用外延生长的基本原理以及硅在绝缘体上很难核化成膜的特性，在硅表面指定区域生长外延层而其他区域不生长的技术*自掺杂效应：在外延生长的过程中，沉底和外延层中的杂质因热蒸发，或者因化学反应的副产物对衬底或外延层的腐蚀，都会使衬底和（或）外延层中的杂质静如到边界层中，改变了边界层中的掺杂成分和浓度，从而导致了外延层中杂质的实际分布偏离理想情况，这种现象为自掺杂效应*分子束外延(MBE)：在超高真空下，利用薄膜组分元素受热蒸发所形成的原子或分子数，直接射到沉底表面，形成外延层。（原理）第八章*光刻：通过光化学反应，将光刻板上的图形转移到光刻胶上；光刻三要素：光刻机，光刻板（掩模板），光刻胶刻蚀：通过腐蚀，将光刻胶上图形完整整地转移到Si片上ULSI对光刻的要求：高分辨率；高灵敏光刻胶；低缺陷；精密的套刻对准*分辨率R：是对光刻工艺可以到达的最小光刻圆形尺寸的一种描述临界曝光量：使角膜开始溶解所需最小曝光量阈值曝光量：使胶膜完