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1《埋层硅外延片》埋层硅外延工艺是IC芯片工艺中一道必不可少的工序,通过[2022]17号)的要求,由南京国盛电子有限公司负责《埋层硅外延片》的编制,项目计中航微电子、台积电中国等多家知名高端半导体企业对埋层硅外延片加工的质量体系认2022年6月,南京国盛电子有限公司接到《埋层硅外延片》国家标准正式下达计划后,组建了由南京国盛电子有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、**、**、***等公2023年2月,由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主持在江苏省徐2据徐州会议的要求,编制组对讨论稿进行了修改及相关内容的补充和完善,于2023年62023年6月,编制组将征求意见稿发函浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半开《埋层硅外延片》标准第二次工作会议(预审共有上海晶盟硅材料有限公司、杭州包括收集和整理相关文献资料,制备不同规格的样品,2)根据国内埋层硅外延片生产企业的具体情况,力本标准结合我国行业内埋层硅外延片的实际生产和使用情况,考虑埋层硅外延片的发埋层硅外延片的关键评判指标,具体有:埋层硅外延片外延前的质量要求、埋层硅外33.1.2、埋层硅外延片按按直径尺寸分为有埋层电路的硅片经硅外延工艺后,在其正表面上形表1埋层片衬底质量要求NPB表2埋层片表面质量要求4);错、位错等微观缺陷)表3图形漂移率和图形畸变率d——外延层上图形宽度与衬底上图形宽度的偏离5埋层硅外延片外延层的电阻率和允许偏差、厚度及厚延层纵向电阻率分布、正/背面质量、内部缺陷、几何参数、埋层硅外延片目前尚无相应的国家标准和行业标准,本标准是新制定的国家标准,主本标准与国家现行法律、法规和相关强制性标准不本标准根据目前国内埋层硅外延片的实际生产现状和订货合同情况制定,考虑
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