微纳加工技术智慧树知到课后章节答案2023年下哈尔滨工业大学

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绪论单元测试

微纳加工是以平面集成加工为代表的非传统的加工方法，加工形成的部件或结构本身的尺寸在（）量级。

A:微米或纳米

B:微米

C:纳米

答案:微米或纳米

光刻工艺的基本要素主要包括（）。

A:对准系统

B:光源

C:光刻胶

答案:对准系统

;光源

;光刻胶

刻蚀法图形转移技术的关键刻蚀参数：（）。

A:掩膜的抗刻蚀比

B:掩膜的抗刻蚀比和刻蚀的方向性

C:刻蚀的方向性

答案:掩膜的抗刻蚀比和刻蚀的方向性

间接加工技术能够绕过现有设备加工能力极限，意指直接光刻技术，其图形结构的分辨率决定于某种光刻方法的分辨率。（）

A:对B:错

答案:错

间接加工技术就是光刻加图形转移技术。（）

A:对B:错

答案:错

第一章测试

光学曝光的目的是把掩模上的图形成像到（）上。

A:底片

B:光刻胶

C:Si片

答案:光刻胶

软接触通过调整（）实现。

A:掩膜厚度

B:压力大小

C:曝光强度

答案:压力大小

接触式曝光分为（）。

A:软接触

B:硬接触

C:无压接触

答案:软接触

;硬接触

分辨率就是能够清晰分辨出间隔很近的特征图形的能力。（）

A:对B:错

答案:对

正胶在感光时，使聚合物发生交联。（）

A:错B:对

答案:错

第二章测试

先进的电子束曝光机主要适用于（）以下的超微细加工。

A:0.5微米

B:0.5纳米

C:0.5毫米

答案:0.5微米

电子束曝光的曝光效率（）光学曝光。

A:远小于

B:近似于

C:远大于

答案:远小于

电子枪包括发射电子的阴极和对发射电子聚束的电子透镜。（）

A:对B:错

答案:对

光栅扫描是对整个曝光场扫描，但电子束曝光快门只在曝光图形部分打开。（）

A:错B:对

答案:对

曝光平面电子束斑包含各种像差，（）为主要像差。

A:球差

B:色差

C:像散

答案:球差

;色差

第三章测试

离子源按工作原理可分为（）。

A:电子轰击型离子源

B:液态金属离子源

C:气体放电型离子源

D:场致电离型离子源

答案:电子轰击型离子源

;液态金属离子源

;气体放电型离子源

;场致电离型离子源

聚焦离子束系统的聚焦系统与电子束系统大致相同。（）

A:对B:错

答案:对

聚焦离子束系统存在空间电荷效应，可利用较小的发射电流来比避免该问题。（）

A:对B:错

答案:对

LMIS稳定发射的关键是液态金属与钨丝的良好浸润。（）

A:错B:对

答案:对

垂直入射的离子可以获得最大的离子溅射产额。（）

A:错B:对

答案:错

第四章测试

扫描探针显微镜工作模式包括（）。

A:恒定电流模式

B:恒定电压模式

C:恒定间距模式

答案:恒定电流模式

;恒定间距模式

STM通过（）对抗蚀剂曝光。

A:场致电场

B:隧穿电流

C:场致发射电子

答案:场致发射电子

蘸笔纳米探针加工受（）等因素影响。

A:探针驻留时间

B:表面化学吸附性

C:环境湿度

D:表面晶粒尺寸

答案:探针驻留时间

;表面化学吸附性

;环境湿度

;表面晶粒尺寸

当AFM以STM方式工作时，也可以用AFM实现对抗蚀剂的曝光。（）

A:错B:对

答案:对

与STM相比，用AFM进行扫描探针局部氧化加工更合适。（）

A:错B:对

答案:对

第五章测试

热压纳米压印技术工艺流程为（）。

A:热固化

B:脱模

C:反应离子刻蚀去残胶

D:压印

答案:脱模

;反应离子刻蚀去残胶

;压印

便于脱模，最易实施的方法是（）。

A:预先在基片底部涂一层粘结性好的聚合物

B:模板内涂镀高抗粘连的材料

C:光刻胶中添加其他物质，减小光刻胶与模板的粘附作用

答案:模板内涂镀高抗粘连的材料

纳米压印包括阳模压印和阴模压印，阴模压印相对容易。（）

A:对B:错

答案:错

正坡度印模结构最适于脱模，零坡度视印模侧壁的表面粗糙度而定。（）

A:对B:错

答案:对

紫外光固化纳米压印一般采用透明的印模。（）

A:对B:错

答案:对

第六章测试

图形转移分为（）。

A:压印图形转移

B:沉积法图形转移

C:刻蚀法图形转移

答案:沉积法图形转移

;刻蚀法图形转移

薄膜沉积方法有（）等。

A:物理气相沉积

B:分子束外延

C:化学气相沉积

D:局部氧化加工

答案:物理气相沉积

;分子束外延

;化学气相沉积

溶脱剥离是薄膜沉积方法的目的之一。（）

A:对B:错

答案:对

溅射法成膜质量好，而且衬底温升较低，但方向性不如热蒸发沉积。（）

A:错B:对

答案:对

沉积合金薄膜时，溅射法更优于热蒸发法。（）

A:错B:对

答案:对

第七章测试

湿法腐蚀二氧化硅的特点是（）。

A:各向异性

B:各向同性

答案:各向同性

反应离子刻蚀是离子轰击辅助的化学反应过程，其主要过程可以概括为（）。

A:物理溅射

B:离子反应

C:自由基反应

D:产生自由基

答案:物理溅射

;离子反应

;自由基反应

;产生自由基

传统机械加工中的喷粉工艺一般喷的是（）粉末。

A:氧化铁

B:氮化铝

C:氧化锆

D:氧化铝

答案:氧化铝

与等离子体刻蚀不同，离子溅射刻蚀方法中等离子体产生区和样品刻蚀区是分开的。（）

A:对B:错

答案:对

飞秒激光加工是热加工。（）

A:错B:对

答案:错

第八章测试

侧壁沉积法获得侧壁时用到了（）

A:刻蚀清除顶部和底部的二氧化硅

B:热氧化或CVD沉积薄膜

C:光刻和刻蚀制作支撑结构

答案:刻蚀清除顶部和底部的二氧化硅

;热氧化或CVD沉积薄膜

;光刻和刻蚀制作支撑结构

氧化削尖工艺依赖于氢氟酸能腐蚀（）而不能腐蚀（）。

A:二氧化硅，硅

B:硅，二氧化硅

答案:二氧化硅，硅

垂直抽减法制作纳米通道和氧化横向抽减法的氧化削尖都用到了热氧化的工艺。（）

A:对B:错

答案:对

横向添加法用来获得窄间隙结构，横向抽减法用来获得窄线条结构。（）

A:错B:对

答案:对

侧壁沉积法中，沉积时应选择各向同性沉积，而刻蚀时应选择方向性好的各向异性刻蚀。（）

A:对B:错

答案:对

第九章测试

传统的平面集成电路加工技术是（）技术，分子自组装是（）技术。

A:bottom-up;top-down

B:top-down;bottom-up

答案:top-down;bottom-up

目前，分子自组装纳米加工的优势是（）。

A:加工手段成熟、先进

B:组装结构为分子尺度

C:能够实现大面积长程有序

D:低成本

答案:组装结构为分子尺度

;低成本

下列说法错误的是（）。

A:自组装个体之间是非共价键的结合。

B:自组装中的个体一般可以由移动

C:自组装是非自发的，组装过程往往需要人