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文档简介

快速找引晶温度简介目的:缩短拉晶时间,降低生产成本,提高公司效益.目前现状:提盖子后炉内温度比较低,引晶温度不好找或找引晶温度时间较长期望:提盖子后能够快速（30分钟内）找到引晶温度,引出高质量的单晶,达到三段式引晶效果。提盖子是在较低温度下进行,盖子提出后炉内温度一般比较低,为了能够快速找到引晶温度 节省时间和成本,同时能引出高质量的单晶（三段式引晶）。测完电阻后，进行如下操作后，能够快速找到合适的引晶温度，而且适合三段式引晶规格。具体操作:1、 提盖子后，将功率升高至引晶功率以上3—5kw，将埚转降至2转，埚位升到引晶埚位，将籽晶按照工艺要求降至离液面3—5mm对籽晶进行预热。2、 等待几分钟后，看热场测量值与本炉引晶时设定值的差值，当差值较小时（4--6sp左右），此时可以降籽晶至熔硅中，进行熔接。当籽晶周围逐渐出现光圈，然后光圈变圆，这时，就说明此时温度已经达到引晶的要求。3、 待熔接好后，逐渐升高埚转（升至引晶时的埚转，五分钟内完成），然后将功率降到比本次引晶功率低1-2kw，待籽晶光圈周围出现4个点时，直接点“手动引晶”工艺流程，进行手动引晶即可。此方法的好处：1、 节约调温时间2、 高温熔接3、 高温时升埚转降温，可以达到开始低拉速，中途高拉速，引晶后期为低拉速，符合三段式引晶。附：相关炉台试验数据介绍

以上为定性说明此操作，下面是晶体编号为SG0909098-4采用此操作后的一些相关数据和图片介绍。相关数据：日日体编号放盖子测电阻时间隔离时间副室净化时间切换手动时间0909098-415：0015：1115：1815：26手动引晶时间调温时间引晶时间放肩成功率15：50394616：36一次成功以上数据为炉台生长记录中数据，具体见下列图片所示。本炉晶体的调温时间从放盖子后隔离时进行计时，从上述数据看，本次调温时间为39分钟。下图为相关图片：1、下图为提盖子后副室隔离及引晶时的生长记录

I*'&8485Q00■^(m/sinj：(flifli/iiin)^(nwn/miri)E(r™/min??{nwi/m>in)'BnwSnin〉2I*'&8485Q00■^(m/sinj：(flifli/iiin)^(nwn/miri)E(r™/min??{nwi/m>in)'BnwSnin〉IFM1A蠟耐I伽)酒面温ff(degG)副i生牧谨席(nm/min)越IFM1A蠟耐I伽)酒面温ff(degG)副i生牧谨席(nm/min)越it长度(w)晶啟行厲伽)15监毂时I4'・：t T "** 〔,a> 4 i.» f 1l b i4 ■ 1■ P141 i 1• ■ i； l・；■■・■・V i i" i13:3614有比较明显的降低，说明此时的热场温度比较高，进而在进行放肩时

不容易放飞。3、下图为按照此方法引出的细颈外观质量4、 本炉晶

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