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文档简介

半导体三极管有两大类型，一是双极型半导体三极管二是场效应半导体三极管双极型半导体三极管场效应半导体三极管双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件，它由两个PN结组合而成，是一种CCCS器件。场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种VCCS器件。1.3.1BJT的构造及类型1.3双极型晶体管〔BJT〕1.3.2BJT的电流安排与放大原理1.3.3BJT的共射特性曲线1.3.4BJT的主要参数半导体三极管图片1.3.1BJT的构造简介

半导体三极管的结构有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管放射结(Je)

集电结(Jc)基极，用B或b表示〔Base〕放射极，用E或e表示〔Emitter〕；集电极，用C或c表示〔Collector〕。放射区集电区基区三极管符号构造特点：•放射区的掺杂浓度最高；•集电区掺杂浓度低于放射区，且面积大；•基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图双极型半导体三极管在工作时确定要加上适当的直流偏置电压。假设在放大工作状态：放射结加正向电压〔正偏〕，集电结加反向电压〔反偏〕。1.3.2BJT的电流安排与放大原理NPN型三极管根本共射放大电路：基极电流把握集电极电流1.3.2BJT的电流安排与放大原理一.晶体管内部载流子的运动三极管的放大作用是在确定的外部条件把握下，通过载流子传输表达出来的。外部条件：放射结正偏，集电结反偏。放射区：放射载流子集电区：收集载流子基区：传送和把握载流子〔以NPN为例〕集中到基区的自由电子与空穴的复合形成基极电流IB基区复合电流——IBN放射结加正偏，集中运动形成放射极电流IE。自由电子集中电流——IEN空穴集中电流——IEP集电结(收集结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC。基区非平衡少子漂移电流——ICN

平衡少子漂移电流——ICBO。以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT(BipolarJunctionTransistor)。二.电流安排关系(动画2-1)IE=IC+IB三.共射电流放大系数

是交流电流放大系数，同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般

>>1因≈1,所以

>>1由以上分析可知，放射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。假设两个PN结对接，相当于基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演化为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的放射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：〔1〕内部条件：放射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。〔2〕外部条件：放射结正向偏置，集电结反向偏置。1.3.2BJT

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