华东交通大学本科毕业设计(论文)格式模板-2013年

本科毕业设计（论文）格式模板本科毕业设计（论文）格式模板本彩页封面仅为电子稿样本，文本装订时请以班为单位到教材科领取纸质封面及资料袋后再装订本彩页封面仅为电子稿样本，文本装订时请以班为单位到教材科领取纸质封面及资料袋后再装订毕业设计（论文）诚信声明本人郑重声明：所呈交的毕业设计（论文）是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。就我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表和撰写的研究成果，也不包含为获得华东交通大学或其他教育机构的学位或证书所使用过的材料。如在文中涉及抄袭或剽窃行为，本人愿承担由此而造成的一切后果及责任。本人签名____________导师签名__________年月日华东交通大学毕业设计（论文）任务书姓名学号毕业届别专业毕业设计（论文）题目指导教师学历职称具体要求：进度安排：指导教师签字：年月日教研室意见：教研室主任签字：年月日题目发出日期设计（论文）起止时间附注：

华东交通大学毕业设计（论文）开题报告书课题名称课题来源课题类型导师学生姓名学号专业开题报告内容：方法及预期目的：指导教师签名：日期：课题类型：（1）A—工程设计；B—技术开发；C—软件工程；D—理论研究；（2）X—真实课题；Y—模拟课题；Z—虚拟课题（1）、（2）均要填，如AY、BX等。华东交通大学毕业设计(论文)评阅书(1)姓名学号专业毕业设计(论文)题目指导教师评语：得分指导教师签字：年月日评阅人评语：得分评阅人签字：年月日等级等级

华东交通大学毕业设计(论文)评阅书(2)姓名学号专业毕业设计(论文)题目答辩小组评语：等级组长签字：年月日答辩委员会意见：等级答辩委员会主任签字：年月日（学院公章）注：答辩小组根据评阅人的评阅签署意见、初步评定成绩，交答辩委员会审定，盖学院公章。“等级”用优、良、中、及、不及五级制（可按学院制定的毕业设计(论文)成绩评定办法评定最后成绩）。

华东交通大学毕业设计（论文）答辩记录姓名学号毕业届别专业题目答辩时间答辩组成员（签字）：答辩记录：记录人（签字）：年月日答辩小组组长（签字）：年月日附注：中文摘要：独占一页；论文题目用小2号黑体字、居中页眉：中文宋体，小五号，居中中文摘要：独占一页；论文题目用小2号黑体字、居中页眉：中文宋体，小五号，居中宋体，5号，对齐居中LED外延宋体，5号，对齐居中"摘要"用3号黑体字、居中专业："摘要"用3号黑体字、居中学生姓名：指导教师：摘要正文用小4号宋体字宽禁带III－Ⅴ正文用小4号宋体字本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III－Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。…………本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。关键词用小4号黑体字、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔关键词用小4号黑体字、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔页眉：外文TimesNewRoman字体页眉：外文TimesNewRoman字体，五号，居中的居中英文摘要：独占一页；论文题目用TimesNewRoman字体小2号加粗、居中nitridesandhighbrightnessblueLEDwafers"ABSTRACT"用TimesNewRoman"ABSTRACT"用TimesNewRoman字体3号加粗、居中正文用TimesNewRoman字体小4号正文用TimesNewRoman字体小4号MorethantencompaniesinAmericaandJapanreportedtohavedevelopedthenitridesgrowthtechnologysinceNichiacompanyinJapanfirstrealizedthecommercializationofGaNbasedblueLEDin1994.Inthisthesis,GaNanditsternaryweregrownbyahome-madeatmospherepressuremetalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD)andThomasSwan6×2”MOCVDsystems.HighbrightblueLEDwaferswereobtainedbyoptimizingthenitridesgrowthtechnologyandwaferstructure.Someencouragingresultsarefollowingas:1.Wepresenttheideaofusingabufferlayerofdeviationfromstoichiometryformaterialsgrowthonlargelatticemismatchsubstrates.Thisideawasrealizedinnitridesgrowthinthisthesis.TheepilayercrystallinequalitywasimprovedandthedislocationdensitywasdecreasedbyusingGaNlowandhightemperaturebufferlayersofdeviationfromstoichiometry.TheRBS/channelingspectraexhibitedthattheminimumyieldχminofGaNlayerswasjustonly1.5%.TheleakelectriccurrentofGaNbasedLEDwasobviouslydecreasedandlowerthan1μAat5voltreversevoltagebyusingthisnewbuffertechnology.…………Thisworkwassupportedby863programinChina.关键词用TimesNewRoman小4号加粗、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔Keyword:Nitrides；MOCVD；LED；关键词用TimesNewRoman小4号加粗、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔页眉：中文宋体，小五号，居中目录页眉：中文宋体，小五号，居中"目录"用小2号黑体字、居中摘要 Ⅰ"目录"用小2号黑体字、居中Abstract Ⅱ第一章GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”） 11.1III族氮化物材料及其器件的进展与应用 11.2III族氮化物的基本结构和性质 41.3掺杂和杂质特性 121.4氮化物材料的制备 131.5氮化物器件 191.6GaN基材料与其它材料的比较 22目录内容最少列出第一级标题（章）和第二级标题（节）；前者用4号黑体字，后者用4号宋体字，第三级标题用4号楷体字，居左顶格、单独占行，每一级标题后应标明起始页码目录内容最少列出第一级标题（章）和第二级标题（节）；前者用4号黑体字，后者用4号宋体字，第三级标题用4号楷体字，居左顶格、单独占行，每一级标题后应标明起始页码第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 312.1MOCVD材料生长机理 312.2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备 32…………结论 136参考文献（References） 138致谢 150节标题：节标题：中文宋体，英文TimesNewRoman，四号居左1.1III族氮化物材料及其器件的进展与应用正文文字：中文宋体，英文TimesNewRoman，小四，两端对齐，段落首行左缩进2个汉字符正文文字：中文宋体，英文TimesNewRoman，小四，两端对齐，段落首行左缩进2个汉字符。章标题：中文宋体，英文TimesNewRoman，四号居中…………表标题置于表的上方，中文宋体，英文TimesNewRoman，五号加粗居中，表序与表名文字之间空一个汉字符宽度；表标题置于表的上方，中文宋体，英文TimesNewRoman，五号加粗居中，表序与表名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文TimesNewRoman，五号。…………表1-1用不同技术得到的带隙温度系数、Eg0、c和T0的值样品类型实验方法带隙温度系数dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)c(eV/K)T0(K)参考文献GaN/Al2O3光致发光-5.3210-43.5035.0810-4-99661GaN/Al2O3光致发光3.4897.3210-470059GaN/Al2O3光致发光-4.010-4-7.210-460062GaN/Al2O3光吸收-4.510-4~3.471-9.310-477263………… …………加热电阻―――□―――■■―――□――→气流测温元件测温元件图1-1热风速计原理图标题置于图的下方，中文宋体，英文图标题置于图的下方，中文宋体，英文TimesNewRoman，五号加粗居中，图序与图名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文TimesNewRoman，五号。第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺2.1MOCVD材料生长机理…………转换控制频率信号源频率控制器地址发生器波形存储器Ｄ／Ａ转换器滤波器频率设置波形数据设置图2-1DDS方式AWG的工作流程…………标题：标题：中文宋体，4号，居中；英文TimesNewRoman，4号，居中。[1]Well．Multiple-modulatorfraction-ndivider[P]．USPatent，5038117．1986-02-02参考文献正文用5号宋体字，英文TimesNewRoman，5号[2]参考文献正文用5号宋体字，英文TimesNewRoman，5号[3]万心平，张厥盛．集成锁相环路——原理、特性、应用[M]．北京：人民邮电出版社，1990．302-307．[4]Miler．Frequencysynthesizers[P]．USPatent，4609881．1991-08-06．[5]CandyJC．Auseofdouble-integretioninsigma-deltamodulation[J]．IEEETransCommun，1985，33(COM)：249-258．[6]丁孝永．调制式小数分频锁相研究[D]．北京：航天部第二研究院，1997．常见参考文献格式：①常见参考文献格