GB/T 42974-2023半导体集成电路快闪存储器(FLASH)

ICS31200

CCSL.56

中华人民共和国国家标准

GB/T42974—2023

半导体集成电路

快闪存储器FLASH

()

Semiconductorintegratedcircuits—

FlashmemorFLASH

y()

2023-09-07发布2024-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T42974—2023

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院兆易创新科技集团股份有限公司合肥美菱物联科

:、、

技有限公司存心科技北京有限公司芯天下技术股份有限公司三旗惠州电子科技有限公司

、()、、()。

本文件主要起草人罗晓羽何卫辛钧胡洪苏志强李东琦韩旭龙冬庆张静李柏泉王如松

:、、、、、、、、、、、

李敬李海龙

、。

Ⅰ

GB/T42974—2023

半导体集成电路

快闪存储器FLASH

()

1范围

本文件规定了快闪存储器的分类技术要求电测试方法和检验规则

(FLASH)、、。

本文件适用于的设计制造采购验收

FLASH、、、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

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本文件

。

包装储运图示标志

GB/T191

半导体器件机械和气候试验方法第部分外部目检

GB/T4937.33:

半导体器件机械和气候试验方法第部分强加速稳态湿热试验

GB/T4937.44:(HAST)

半导体器件机械和气候试验方法第部分快速温度变化双液槽法

GB/T4937.1111:

半导体器件机械和气候试验方法第部分盐雾

GB/T4937.1313:

半导体器件机械和气候试验方法第部分引出端强度引线牢固性

GB/T4937.1414:()

半导体器件机械和气候试验方法第部分通孔安装器件的耐焊接热

GB/T4937.1515:

半导体器件机械和气候试验方法第部分可焊性

GB/T4937.2121:

半导体器件机械和气候试验方法第部分高温工作寿命

GB/T4937.2323:

半导体器件机械和气候试验方法第部分静电放电敏感度测试人

GB/T4937.2626:(ESD)

体模型

(HBM)

半导体器件机械和气候试验方法第部分静电放电敏感度测试机

GB/T4937.2727:(ESD)

器模型

(MM)

集成电路术语

GB/T9178

半导体器件集成电路第部分半导体集成电路分规范不包括混合电路

GB/T1275011:()

半导体器件集成电路第部分数字集成电路

GB/T17574—19982:

非易失性存储器耐久和数据保持试验方法

GB/T35003

半导体集成电路快闪存储器测试方法

GB/T36477—2018

半导体器件机械和气候试验方法第部分高温贮存

IEC60749-66:(Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestmethods—Part6:Storageathightemperature)

半导体器件机械和气候试验方法第部分密封

IEC60749-88:(Semiconductordevices—Me-

chanicalandclimatictestmethods—Part8:Sealing)

半导体器件机械和气候试验方法第部分标志耐久性

IEC60749-99:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part9:Permanenceofmarking)

半导体器件机械和气候试验方法第部分加速耐湿无偏置强加速