集成电路工艺项目实训报告任务书

苏州市职业大学实习（实训）报告名称基于SilvacoTCAD的MOS工艺流程模拟及电学参数提取2013年11月25日至2013年11月29日共1周院系 电子信息工程学院班级11微电子技术3学号 姓名 栾汉卿 院长张红兵系主任陈伟元指导教师吴清鑫苏州市职业大学实习（实训）任务书名 称：基于SilvacoTCAD的MOS工艺流程模拟及电学参数提取起讫时间： 2013年11月25日至2013年11月29日院系： 电子信息工程学院 班级： 11微电子技术3 指导教师： 吴清鑫 院长： 张红兵 一、 实习（实训）目的和要求目的：1、 通过实训提高资料收集和分析能力；2、 熟悉SilvacoTCAD的仿真模拟环境；3、 掌握基本的nmos工艺流程，以及如何在TCAD环境下进行nmos工艺流程模拟；4、 掌握器件参数提取方法，以及不同工艺组合对nmos晶体管的阈值电压、薄层电阻等电学参数的影响；要求：1、 仔细阅读实训内容，独立编写程序，掌握基本的TCAD使用；2、 熟悉nmos晶体管的基本工艺流程，和关键工艺参数；3、 记录Tonyplot的仿真结果，并进行相关分析；4、 完成实训报告，内容：原理分析、软件编写、调试报告、心得体会（报告用A4纸，用模板提供的封面）。二、 实习（实训）内容1、 nmos晶体管整体工艺模拟设计nmos晶体管工艺流程模拟程序，运行得到相应的器件模型（参考软件自带的例子MOS1）NMOS晶体管的基本工艺流程：衬底硅氧化：在衬底表面产生一层相对较厚的SiO2有选择地刻蚀氧化区，暴露出将来用来生成MOS晶体管的硅表面；用一高质量的氧化物薄膜覆盖在Si表面，这层氧化物最终将形成MOS晶体管的栅极氧化物;在薄氧化层顶部淀积一层多晶硅。多晶硅可以用做MOS晶体管的栅电极材料，也可以用做硅集成电路中的互连线；成型和刻蚀多晶硅层，形成互连线和MOS管的栅极，刻蚀未覆盖多晶硅的那层薄栅极氧化物，裸露出硅表层，这样就可以在其上面形成源区和漏区了；通过扩散或离子注入的方式，整个硅表层就会被高浓度的杂质所掺杂，形成源区和漏区；用一层SiO2绝缘层覆盖整个表面对绝缘的氧化层成型得到源极和漏极的接触孔，表层蒸发覆盖一层铝，形成互连线，将金属层成型并刻蚀，其表层形成了MOS管的互连。2、 晶体管电学参数提取在晶体管工艺仿真程序基础上，设计结深、源漏电阻等电学参数提取程序，并分析工艺参数对器件电学性能的影响。如改变阱浓度（阱注入剂量）、改变栅氧化层厚度（氧化时间）、改变调整阈值电压的注入浓度等参数对器件剖面图、栅极特性曲线、输出I-V特性曲线的影响。3、 分析变化情况，找出最优工艺参数。三、实习（实训）方式何集中口分散叫校内口校外四、 实习（实训）具体安排1、 指导教师介绍SilvacoTCAD软件的使用方法，讲述安全注意事项、实训报告书写规范一4课时2、 学生查找资料，设计NMOS的工艺流程，学习编写程序——6课时3、 完成NMOS的工艺模拟、器件特性模拟，并分析工艺参数对器件电学特性的影响一一7课时4、 完成实训报告一一6课时5、 交实训报告和实物。——1课时五、 实习（实训）报告内容1、 SilvacoTCAD软件的基本知识；2、 NMOS基本结构、工艺流程及工作原理介绍；3、