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文档简介

ROM也有很多种，PROMROM，PROMEPROM（ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，EEPROM是通过电子擦除，价格很高，写入时间很长，写入速度很慢。FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM）（NVRAM的优势，U作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘。Flash主要有两种NORFlashNADNFlashNORFlashSDRAMNORFLASHSRAM的容量从而节约了成本。NANDFlash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取Flah以外，还附加一块小的NORFlash来运行启动代码。一般小容量的存储用NORFlash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而OnChip）和我们通常用的“闪盘”FLASH主要来自Intel，AMD，FujitsuToshibaNANDFlashSamsungToshiba。相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。闪存的基本单元电路如下图所示，与EEPROMMOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电的晶体管上加入了浮动栅和选择栅，下图就是NAND型闪存的晶体管结构：决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电

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