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文档简介

《模拟电子技术》期末考试卷学号姓名成绩一、选择题(每题2分,共20分)1、在某种纯净的半导体中掺入以下()可以形成N型半导体。A.含四价元素的杂质C.三价元素镓B.含空穴的杂质D.五价元素磷2、硅稳压管在稳压电路中稳压时,工作在()状态。A正向导通状态;反向B电击穿状态;C反向截止状态;反向D热击穿状态3、在石英晶体振荡器的最大特点是()A、振荡频率高B、振荡波形失真小C、振荡频率稳定度高D、振荡频率可调4、为更好的抑制零漂,集成运放的输入级大多采用()A、直接耦合电路;、阻容耦合电路B;、反馈放大电路D。种直接耦合放大器,它()C、差动放大电路;5、差分放大器是一A.只能放大直流信号C.不能放大交流信号B.只能放大交流信号D.可以抑制共模信号位分别为V=6V,V=-0.6V,V=0V,该三CBE6、今测得三极管各电极对地的电极管工作状态为(A.放大状态)截止B.状态饱和C.状态击D.穿状态7、图示的负反馈放大电路中,级间反馈的反馈类型是(A.电流并联B.电压并联C.电流串联负反馈)。D.电压串联8、如图所示的互补对称功放电路中,所采用的三极管应是什么,才能正常工作。()+VA、T为PNP,T为PNP;12T1B、T为NPN,T为NPN;12uiRTL2-VC、T为PNP,T为NPN;12D、T为NPN,T为PNP。129、在单相半波整流电路中,设输入电压的有效值为U,则负载电阻R上2L平均电压等于()A、0.9U、0.45UB、UC、2UD222210、图示理想运放的输出电压U为()0A.-6V.-12BVC.+12V.+6VD二、填空题(1~7题每空1分,8~10题每空2分)1、通常,当静态工作点选得偏高或偏低时,就有可能使放大器的工作状态进入____________区或____________区,而使输出信号的波形产生失真。2、PN结最重要的特性是__________,它是一切半导体器件的基础。在NPN型三极管中,掺杂浓度最大的是__________区。3、测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏,则可判断出x、y、z分别为三极管的_______极、_______极、________极。4、P沟道增强型MOSFET的电路符号是。场效应管的输出特性、。曲线可分为三个区域,分别是、5、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最主要指标是________________________。6、按照通带与阻带的相相互位置不同,有源滤波电路通常可分为以下几类、、、。7、乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I=CQ、静态时的电源功耗P=。这类功放的能量转换效率,在理想情况下,可达V到,但这类功放有失真。8、图示电路中,D、D为理想二极管,则ao12两端的电压为。9、某放大电路空载输出电压为4V,接入3KΩ负载后,输出电压变为3V,该放大电路的输出电阻为。10、如图所示FET放大电路中各电阻、电容的参数值和FET工作点上的互导g值为已知,则该放大器的电压放大倍数为。m三、电路如图所示,A、A为理想运放,电容的初始电压为零,请推导出12u与u、u和u之间的关系式。(10分)oi1i2i3R16K、R5.1K、C0.01F,414四、设运放是理想,已知试分析下图所示正弦波振荡电路:(1)为满足振荡条件,试在图中用+、-标出运放的同相端和反相端;(2)为能起振,R和R两P2个电阻之和应满足什么条件?(3)此电路的振荡频率f?(4)0若已知双向稳压二极管的稳定电压值V值,R用10K的电位器,ZP求稳定振荡时输出电压的峰值是多少?(10分)RCV0RCRD2ZRR1P五、有一单相桥式整流电容滤波电路,已知交流电源频率为50H,负载z电阻R200,要求直流输出电压U=15V,(1)选择参数是多少整流oL二极管?(2)选择参数是多少的电容?(3)画出该电路的电路图(4)若上述电路后面接一稳压电路如图所示,问输出电压的调节范围是多少?(10分)六、放大电路如图所示,二个三极管皆为硅管,电流放大系数分别为60、80,开始时,开关断开,求(1)放大电路的静态工作点;(2)画出该电路的小信号电路模型;(3)每一级的电压放大倍数、输入电阻、输出电阻和放大电路总的电压放大倍数、输入电阻、输出电阻;(4)开关闭合后,该电路是什么类型的反馈电路?反馈系数是多少?该反馈放大电路的电压放大倍数是多少?有反馈后输入电阻、输出电阻和通频带是如何变化的?(24分)《模拟电子技术》期末考试卷参考答案一、选择题(每题2分,共20分)1、D2、B3、C4、C5、D6、B7、D8、D9、B10、C二、填空题(1~7题每空1分,8~10题每空2分,共26分)1、饱和截止2、单向导电性发射3、集电基发射4、可变电阻区恒流区击穿区5、共模抑制比、低6通高通带通带阻7、00%78.5交越8、1V、1KΩ9、101gmgRdRmSR三、1u(RR2)()uR2uRRRs1s24o1R13411uui3o1CRR76u()dt0四、⑴运算放大器二输入端:上端为“+”,下端为负。⑵RR应大于20KΩ。∏2P1⑶f2RC1591.5HZ3R⑷V2RRVZ1om1P五、⑴流经二极管的平均电流IU37.5mAo2RDL二极管承受的最大反向电压V2Uo17.7VRM1.2应选用允许最大电流大于37.5mA、最大反向电压大于17.7V的整流二极管。⑵根据RC(3~5)T2L2TC200uFRL应选用电容量略大于200uF、耐压值大于17.7V(选用220uF/25V)的电解电容。⑷调节范围是:1.2V~13.2V。六、⑴I16.6uAI0.92mAVCE1Q9.15V1.8VB1QC1QV4VB2QI3.4mAVCE2QC2Q⑶第一级:电压放大倍数A4.34输入电阻V1R8.01Ki1输出电阻R2Ko1第二级电压放大倍数A97.56输入电阻V2R

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