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光学与电子科技学院《半导体器件》课程设计报告姓名彭淑瑾学号专业微电子学班级07微电子1中国计量学院2010年7月目录TOC\o"1-5"\h\z传输门简介21.1器件结构21.2工作原理31.3CMOS传输门的应用5CMOS传输门版图62.1L-EDIT简介62.2总体版图72.3分版图84制版说明11传输门工艺流程121关键工艺的计算122工艺流程图133.3工艺流程说明18器件工艺流程图194.1器件简介192工艺流程图22五5.可调电阻设计295.1版图292版图说明295.3工艺参数计算32结论34附录35参考文献37中国计量学院光学与电子科技学院《半导体器件》课程设计报告中国计量学院光学与电子科技学院《半导体器件》课程设计报告--#-七、附录附1：L-EDIT操作手册第5页翻译建议:本教程的目的是教会你如何使用L-EDIT。为了节省时间，你不需要了解每个层的名字和功能的不同.只需要根据这个教程所述的方法绘制对象。3.分别在n型区/p型区上画出源区/漏区和衬底有源区。基区不能直接连接到金属层，所以我们需要在连接处生成n型或者p型掺杂层。注意n型选择区可以正交穿过多晶硅栅，因为在芯片受到n型掺杂原子轰击的时候多晶硅栅可以阻止n型原子淀积在栅下。■.'.口":7空■.'.口":7空7•:.!-■■■6-:宀-:口除*■-...摻湖■::.盘..謂说pm'.!;€:■l■■■imw•^•■:W.Ki■■<■l-1■..3:::-:PVIA.:£..;•..•.•.-•:•-•_•:••.■-:.-■-:•啦專常；!'」亠f-.JL?图4.n-select和p-select层图5.n-select和p-select层的剖面图附2：BJT参数测量（1）8050NPN管如图7.1所示：当I=3叭时，BI二3.2x50yA二160yA（I的幅度为50rA）；CC贝V,电流放大倍数B二IC=160yA^53.3（I的幅度为1yA）；I3yAbB8550PNP管如图7.2所示：当I=4yA时，BI二4.5x50yA二225yA(I的幅度为50yA)；CC参考文献关旭东.硅集成电路工艺基础[M].北京大学出版社.2003.10刘恩科朱秉升罗晋生.半导体物理学[M].电子工业出版社.2009.2施敏梅凯瑞.半导体制造工艺基础[M].安徽大学出版社.2007.4蔡懿慈周强•超大规模集成电路设计导论[M].清华大学出版社.2005.1王志功景为平孙玲.集成电路设计技术与工具[M].东南大学出版社.2007.7曾树荣.半导体器件物理基础[M].北京大学出版社.2009.5王志功，陈莹梅.集成电路设计[M].电子工业出版社.2009.6廖裕评.微电子系统设计导论[M].东南大学出版社.1990.7童勤义，陆瑞强.TannerPro集成电路设计与布局实战指导[M].科学出版社.2007.7[美]ChristopherSaint,JudySaint.集成点了版图基

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