标准解读
《GB/T 42837-2023 微波半导体集成电路 放大器》是一项国家标准,旨在为微波半导体集成电路中的放大器提供规范性的技术要求与测试方法。该标准覆盖了微波放大器的设计、制造、性能评估等多个方面,确保产品能够满足一定的质量和技术指标。
在定义部分,明确了术语如“增益”、“噪声系数”等关键参数的具体含义及其测量方式,这有助于行业内对于相关概念达成一致理解。同时,还规定了不同类型放大器(例如低噪声放大器、功率放大器)的基本特性要求,包括工作频率范围、输入输出阻抗匹配情况以及稳定性等。
此外,《GB/T 42837-2023》详细描述了针对这些特性的测试条件和方法,比如如何设置测试环境、使用哪些仪器设备来进行准确的性能评估等。通过遵循统一的标准流程,可以提高不同厂家或实验室之间测试结果的一致性和可比性。
本标准还强调了安全性和可靠性的重要性,提出了相应的要求以保证放大器在实际应用中能够稳定可靠地运行。对于制造商而言,遵守此标准不仅有利于提升产品质量,也有助于其产品在国内乃至国际市场上的竞争力。
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- 现行
- 正在执行有效
- 2023-08-06 颁布
- 2023-12-01 实施
文档简介
ICS31200
CCSL.56
中华人民共和国国家标准
GB/T42837—2023
微波半导体集成电路
放大器
Microwavesemiconductorintegratedcircuits—
Amplifier
2023-08-06发布2023-12-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T42837—2023
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
。。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出
。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口
(SAC/TC78)。
本文件起草单位中国电子技术标准化研究院中国电子科技集团公司第十三研究所深圳微步信
:、、
息股份有限公司杭州电子科技大学中国电子科技集团公司第五十五研究所广东省中绍宣标准化技
、、、
术研究院有限公司成都亚光电子股份有限公司惠州市睿鼎电子科技有限公司青岛金汇源电子有限
、、、
公司中国电子科技集团公司第三十八研究所中国航天科工集团第三十五研究所
、、。
本文件主要起草人周俊霍玉柱黄建新邢浩吴维丽尹丽仪杨晓瑜朱镇忠李德鹏刘芳
:、、、、、、、、、、
汪邦金赵岩
、。
Ⅰ
GB/T42837—2023
微波半导体集成电路
放大器
1范围
本文件规定了放大器的分类技术要求测试方法和检验规则等
、、。
本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造放大器的设计制造采购和验收
、、。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文
。,
件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于
,;,()
本文件
。
半导体器件第部分分立器件和集成电路总规范
GB/T4589.110:
半导体器件机械和气候试验方法第部分外部目检
GB/T4937.33:
半导体器件机械和气候试验方法第部分强加速稳态湿热试验
GB/T4937.44:(HAST)
半导体器件机械和气候试验方法第部分快速温度变化双液槽法
GB/T4937.1111:
半导体器件机械和气候试验方法第部分盐雾
GB/T4937.1313:
半导体器件机械和气候试验方法第部分引出端强度引线牢固性
GB/T4937.1414:()
半导体器件机械和气候试验方法第部分通孔安装器件的耐焊接热
GB/T4937.1515:
半导体器件机械和气候试验方法第部分可焊性
GB/T4937.2121:
半导体器件机械和气候试验方法第部分高温工作寿命
GB/T4937.2323:
半导体器件机械和气候试验方法第部分静电放电敏感度测试
GB/T4937.2626:(ESD)
人体模型
(HBM)
半导体器件机械和气候试验方法第部分静电放电敏感度测试
GB/T4937.2727:(ESD)
机器模型
(MM)
集成电路术语
GB/T9178
半导体器件集成电路第部分半导体集成电路分规范不包括混合电路
GB/T1275011:()
半导体器件集成电路第部分第篇半导体集成电路内部目检不包
GB/T19403.111:1:(
括混合电路
)
半导体器件第部分微波集成电路放大器
GB/T20870.1—200716-1:
集成电路防静电包装管
SJ/T10147
电子产品防静电包装技术要求
SJ/T11587—2016
半导体器件机械和气候试验方法第部分高温贮存
IEC60749-66:(Semiconductordevices—
Mechanicalandclimatictestmethods—Part6:Storageathightemperature)
半导体器件机械和气候试验方法第部分密封
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