标准解读

《GB/T 29057-2023 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程》相较于《GB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程》,在内容上进行了若干更新与调整。这些变化主要包括但不限于以下几点:

首先,在术语定义部分,新版本对某些专业术语进行了更为精确的界定,并可能引入了新的定义以适应当前技术发展需求。

其次,对于实验方法的具体描述方面,《GB/T 29057-2023》可能优化了区熔拉晶过程的操作步骤及参数设置要求,旨在提高测试结果的一致性和准确性。同时,也可能针对光谱分析技术的应用给出了更详细的操作指南或改进措施。

再者,关于样品制备与处理的要求,《GB/T 29057-2023》或许增加了更多细节说明,比如规定了不同尺寸、形状的样品应该如何正确准备以及如何保证其代表性等。

此外,考虑到近年来检测设备性能的提升及数据分析方法的进步,《GB/T 29057-2023》还可能修订了质量控制标准,包括但不限于允许误差范围、重复性限值等方面的内容,以确保评价体系更加科学合理。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2023-08-06 颁布
  • 2024-03-01 实施
©正版授权
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文档简介

ICS77040

CCSH.80

中华人民共和国国家标准

GB/T29057—2023

代替GB/T29057—2012

用区熔拉晶法和光谱分析法评价

多晶硅棒的规程

Practiceforevaluationofpolocrystallinesiliconrodsbyfloat-zone

crystalgrowthandspectroscopy

2023-08-06发布2024-03-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T29057—2023

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

本文件代替用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程与

GB/T29057—2012《》,

相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

GB/T29057—2012,,:

删除了目的见年版的第章

a)(20121);

更改了范围见第章年版的第章

b)(1,20122);

将第章局限性改为第章干扰因素并完善了干扰因素内容见第章年版的

c)3“”5“”,(5,2012

第章

3);

更改了方法提要见第章年版的第章

d)(4,20126);

增加了籽晶的要求见

e)(6.6);

增加了取样方案的选择见

f)(9.8);

更改了试验数据处理见第章年版的第章

g)(12,201213);

更改了精密度见第章年版的第章

h)(13,201214);

删除了关键词见年版的第章

i)(201215);

增加了试验报告见第章

j)(14)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司有色金属技术经济研究院有

:、

限责任公司亚洲硅业青海股份有限公司洛阳中硅高科技有限公司四川永祥新能源有限公司新疆

、()、、、

大全新能源股份有限公司江苏中能硅业科技发展有限公司新疆新特新能材料检测中心有限公司陕

、、、

西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司江苏鑫华半导体科技股份有限公司宜昌南玻硅材料有限公司

、、、

青海丽豪半导体材料有限公司乐山市产品质量监督检验所新疆协鑫新能源材料科技有限公司

、、。

本文件主要起草人秦榕薛心禄李素青王志强万烨贺东江岳峥张孝山赵生良郭光伟

:、、、、、、、、、、

陈雪刚于生海邓远红王彬邱艳梅徐岩刘国霞万首正田洪先刘文明赵小飞梁洪赵娟龙

、、、、、、、、、、、、。

本文件于年首次发布本次为第一次修订

2012,。

GB/T29057—2023

用区熔拉晶法和光谱分析法评价

多晶硅棒的规程

1范围

本文件规定了多晶硅棒取样将样品区熔拉制成单晶以及通过低温红外光谱法或光致发光光谱法

对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中施主受主代位碳和间隙氧杂质含量等的规程

、、。

本文件适用于评价硅芯上沉积生长的棒状多晶硅

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

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