VCSEL工艺简介课件

垂直腔面发射激光器（VCSEL）制作工艺简介BeijingAsiaScience&Technology

垂直腔面发射激光器（VCSEL）BeijingAsiaVCSEL基本简介垂直腔表面发射激光器(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser,即VCSEL)区别于边发射激光器沿平行于衬底表面、垂直于解理面的方向出射，而是面发射激光器其出光方向垂直于衬底表面，如下图：边发射激光器（a）面发射激光器(b)VCSEL基本简介垂直腔表面发射激光器(VerticalCVCSEL基本简介-基本构成1977年，日本东京工业大学的伊贺健一(KenichiIga)提出VCSEL的概念，其光学谐振腔与半导体芯片的衬底垂直，能够实现芯片表面的激光发射。典型的VCSEL为顶发射结构。结构示意图如下图所示VCSEL的结构示意图（顶部布拉格反射器（P-DBR）、谐振腔和底部N-DBR）VCSEL基本简介-基本构成1977年，日本东京工业大学的VCSEL的制作总工艺过程工艺过程总流程图侧向选择氧化制备工艺流程图VCSEL的制作总工艺过程工艺过程总流程图侧向选择氧化制备工VCSEL的制作总工艺过程工艺制备图侧向选择氧化制备工艺流程图VCSEL的制作总工艺过程工艺制备图侧向选择氧化制备工艺流程外延材料制备MOCVD侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAssubstrateactiveP-DBRP-ringcontact外延材料制备MOCVD侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGVCSEL的制作芯片工艺与关键设备芯片流片芯片流片过程VCSEL的制作芯片工艺与关键设备芯片流片芯片流片过程外延材料制备沉积SiO2侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAssubstrateP-ringcontact沉积SiO2外延材料制备沉积SiO2侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBR外延材料制备光刻+腐蚀做SiO2掩膜侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAssubstrateP-DBRP-ringcontact外延材料制备光刻+腐蚀做SiO2掩膜侧向选择氧化制备工艺外延材料制备台面腐蚀侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAssubstrateactiveP-DBRP-ringcontact外延材料制备台面腐蚀侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGa外延材料制备去掩膜侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAssubstrateactiveP-DBRP-ringcontact外延材料制备去掩膜侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaA外延材料制备局部氧化侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAssubstrateactiveP-DBRP-ringcontact外延材料制备局部氧化侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGa外延材料制备沉积SiO2侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAssubstrateactiveP-DBRP-ringcontact外延材料制备沉积SiO2侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBR外延材料制备光刻、刻蚀、开窗侧向选择氧化制备工艺流程图n-DBRGaAssubstrateactiveP-DBRP-ringcontact外延材料制备光刻、刻蚀、开窗侧向选择氧化制备工艺流程图n-D外延材料制备光刻、电极、出光孔侧向选择氧化制备工艺流程图n-D