晶闸管电路课件

第九章晶闸管及应用9.1掌握晶闸管的导通和关断条件9.2可控整流电路的工作原理及特点第九章晶闸管及应用9.1掌握晶闸管的导通和关9.1晶闸管简介晶闸管是晶体闸流管的简称，也称可控硅可控整流逆变交流调压无触点开关将直流交流，可实现异步电动机的变频调速代替闸刀开关通/断，切换速度快，无火花无噪音9.1晶闸管简介晶闸管是晶体闸流管的简称，也称可控硅可晶闸管是在晶体管基础上发展起来的大功率器件它有四层，三个结，三个引出极阳极(A)，阴极(K),控制极(G)阳极阴极控制极晶闸管是在晶体管基础上发展起来的大功率器件它有四层，三个结，晶闸管外型晶闸管外型实验结果实验结果晶闸管可看成有PNP和NPN型两个晶体管联接而成晶闸管工作原理原理1)晶闸管阳极A与阴极K之间加正向电压，控制极断开，两个三极管均无基极电流，晶闸管不导通。2)在控制极G与阴极K之间加正向电压，当IG到达一定数值，T2首先导通：IB2=IG，IC2=IB2=IG又：IB2=IC1,随后T2导通，IC1与IG一起进入T2的基极后再次放大。该过程在极短时间内连锁循环进行，晶闸管瞬间全部饱和导通。等效电路晶闸管可看成有PNP和NPN型晶闸管工作原理原理1)晶闸管阳3）晶闸管导通后，即使控制极与外界断开，T2管的基极电流IB2=IC1IA，比IG

大，管子维持导通。在导通后，要关断晶闸管：晶闸管导通后，控制极失去控制作用1）阳极电流IA减小到某一数值以下，内部连锁状态不能维持，管子截止。2)切断阳极电源3)在阳极和阴极之间加反向电压+–3）晶闸管导通后，即使控制极与外界断在导通后，要关断晶闸管：1）晶闸管导通必须同时具备两个条件：阳极与阴极之间加正向电压控制极与阴极之间加正向电压可见2）晶闸管的控制极只有使晶闸管导通的作用，一旦导通就不再有控制作用，无论控制极对阴极有无电压或反向电压，管子始终导通3）要使晶闸管阻断(截止),必须切断阳极电源或使阳极电压反向或将阳极电压减小到某一数值以下。1）晶闸管导通必须同时具备两个条件：阳极与阴极之控制极与阴极晶闸管的伏安特性曲线晶闸管的导通和截止由阳极电压U、电流I及控制极电流IG决定，它们之间的关系用伏安特性曲线来表示。晶闸管的伏安特性曲线晶闸管的导通和截止由阳极电压U、电流I及当晶闸管的阳极和阴极加正向电压，控制极无电压时，J2反偏，因此只有很小电流，称正向漏电流。此时晶闸管截止，表现出很大的内阻。J2当正向电压增加到某一数值，漏电流突然增大，晶闸管导通，可以通过很大的电流，而管压降仅1V左右。晶闸管由截止变为导通所对应的电压UBO称正向转折电压。晶闸管导通后，减小正向压降，正向电流减小，当减小到某一数值，晶闸管又转为阻断。此时对应的最小电流称维持电流IH当晶闸管的阳极阴极加反向电压，特性与二极管相似，有很小的反向漏电流。加大反向电压,晶闸管在反向转折电压UBR处反向导通。当晶闸管的阳极和阴极加正向电压，控制极无电压时，J2当正向电当阳极电压高于转折电压时，元件导通，但这种导通方法容易造成元件不可恢复性击穿，一般不采用。当控制极加正向电压，IG产生，特性曲线左移，正向转折电压降低,元件容易导通。IG越大，UBO越低。当阳极电压高于转折电压时，元件导通，但这种导通方法当控制极加主要参数1)

（断态重复峰值电压）——在控制极断路和晶闸管正向阻断时，可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压，它比小100V。“多少伏的晶闸管”2)

（反向重复峰值电压）——在控制极断路时，可以重复加在晶闸管两端的反向峰值电压，它比小100V。3)

（额定通态或正向平均电流，简称额定电流）——在环境温度不大于40℃和标准散热及全导通时，晶闸管可以连续通过的工频正弦半波电流（在一个周期内）的平均值。“多少安的晶闸管”主要参数

正弦半波电流的平均值正弦半波电流的有效值波形系数即

一般按选晶闸管（——实际电流有效值）

4)（维持电流）——在规定的环境温度和控制极断路时，维持元件继续导通的最小电流。一般为几十mA~一百多mA，其数值与温度成反比，如：正弦半波电流的平均值

5.型号及其含义（国产晶闸管）

例如：

3CT50/500（为50A，为500V）；

KP5-7（K—晶闸管，P—普通型，额定电流5A，额定电压700V）。/可控整流元件

N型硅材料三个电极

5.型号及其含义（国产晶闸管）/可控整流元件N型硅6.判别管子的好坏用万用表的欧姆档来判别管子的好坏。

表10.1用万用表测试晶闸管各管脚之间的电阻注意：当A—K间为高阻值，而K—G间逆向电阻大于顺向电阻时，管子良好。测试点表内电池极性测量范围测试结果A—K顺向或逆向R×1000高电阻（表针不动）A—G同上同上同上K—G顺向：G“+”,K“-”逆向：G-”,K“+”R×1R×110~10050~5006.判别管子的好坏注意：当A—K间为高阻值，而K—G间逆向1.双向晶闸管（TRIAC）1.双向晶闸管（TRIAC）l

特点1)

三端子NPNPN元件；2)

采用交流电源；3)

相当于两只普通晶闸管反并联；4)

双向控制，简化触发电路；5)

成本低，可靠性好；6)

主要应用于家用电器控制，调节交流电压。l

符号(如图所示)l

工作原理1)

门极无信号时，、不导电。2)

导通条件：①"+"，"-"，G"+"②"-"，"+"，G"-"l

电压波形图(如图所示)l

特点2.可关断晶闸管（GTO）l

特点1)

控制极控制元件的导通和关断，所需控制电流较大。

20mA/30μA2)动态特性较好，关断时间较短。

1μs/(5~30)μs3)

主要用于直流调压和直流开关电路。4)电路简单，工作频率高。l

符号与晶闸管相似。2.可关断晶闸管（GTO）3.功率晶体管（GTR）

（300A，100V或100A，300V）达林顿晶体管（200A，500V）注：复合管，正向导通压降↑，功率损耗↑。l

特点可在高电压和强电流定额下使用；正向导通压降（0.3~0.8）V，功率损耗较晶闸管（≈1V）小；基极电流消失或反偏时，晶体管立即截止（不存在关断问题）；允许的电流变化率低；处于导通状态，基极电路功率损耗大；体积更小，价格更低（比晶闸管）。3.功率晶体管（GTR）（300A，100V或4.大功率二极管（整流二极管）l

特点可在高温下工作；（室温）

加正向导通压降（0.8~1）V；反向电压就截止，加正向电压就导通；额定值可达200A和400V，或更高。注：它相当于一只开关。4.大功率二极管（整流二极管）9.2可控整流电路半波可控整流电路半控桥式整流电路可控9.2可控整流电路半波可控整流电路半控桥式整流电路可1）以晶闸管代替半波整流电路中的二极管半波可控整流电路2）晶闸管与RL串联，电路电流为io，控制极施加周期性正向脉冲电压uG1）以晶闸管代替半波整流电路中的二极管半波可控整流电路2）晶当t=0时，电压为0，uG为0，晶闸管电流io=0当t=0~t1时(不含t1点)，电压为正，但uG为0,晶闸管正向阻断，电流io=0当t=t1~时(含t1点)，电压为正，控制极电压在t1点出现,晶闸管导通条件具备，正向导通，产生电流io晶闸管一旦导通，控制极失去作用，uG消失，晶闸管仍然有导通电流io存在当t=~2时，电源电压反向，不论uG是否存在,晶闸管反向阻断，io=0当t=0时，当t=0~t1时(不含t1点)，当t晶闸管在正向电压下的阻断范围称为控制角晶闸管在正向电压下的导通范围称为导通角+=180°晶闸管在正向电压下的阻断范围称为控制角晶闸管在正向电压下的负载电压uo的平均值与交流电压的有效值的关系为：UO=1/22Usintd(t)=0.45U(1+cos)/2当=0时，=180°,UO=0.45U,晶闸管全导通当=180°时，=0°,UO=0,晶闸管全阻断负载电流的平均值为：IO=UO/RL=0.45U(1+cos)/2RL负载电压uo的平均值与交流电压的有效值的关系为：UO=1/半控桥式全波整流电路电路与二极管桥式全波整流电路相似半控桥式全波整流电路电路与二极管桥式全波整流电路相似在u正半周，当有uG出现：u+T1RLD2u–在u负半周，当有uG出现：u–T2RLD1u+负载上有相同方向电流通过+––+在u正半周，当无uG出现：T1截至，uo,io为零在u正半周，当有uG出现：在u负半周，当有uG出现：负载上有无论正负半周，RL上均有电流通过，负载电压平均值为半波时的一倍UO=0.9U(1+cos)/2负载电流平均值为半波时的一倍IO=UO/RL=0.9U(1+cos)/2RL无论正负半周，RL上均有电流通过，UO=0.9U(1+cos9.3单结晶体管触发电路单结晶体管符号单结晶体管有三个极，外型类似普通小功率三极管9.3单结晶体管触发电路单结晶体管符号单结晶体管有三个N型硅片的一侧引出两个极,B1称第一基极,B2称第二基极；结构双基极二极管等效电路硅片另一侧靠近B2处有一个PN结，从此处引出电极E称发射极。因有两个基极，单结晶体管又称N型硅片的一侧引出两个极,B1称第一基极,B2称第二基极；结特性分析单结晶体管两个基极之间呈电阻性，称基极电阻RBB，其值为几千欧。第一基极与发射极之间的电阻为RB1，随电流IE的增大而减小，当IE为0，RB1为几千欧，当IE为20mA左右，其为几十欧。第二基极与发射极之间的电阻为RB2，数值恒定。发射结具有单向导电性，以二极管D表示等效电路特性分析单结晶体管两个基极之间呈电阻性，称第一基极与发射极之伏安特性曲线在两个基极之间加正向电压UBB当发射极电压为0：UA=RB1×UBB/(RB1+RB2)=UBB称分压系数(分压比)，一般为0.3~0.9，是单结晶体管的重要参数提高发射极电压UE：当UE<UA,PN结反偏,IE几乎为0RB1呈高阻，单结晶体管截止。伏安特性曲线在两个基极之间加正向电压UBB当发射极电压为0：当UE升高到一定值，PN结导通，发射极电流IE增大，电压UE的最大值称为峰点电压UP，与之对应的电流称峰点电流IPUP=UA+UD=

UBB+UDUD为二极管正向压降，约0.6VPN结导通后，RB1迅速减小，E与B1之间的电压UE下降，这段曲线的动态电阻UE/IE为负值，称为负阻区电压UE的最低点称谷点电压UV，当UE升高到一定值，PN结导通，发射极电流IE增大，UP=U当UE<UV，单结晶体管关断。IE再增大，UE仅略有增大，单结晶体管进入饱和区。当UE<UV，单结晶体管关断。可见当UE=UP时，单结晶体管导通，呈低阻态当UE<UV时，单结晶体管关断，呈高阻态可见当UE=UP时，单结晶体管导通，当UE<UV时，单结晶体单结晶体管振荡电路注意R1，R2为外接电阻C为外接电容单结晶体管振荡电路注意R1，R2为外接电阻单结管E,B1间电阻突然减小，电容上的电荷通过R1放电，放电速度取决于RC1，因为R1<<R，放电迅速，放电电流在R1上形成尖脉冲。工作原理接通电源,电容充电,电压uc上升,上升速度取决于RC的值,当uC<uP,单结晶体管截止2)当uC=uP,3)当uC降到谷点电压uV,单结管关断。此后重复上述过程。在R1上形成一系列尖脉冲。单结管E,B1间电这种周而复始的自动充放电过程称为振荡通过电路振荡在电容器上形成锯齿波，在R1上形成尖脉冲尖脉冲出现的时间可通过改变R的值来调节R大，电容充电慢，到达uP的时间长，脉冲出现时间晚R小，电容充电快，到达uP的时间短，脉冲出现时间早移相这种周而复始的自动充放电过程称为振荡通过电路振荡在电容器上形单结晶体管振荡电路可用于半控整流电路中,构成触发电路。主电路：单相桥式半控整流电路触发电路：由单结晶体管振荡器组成单结晶体管振荡电路可用于半控整流电路中,构成触发电路。主电路为将触发电路产生的尖脉冲按一定周期准时送至主电路，使晶闸管按周期导通，必须使晶闸管阳极电压起始时刻与电容器充电起始时刻保持一致。变压器Tr：同步为将触发电路产生的尖变压器Tr：同步同步即:触发电路过零时刻与主电路过零时刻保持一致,称“同步”同步作用由变压器完成,u1对主电路供电,u2对触发电路供