非易失性存储器设备的制作方法

非易失性存储器设备的制作方法非易失性存储器设备（Non-VolatileMemoryDevices，NVM）是一种电子存储设备，与易失性存储器设备（VolatileMemoryDevices，VM）不同，NVM在断电后仍然可以保持其中存储的信息。NVM被广泛应用于数字产品中，例如手机、相机、电脑等，并且随着电子产品行业的发展，NVM的需求和市场呈现快速增长的趋势。本文将介绍一些非易失性存储器设备的制作方法，旨在向广大读者介绍NVM的基本原理以及其制作流程。NVM的基本原理闪存存储器闪存存储器是一种广泛应用的非易失性存储器设备，其基本原理是通过将闪存单元内的电荷状态（即电子的存储状态）分为两种，来进行存储。在闪存中，每个存储单元都由一个栅极、一个源极和一个漏极组成。在写入数据时，将电子通过源极注入栅极，栅极电势上升，使栅极和漏极之间产生电子隧穿效应，形成电子空穴对。这些空穴在稍后被漏极吸收，从而形成了储存状态。在读取数据时，通过改变栅极电势，可以控制是否可以进行电子隧穿。如果允许电子穿过栅极，电缓和可以通过汲取到达漏极，表示该单元存储的是数据。相反，如果阻止电子通过栅极，则也不会出现电流，表示该单元存储的是空数据。锁存器存储器与闪存相比，锁存器存储器所使用的原理更为简单。锁存器单元通常由一个可编程栅阵列、一个行寄存器和一个列寄存器组成。在写入锁存器单元时，将电荷存储在栅阵列中，以便产生相应的电场。然后通过列寄存器和行寄存器的作用，将电场集中到特定的锁存器单元上，并将其锁定。在读取数据时，通过测量锁存器单元中的电场大小，可以了解其储存状态。NVM的制作流程硅基NVM硅基NVM是一种基于硅的NVM，它是市面上最常见的NVM设备之一。硅基NVM的制作流程主要包括以下几个步骤：硅片制备：首先需要准备各尺寸的硅片，并备好所需原材料。热氧化：在硅片表面形成一层二氧化硅氧化层，该氧化层具有一定的厚度，可以防止跨接等问题的发生。镀银：将涂抹红色光刻胶，并根据图案进行镀银。这一步是确定存储器内部的形状的关键步骤，因此要尽可能准确。制造屏蔽模板：将上一步中制造的镀银图案反过来，得到一份尺寸比初始图案小的模板。这个模板是存储单元形状的基础。激光刻蚀：使用激光在硅基片上进行刻蚀，这一步是将模板的阴影以精确的形状和位置传递到硅片表面的关键步骤。氮化层覆盖：在悔片上涂覆一层氮化硅，以固定硅基片中的电荷。发射极制作：制作盖子，以保护硅芯片的电极。填充MDP：填充锁存器单元的材料，使其具有存储性质。磁性NVM磁性NVM是一种基于磁性材料的NVM，它在高运算速度、易制造等方面具有显著优势。其制作流程如下：磁性材料制备：选择磁性兆幅度材料，并进行简单的改性。镀金：采用化学方法，在材料表面形成有一层固定电流的金属。氮化硼体形制：采用电感耦合电测，以控制磁性微结构形成的方式，形成一些小型磁应力区域，同时在每个类型的区域周围形成相应的金属纹路。填充锁存器单元：将氟化硼纳米结构填充到细小的锁存器单元中，以产生确定的磁电流信号。结论本文介绍了两种常用的NVM类