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文档简介

电子科技大学微电子器件习题(),内建电势V就越反向饱和电流I就越(),雪崩击穿电压就越。（），()。()。pp9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓（）)电流和()电流三部分所组成。()。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的。16、小注入条件是指注入某区边界附近的()浓度远小于该区的()浓度，因此该区总的多子浓度中的(17、大注入条件是指注入某区边界附近的()浓度远大于该区的()浓度，因此该区总的多子浓度中的(()。大的反向电流。引起这个电流的原因是存储在（）区中的()电荷。这个()。()。()。随外加正向电压的增加而变化的规律。当正向电压较小时以什么电流为主当正向电压较大7、什么是小注入条件什么是大注入条件写出小注入条件和大注入条件下的结定律，并讨论两种情况下中性区边界上载流子浓度随外加电压的变化规律。（）DAbiDA（）oo导通的开始，试求正向导通电压V之值。若此PN结存在寄生串联电阻R=4Ω,则在同FCC0AD图P2-2ε,并画出内建电场分布图。0B30、已知某硅单边突变结的内建电势为，当()电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生(),从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度()基区少子扩散长度。7、某长方形薄层材料的方块电阻为100Ω,长度和宽度分别为300μm和60μm，则其()的比例增大，使注入效率下降。10、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高(),()。()效应。()。()。ωTMωMM(),集电结势垒电容C。,应当使特征频率fT(),基极电阻rbb'eC3、倒向晶体管的电流放大系数为什么小于正向晶体管的电流放大系数5、减薄基区宽度会对晶体管的上述各种特性产生什么影响6、先画出双极晶体管的理想的共发射极输出特性曲线图，并在图中标出饱和区与放7、画出包括基极电阻在内的双极型晶体管的简化的交流小信号等效电路。TBBbBBBBBBTβ028、已知某硅NPN均匀基区晶体管的基区宽度W=2μm，基区掺杂浓度n=5×4e大M宽度WB=2μm，基区少子扩散系数DB=12cm2/s，基极电阻Rbb'=75Ω,集电区杂质浓度nCTMπμ变B第五章绝缘栅场效应晶体管（），DsatDsat（）m,()LV。TATTT

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