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文档简介
光学和光电子测量Optical
and
optoelectronic
measurements第八课（光电导探测器）上节回顾光电子发射探测器本堂课内容半导体光电探测器光电导型探测器光伏型探测器半导体的能级和电导能级：hn≥Eg,hnp
≥DEp,hnh
≥DEh电导：mem
=
eterR
=
r
LS1
=
s
=
nem半导体的光电导L=
DsU
SR
LI
=
U
=
sU
Ssd
=
eneme
+
enpmpsl
=
eme
(ne
+
Dne
)
+
emp
(np
+
Dnp
)=
sd
+
eme
Dne
+
emp
Dnp
=
sd
+
DsdIs
=
Il
-
I光电导的光电流Thse
dx-axGPhni
=
eh'tG
=
mU
t
=
tL20h'
=
ah
(1-
R)0光电导的时间响应和频率响应2p
2pt1+
(wt)2I
(w
)
=-t
tI
(t)
=
I0eI0==
wc
1cf光电导的响应度ssP
hni
=
eh'
GiR
=光电导探测器的噪声热噪声产生－复合噪声1/f噪声I
2
=
I
2
+
I
2
+
I
2n
nj g
-r
nfDff
aI
bR=
B
+
4eGIs
Df +
K4k
TDf典型光电导探测器碲镉汞：1～14
mm，响应时间<1ms，性能最优异锑化铟：3～7
mm，室温或77K工作，响应时间短(50
ns)多晶硫化铅：1～7
mm，响应时间0.1～0.3
ms，使用广泛硫化镉和硒化镉：0.3～0.8mm，响应时间非常长（>1ms），增益大（103～104），高可靠性，长寿命，造价低杂质型：主要应用于远红外辐射的探测，波长响应范围可达几十至几百微米，响应时间为10－6～10－8s，工作温度都比较低。常见的有锗掺铜、锗掺金、锗掺汞等。光电导探测器的光谱特性光电导的工作电路光电导使用注意事项只有在弱光下光电流与入射光功率成线性关系低温下灵敏范围和峰值波长都向长波移动不适于在高温下使用频带宽度都比较窄，室温下只有少数品种能超
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