超级电容测试设计毕业设计

摘要洛阳理工学院毕业设计（论文）PAGEIVPAGEII超级电容测试设计摘要近年来，随着工农业的迅速发展，世界能源消耗速度急剧增加。因此，新能源和节能技术的开发已经成为世界各国科技工作者的当务之急。而机车制动能量回收系统是目前国内外节能技术方面研究的热点之一。对超级电容电压检测方案的研究和对超级电容时域模型的研究，将为超级电容的电压均衡方案和超级电容的电参数分析提供支持，从而为整个能量回收系统的控制策略提供理论依据。因此以上两方面的研究将是整篇论文的核心内容。本文采用模块化的设计理念，提出了一种兼顾均压的新型电压检测方案。在软件设计方面，对电压检测系统的软件架构进行分析，利用proteus和max驱动函数包设计了友好的上位机软件监控界面。关键词：超级电容，电压检测，proteusSupercapacitortestsystemABSTRACTInrecentyears,withtherapiddevelopmentofindustryandagriculture,worldenergyconsumptionrateincreaseddramatically.Therefore,thedevelopmentofnewenergyandenergy-savingtechnologyhasbecomeascienceandtechnologyworkersoftheworld'stoppriority.Energysavingtechnologyoflocomotivebrakeenergyrecoverysystemisnowoneofthehotspots，Studiesofsupercapacitorvoltagedetectionschemeandontime-domainmodelofsupercapacitor,supercapacitorvoltagebalancingofelectricalparameteranalysisofprogrammesandSupercapacitorstoprovidesupport,soastocontrolstrategyprovidesthetheoreticalbasisfortheentireenergyrecoverysystem.Thereforethesetwostudieswillbethroughoutthecorecontentofthepaper.

Thisarticleusesamodulardesignconcept,putforwardanewvoltagedetectionschemetakingintoaccountthepressure.Intheareaofsoftwaredesign,softwarearchitectureanalysisonvoltagedetectionsystem,withProteusandMax-drivenfunctionspackagedesignfriendlyPCsoftwaremonitoringinterface.

KEYWORDS:supercapacitor,voltagedetection,proteus毕业设计（论文）原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺：所呈交的毕业设计（论文），是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。尽我所知，除文中特别加以标注和致谢的地方外，不包含其他人或组织已经发表或公布过的研究成果，也不包含我为获得及其它教育机构的学位或学历而使用过的材料。对本研究提供过帮助和做出过贡献的个人或集体，均已在文中作了明确的说明并表示了谢意。作者签名：日期：指导教师签名：日期：使用授权说明本人完全了解大学关于收集、保存、使用毕业设计（论文）的规定，即：按照学校要求提交毕业设计（论文）的印刷本和电子版本；学校有权保存毕业设计（论文）的印刷本和电子版，并提供目录检索与阅览服务；学校可以采用影印、缩印、数字化或其它复制手段保存论文；在不以赢利为目的前提下，学校可以公布论文的部分或全部内容。作者签名：日期：

学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。作者签名： 日期：年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。涉密论文按学校规定处理。作者签名： 日期：年月日导师签名：日期：年月日

指导教师评阅书指导教师评价：一、撰写（设计）过程1、学生在论文（设计）过程中的治学态度、工作精神□优□良□中□及格□不及格2、学生掌握专业知识、技能的扎实程度□优□良□中□及格□不及格3、学生综合运用所学知识和专业技能分析和解决问题的能力□优□良□中□及格□不及格4、研究方法的科学性；技术线路的可行性；设计方案的合理性□优□良□中□及格□不及格5、完成毕业论文（设计）期间的出勤情况□优□良□中□及格□不及格二、论文（设计）质量1、论文（设计）的整体结构是否符合撰写规范？□优□良□中□及格□不及格2、是否完成指定的论文（设计）任务（包括装订及附件）？□优□良□中□及格□不及格三、论文（设计）水平1、论文（设计）的理论意义或对解决实际问题的指导意义□优□良□中□及格□不及格2、论文的观念是否有新意？设计是否有创意？□优□良□中□及格□不及格3、论文（设计说明书）所体现的整体水平□优□良□中□及格□不及格建议成绩：□优□良□中□及格□不及格（在所选等级前的□内画“√”）指导教师：（签名）单位：（盖章）年月日评阅教师评阅书评阅教师评价：一、论文（设计）质量1、论文（设计）的整体结构是否符合撰写规范？□优□良□中□及格□不及格2、是否完成指定的论文（设计）任务（包括装订及附件）？□优□良□中□及格□不及格二、论文（设计）水平1、论文（设计）的理论意义或对解决实际问题的指导意义□优□良□中□及格□不及格2、论文的观念是否有新意？设计是否有创意？□优□良□中□及格□不及格3、论文（设计说明书）所体现的整体水平□优□良□中□及格□不及格建议成绩：□优□良□中□及格□不及格（在所选等级前的□内画“√”）评阅教师：（签名）单位：（盖章）年月日前言教研室（或答辩小组）及教学系意见教研室（或答辩小组）评价：一、答辩过程1、毕业论文（设计）的基本要点和见解的叙述情况□优□良□中□及格□不及格2、对答辩问题的反应、理解、表达情况□优□良□中□及格□不及格3、学生答辩过程中的精神状态□优□良□中□及格□不及格二、论文（设计）质量1、论文（设计）的整体结构是否符合撰写规范？□优□良□中□及格□不及格2、是否完成指定的论文（设计）任务（包括装订及附件）？□优□良□中□及格□不及格三、论文（设计）水平1、论文（设计）的理论意义或对解决实际问题的指导意义□优□良□中□及格□不及格2、论文的观念是否有新意？设计是否有创意？□优□良□中□及格□不及格3、论文（设计说明书）所体现的整体水平□优□良□中□及格□不及格评定成绩：□优□良□中□及格□不及格（在所选等级前的□内画“√”）教研室主任（或答辩小组组长）：（签名）年月日教学系意见：系主任：（签名）年月日目录24706前言 I32387第1章超级电容概述 2106441.1超级电容简介 2108971.1.1超级电容定义 2114511.1.2超级电容分类 2132541.1.3超级电容的特点 3243791.1.4超级电容的发展及国内外研究现状 380731.1.5课题的研究的目的与意义 418761第2章超级电容电压检测系统总体设计 5133102.1超级电容电压检测系统概述 510762.2系统设计方案 5189522.3各个模块中心器件的选择 6242782.3.1单片机的选择 642172.3.2模数（A/D）转换芯片的选择 76672.3.3显示器件的选择 8208652.3.416路模拟开关选择 914342.3.5Max232通信串口 125343第3章硬件电路设计 14313783.1采样电路设计 1431733.2分压电路 14219703.3通道切换电路 15260613.4Led显示电路 15302843.5串行通信电路设计 16132903.6电源电路设计 17236613.7系统总原理图 1729376第4章系统下位机程序设计 1893174.1下位机程序设计 1812914.2主程序设计 18184404.3各部分子程序设计 19161814.3.1A/D转换子程序 1931894.3.2LED显示子程序 20293924.3.3串行通信子程序 2225116第5章系统上位机程序设计 23181905.1上位机程序设计概述 23291565.2上位机界面设计 2319919结论 2510358谢辞 26568参考文献 2722784附录 281267外文资料翻译 36摘要洛阳理工学院毕业设计（论文）PAGEIVPAGE4前言当今世界，随着工农业生产的迅速发展和交通工具需求的增加，世界能源消耗速度急剧增加；而另一方面目前世界各国已经探明的煤炭、石油、天然气等常规能源剩余储量及可开采年限十分有限。目前人类正面临着前所未有的能源危机。中国人口众多、经济发展迅速，对能源的需求大幅度上升，而相对匮乏的能源储量已经使得我国在能源安全方面存在着十分危险的潜在危机。新能源和节能技术的开发已经成为我国科技工作者的当务之急。电机作为动力系统必要的组成部分，广泛应用于各个领域。在许多场合下要求电机频繁的启动和制动，尤其是城市轨道交通中更加频繁。电机在制动时由于惯性会伴随着很大的机械动能。像目前国内地铁机车在制动时牵引电机产生的制动能量除了一定比例通过回馈到电网被其他相邻列车吸收利用外，剩余部分采用电阻能耗的方式消耗掉。这不仅浪费能量，而且也增加了站内空调通风装置的负担，并使城市轨道建设费用和运行费用增加。如果能将电机制动能量回收再利用，将会带来巨大的经济效益，而且有利于节约能源消耗，减少环境污染，将为我国建设节约型社会做出巨大贡献。在上述特殊要求的推动下，超级电容器(电化学电容器)逐渐成为了人们的研究热点，它在新型清洁能源，频繁起动和制动的城市公交车和轨道交通等领域有着独特的优越性。它是一种电容器件但与常规电容器不同，其容量可达到法拉级甚至数万法拉而且能在电极端电压超过额定电压的过充电状态下不被击穿。超级电容作为一种理想的新型能源器件，它在众多的应用领域里弥补了常规储能器件的单方面缺陷。除此外它还具有内阻小、充电速度快、充放电效率高、循环寿命长、无污染等独特的优点。第1章标题第1章超级电容概述1.1超级电容简介1.1.1超级电容定义超级电容器又称超大容量电容器、金电容、黄金电容、储能电容、法拉电容、电化学电容器或双电层电容器(英文名称为EDLC，即ElectricDoubleLayerCapacitors)，是靠极化电解液来存储电能的新型电化学装置。它是近十几年随着材料科学的突破而出现的新型功率型储能元件，其批量生产不过几年时间。超级电容器自面市以来，全球需求量快速扩大，已成为化学电源领域内新的产业亮点。超级电容器在汽车、铁路、电力、电子、通信、国防等众多领域有着巨大的应用价值和市场潜力，被世界各国所广泛关注。1.1.2超级电容分类目前，关于超级电容器的分类方法并未完全统一，有超级电容器(Supercapacitor)，超电容器(Ultracapacitor)，电化学电容器(ElectrochemicalCapacitor)，超大容量电容器等名称，也有的称为双电荷层电容器(ElectricDouble．LayerCapacitor，EDLC)或双电层电容器(DoubleLayerCapacitor，DLC)。有些称谓从某种意义上说有些欠妥。目前较为合理的观点是将超级电容容器分为双电层电容器(ElectricDoubleLayerCapacitor，EDLC)和电化学电容器(ElectrochemicalCapacitor)两大类。其中，双电层电容器以活性碳等多孔介质为电极活性材料，充电时依靠在介质表面吸附的电荷进行电能储存，放电时释放全部被吸附的电荷V1。由于它的储能、释放过程类似物理电容，因此其放电时的功率输出密度很大，一般超过1KW／L，因此非常适合需要大功率应用的场合。而法拉第准电容器是通过特殊的电化学过程储能的峰1。最近又出现了分别采用电池材料和活性炭材料为两极混合型超级电容器。1.1.3超级电容的特点作为介于传统物理电容器和电池之间的新型储能系统，超级电容兼具前两者的优点，逐步为各国科研工作者所关注。超级电容存储的能量可达到静电电容器的100倍以上，同时功率密度比电池高出10～100倍。与静电电容器相比其优点是能量密度非常高，容量可达数千法拉，但是它的耐压较低，受制于电解液的分解电压；漏电较大；容量随频率显著降低，所以可用作低频容性元件使用。从发展趋势看，超级电容主要是用来取代或部分取代电池。与电池相比，超级电容具有许多电池无法比拟的优点：1．非常高的功率密度。超级电容器的放电电流可以达到上百安培，在大电流的应用场合，超级电容器可以更好的满足功率的要求。2．充放电速度快。超级电容器的一个充放电循环时间很短，远远低于蓄电池的充放电循环所需要的时间。这可以很好的满足机车启动、制动时的时间要求。3．使用寿命长。超级电容器的循环寿命可达10万次以上，比蓄电池寿命高100倍以上。4．工作温度范围宽。超级电容器可以在一45～105℃的温度范围内正常工作，远远优于普通蓄电池的高温和低温性能。1.1.4超级电容的发展及国内外研究现状超级电容是一种新型的储能元件，最早出现在20世纪60年代㈦，是由美国标准石油公司(SOC)开始进行商业性研究。70年代÷?芙目将超级电容用在了计算机上，1975年及随后的几年，NEC公司研究了基于H在Pt上的欠电位沉积，Ru02的氧化还原反应类型的超级电容，并称之为Supercapacitors：1978年日本Panasonic／Matsushita公司将其产业化，开发出第一代商用的超级电容，其能量与功率可作为电脑的辅助电源。1985年以来，日本的NEC／Tokin公司、松下公司生产的产品占领国际市场，超级电容由此得到了迅速的发展，进入商业化的应用规模。二十世纪九十年代，由于电动汽车发展的迫切要求，超级电容的研究热点进入到了大功率和大能量上。1991年，俄罗斯Fecund公司和ELIT公司开发出可用于车辆起动的超级电容，其容量达到300F。1996年俄罗斯Elytra公司研制出了采用纯电容器作电源的电动汽车样品，采用300个超级电容串联，可载20人，充电一次可行驶12km，时速25km／ht61。美国国防部和能源部非常重视超级电容的开发和应用，其中Maxwell公司生产的PowerCache超级电容器，已由通用汽车公司AllisonTransmissionDivision组成并联混合电源系统和串联电源系统用在货车和汽车上。1.1.5课题的研究的目的与意义超级电容作为一种新型电荷储能元件，具有大容量、大电流快速充放电、寿命长和无污染的优异特性。但超级电容单体额定电压很低，有机电解液双电层超级电容器额定电压只有2．5伏左右¨21，因此在实际应用中一般由多个超级电容通过串联和并联的方式组合构成超级电容储能模块，以满足储能容量和电压等级需要。然而受制造工艺影响，同一型号的超级电容单体之间的容量、等效并联内阻等参数各不相同，并且各个参数随着时间的推移会发生变化。这样在大电流充放电的时候，当分压高的电容已经充满时，分压低的单体还处于未充满状态。经过多次循环后，各个单体将处于相差很大的状态。如不对超级电容进行实时检测，在使用过程中将对整个组件的性能造成极大的影响。本课题的研究理论意义在于对超级电容的单体电压检测方案的设计，可以对超级电容电压进行实时检测，为后续的电压均衡提供依据。另外对超级电容进行时域建模，有利于更好的理解超级电容各物理参数的特性，从而为更有效的应用超级电容提供依据。本课题的研究将为超级电容在能量回收系统中的应用提供有利支持，从而达到节约能源的目的。REF_Ref168484390\r\h错误！未找到引用源。REF_Ref168484424\h错误！未找到引用源。PAGE6PAGE13第2章超级电容电压检测系统总体设计2.1超级电容电压检测系统概述由于超级单体电压很低，为获得较高的电压和容量，常常将其多节串联和并联起来。为方便装配，一般将超级电容多节装成一组(如上海奥威公司一般20节串联装成一箱)，组之间再进行串并联。为了便于检测，也将超级电容的电压检测电路进行模块化设计。超级电容测试系统是对超级电容进行研究的基础部分，系统的主要作用是采集与电容特性有关的状态值，比如电压、电流、温度等，为接下来的研究工作提供详细、可靠的数据。根据实际情况，本系统的设计要求如下：1、电压采集16路参数采集通道，能采集超级电容系统的单个电容的电压值及总电压，电压信号采集范围0～5V2、数据显示通过键盘，可查看任意一路通道采集到的参数值并通过LED数码管显示电压值3、串行通信能够通过串行通信接口与上位机进行通信，将采集到的参数值发送至上位机处理2.2系统设计方案本设计研究的是如何实现对超级电容器充放电电压的测试。因此，本文设计的基于单片机控制的超级电容测试系统，主要由单片机控制电路、采样电路、A/D转换电路、键盘与显示电路、串行通信电路等组成。这种方案是利用单片机系统与模数转换芯片、显示模块等的结合构建数字电压表。由于单片机的发展已经成熟，利用单片机系统的软硬件结合，可以组装出许多的应用电路来。此方案的原理是模数（A/D）转换芯片的基准电压端，被测量电压输入端分别输入基准电压和被测电压。模数（A/D）转换芯片将被测量电压输入端所采集到的模拟电压信号转换成相应的数字信号，然后通过对单片机系统进行软件编程，使单片机系统能按规定的时序来采集这些数字信号，通过一定的算法计算出被测量电压的值。最后单片机系统将计算好了的被测电压值按一定的时序送入显示电路模块加以显示。图2-1系统总体设计图2.3各个模块中心器件的选择2.3.1单片机的选择在这一设计中，我们涉及到了一个关键系统模块——单片机系统模块，而目前单片机的种类是很繁多的，主要有主流的8位单片机和高性能的32位单片机，结合本设计各方面因素，8位单片机对于本设计已经是绰绰有余了，但将用哪一种类8的单片机呢。在这里，不得不先简单的介绍一下几种常用的8单片机。单片机是指一个集成在一块芯片上的完整计算机系统，具有一个完整计算机所需要的大部分部件：CPU，内存，总线系统等。而目前常用的单片机的8位有51系列单片机，AVR单片机，PIC单片机。应用最广的8位单片机还是Intel的51系列单片机。51系列单片机的特点是：硬件结构合理，指令系统规范，加之生产历史悠久，世界有许多芯片公司都买了51的芯片核心专利技术，并在其基础上扩充其性能，使得芯片的运行速度变得更快，性价比更高。本设计中选用51系列的AT89C52，它是低电压、低功耗、高性能的CMOS8位单片机，片内含8KB的可反复擦写的只读程序存储器和256B的随机存取数据存储器，32个I/O口线，3个16位定时/计数器，片内振荡器及时钟电路，并与MCS-51系列单片机兼容。在设计中，单片机起着连接硬件电路与程序运行及存储数据的任务，一方面，它将A/D转换器、显示器和语音芯片等通过I/O口地址线和数据线连接起来；另一方面，它将用户下载的程序通过控制总线控制数据的输入输出，从而实现册电压的功能。下图所示为89C51管脚排列图:图2-2AT89C51引脚排列2.3.2模数（A/D）转换芯片的选择在本设计中，模数（A/D）转换模块是一个重要的模块，它关系到最后数电压表电压值的精确度。所以，A/D芯片的选择是设计过程中一个很重要的环节。1．常用的A/D芯片简介常用的A/D芯片有AD0809，AD0832，TLC1864等几种。AD0809是8位逐次逼近型A/D转换器，它是由一个8路的模拟开关、一个地址锁存译码器、一个A/D转换器和一个三态输出锁存器组成。多路开关可选通8个模拟通道，允许8路模拟量分时输入，共用A/D转换器进行转换。些A/D转换器是的特点是8位精度，属于并行口，如果输入的模拟量变化大快，必须在输入之前增加采样电路。AD0832也是8位逐次逼近型A/D转换器，可支持致命伤个单端输入通道和一个差分输入通道。它易于和微处理器接口或独立使用；可满量程工作；可用地址逻辑多路器选通各输入通道。TLC1864是16位开关电容逐次逼近A/D转换，每个器件有四个控制输入端，片选，输入/输出时钟以及地址输入端。它可以从主机高速传输转换数据。它有高速的转换，通用的控制能力，具有简化比率转换，刻度以及模拟电路与逻辑电路和电源噪声隔离，耐高温等特点。综合上述几种A/D转换芯片的特点，前两种芯片的性能和精度都不如第三种芯片。在本设计中，我们的目标是设计高精度的电压表，因此在此，我们选择精度为16位的TLC1864芯片。LTC1864-采用MSOP封装的微功率、16位、250ksps单通道和道ADC特点,采用MSOP封装的16位、250kspsADC,单5V电源,低电源电流：850Μa(典型值),自动停机功能可把电源电流减小至2μA(在1ksps),真正的差分输入。2.3.3显示器件的选择本次设计中有显示模块，设计要求显示最后电压的数字值并且要精确到0.001v。1．MAX7221的功能特点（1）10MHz的串行接口；（2）BCD译码/非译码模式选择；（3）耗电仅150uA的省电模式（显示关闭）；（4）数字和模拟双重亮度控制；（5）SPI、QSPI、Microwire等多种串行接口；（6）显示位数可方便地进行扩展.2．MAX7221引脚介绍（见图1）Din脚,串行数据输入端,数据存入内部16位移位寄存器.DIG0~DIG7脚,8位共阴极数码管的控制输入端，显示关闭时输出高电平.GND脚,接地端,4和9脚都要接地.CS脚,片选输入端,当CS=0时,串行数据存入移位寄存器,当CS为上升沿时锁存最后16位数据.CLK脚,串行时钟输入端,最高频率10MHz,在时钟上升沿数据移位存入内部移位寄存器，当时钟下降沿时，数据由D-out输出，CLK输入仅当CS=0时有效.SEGA~SEGG，SEGDP脚,数码管七段驱动和小数点驱动端,关闭显示时各段驱动输出为高电平.Iset脚,连接到Vdd的电阻连接端,用来模拟设定各段驱动电流.Vdd脚,5V正电压输入端.D-out脚,串行数据输出端,数据由Din输入,经16.5个时钟延迟后由Dout引脚输出,此引脚用来扩展MAX7221.图2-3MAX7221引脚图2.3.416路模拟开关选择为达到分压的目的，必须选用多路开关，这里我选用CC406716选模拟开关。CC4067是数字控制模拟开关，具有低导通阻抗，低截止漏电流和内部地址译码的特征。另外，在整个输入信号范围内，导通电阻保持相对稳定。CC4067是16通道开关，有四个二进制输入端A0～A3和控制端C，输入的任意一个组合可选择一路开关。C＝1时，关闭所有的通道。CC4067提供了24引线多层陶瓷双列直插（D）、熔封陶瓷双列直插（J）、塑料双列直插（P）和陶瓷片状载体（C）4种封装形式。1．推荐工作条件：电源电压范围…………3V～15V输入电压范围…………0V～5VDD工作温度范围M类…………－55℃～125℃E类………….－40℃～85℃2．极限值：电源电压…－0.5V～18V输入电压……－0.5V~VDD+0.5V输入电流…………….±10mA储存温度…………－65℃～150℃3．引出端符号：A0～A3地址端C控制端I0/O0～I15/O15输入/输出通道O/I公共输出/输入端VDD正电源VSS地4．如下图所示为CC4067管脚图图2-4CC4067管脚图5．逻辑表达式：表2-1通道逻辑表达式(a)表2-2通道逻辑表达式(b)由上述逻辑通道可以很容易判断出所选的通道，及你要检测的电压。2.3.5Max232通信串口Max232产品是由德州仪器公司（TI）推出的一款兼容RS232标准的芯片。由于电脑串口rs232电平是-10v+10v，而一般的单片机应用系统的信号电压是TTL电平0+5v,max232就是用来进行电平转换的,该器件包含2驱动器、2接收器和一个电压发生器电路提供TIA/EIA-232-F电平。该器件符合TIA/EIA-232-F标准，每一个接收器将TIA/EIA-232-F电平转换成5-VTTL/CMOS电平。每一个发送器将TTL/CMOS电平转换成TIA/EIA-232-F电平。主要特点1．单5V电源工作；2．LinBiCMOSTM工艺技术；3．两个驱动器及两个接收器；4．±30V输入电平；5．低电源电流：典型值是8mA；6．符合甚至优于ANSI标准EIA/TIA-232-E及ITU推荐标准V.28；7．ESD保护大于MIL-STD-883（方法3015）标准的2000V；第3章REF_Ref168484495\h错误！未找到引用源。洛阳理工学院毕业设计（论文）PAGE17第3章硬件电路设计3.1采样电路设计本论文研究的超级电容系统共有16只单体电容串联组成，为了全面的研究超级电容系统的特性，就需要对每只电容的状态进行监测，本系统对超级电容的监测指标为电压值，采用的方案是电阻分压后由多路开关切换通道送入A/D转换器。3.2分压电路本系统的测试对象最高为16个单体超级电容串联而成的超级电容组，由于单体超级电容电压较低，一般在2.7V左右，故在测量单体电容的电压时，设计采用直接测量单体电容的电压差，但是由于超级电容串联后，电容两端电位升高，故在送入A/D转换器前对这个差分信号进行降压，方案为对每一路信号分别降压，即将每一路信号都送入降压网络，该降压网络由16组电阻组成，每组电阻由一个10K电阻和一个19K电阻串联而成，输入信号由每组电阻的两端进入，降压后的信号由两个电阻中间输出，输入、输出电压信号比值为10。具体电路如下：图3-1分压电路3.3通道切换电路本设计中采用的A/D转换器采样速率非常快，而被测电压值变化较慢为此，在分压电路之后设计一个通道切换电路，可以让16路采样电路共用一片A/D转换器，从而达到简化设计，节约成本的目的。通道切换电路由一片CD4067构成16双通道模拟开关，由单片机控制进行通道切换。具体电路图3-1所示：3.4Led显示电路在本系统中，根据需要显示的数据，采用1个一位8段数码管（7SEG-MPX8-CC-BLUE）显示。为了简化设计和节省端口，选择串行接口静态显示方式。在本电路中，该8段LED数码管与显示驱动芯片max7221相连，其A，B，C，D，E，F，G，DP管脚分别与max7221的A，B，C，D，E，F，G，DP管脚相连，而其位选信号分别与max7221的DIG0，DIG1，DIG2，DIG3，DIG4，DIG5，DIG6，DIG7管脚相连，由max7221控制led管的显示。其电路图如图所示：图3-2显示电路3.5串行通信电路设计本系统中，AT89C51与上位机通过RS-232C总线进行通信，由于单片机输入/输出电平为TTL电平，而上位机配置的是RS-232C标准串行接口，二者电气规范不一致，因此，要完成上位机与单片机的数据通信，必须进行电平转换。现在采用MAX232单芯片实现AT89C51单片机与上位机的RS-232C标准接口通信电路。MAX232芯片是MAXIN公司生产的、包含两路接收器和驱动器的IC芯片，适用于各种EIA-232C和V.28/V.29的通信接口。MAX232芯片内部有一个电源电压变换器，可以把输入的+5V电压变换成为RS-232C输出电平所需的±10V电压。所以，采用此芯片接口的串行通信系统只需单一的+5V电压就可以了。具体电路实现如下：图3-3串行通信电路3.6电源电路设计电源电路采用220V交流输入，经变压器降压后再由整流桥转换成直流电压，经过LM7805稳压器变成+5V电压，电源电路设计有发光二极管指示灯，提示电路工作正常。具体电路实现如下：图3-4电源电路3.7系统总原理图系统总原理图由以上各部分组成，详见附录1。第3章标题PAGE8PAGE22第4章系统下位机程序设计4.1下位机程序设计在下位机的程序设计上，采用C语言进行程序设计，并采用模块化的程序设计方法。C51是一种在MCS-51系列单片机是使用的特定的C语言，能对单片机的硬件资源进行灵活、便捷地操作，具备汇编语言的功能，同时不失高级语言的可读性好、可移植性好的优点，可以方便调用成熟的库函数（或程序模块）等现有资源。采用模块化的程序设计方法，有下述优点：单个模块结构的程序功能单一，易于编写、调试和修改；便于分工，从而可使多人同时进行程序的编写和调试工作，加快软件开发进度；程序可读性好，便于功能扩充和升级；对程序的修改可局部进行，其他部分可保持不变；对于使用频繁的子程序可建立子程序库，便于多个模块调用；4.2主程序设计系统上电复位后，要对系统各部分进行初始化，如I/O口、内部定时器、中断及外部器件的设定，之后调用A/D转换子程序，依次采集各个单体电容的电压值，送外部RAM存储。系统主程序流程图如图所示：图4-1主程序流程图4.3各部分子程序设计根据系统设计要求，设计了多个子程序，有系统初始化、A/D转换、键盘扫描、LED显示、串行通信等。4.3.1A/D转换子程序数据采集子程序有通道控制、A/D转换、数据接收、标度转换等操作，首先设置通道循环次数，再控制多路开关选通第一路通道，而后启动A/D转换，等待A/D转换结束信号，转换结束后单片机通过SPI总线接口完成数据接收，进行标度转换后存入数组中A/D转换子程序流程图如下图4-2A/D转换子程序流程图4.3.2LED显示子程序LED显示子程序要完成对采样电压值的显示，根据键盘扫描得到的键值，选择相应通道的数据显示。显示程序设计分两步完成，第一步把数据转换成BCD码，第二步移位传送数据至max7221，驱动LED数码管显示。LED显示子程序流程图如下：图4-3LED显示子程序流程图主程序流程图4.3.3串行通信子程序串行通信子程序主要完成单片机与上位机的通信，本设计中，当数据采集完成后调用串行通信子程序将数据发送至上位机进行下一步处理。当对超级电容组的采样转换结束后，检测发送中断标志位是否为1，若为1则表示上一段数据已经发送完毕，将需要发送的数据放入发送寄存器，并启动发送；而中断标志位不为1时，则为误操作，系统不做任何响应。本系统中A/D转换器产生的数据为16位两字节数据，故发送时要分两次发送，先发送低位字节数据，再发送高位字节数据。串行通信子程序流程图如图4.6所示。图4-4串行通信子程序流程图REF_Ref168484640\r\h错误！未找到引用源。REF_Ref168484646\h错误！未找到引用源。PAGE25第5章系统上位机程序设计5.1上位机程序设计概述本次设计的上位机采用C语言进行编写。C语言是Microsoft公司推出的一款集成开发工具，它具有友好的可视化开发环境和丰富的应用程序向导功能，大大降低了Windows应用程序开发的复杂性和难度。5.2上位机界面设计上位机程序需要完成数据的初始化、发送、接收、处理等多项功能。为了便于测试，设计一可视化界面便于设计人员与下位机进行交互。其界面如图5-1所示。图5-1上位机界面程序开始运行进入主界面，选择参数配置模块，对数据传输接口进行初始化，即通信协议的确定，其中包括串口号、波特率、数据位、奇偶校验、停止位等项目的设置。其具体实现流程如图5-2所示。结论结论本文首先探讨了超级电容的产生，发展以及特点，对超级电容测试系统进行了研究。基于AT89C51设计的超级电容测试系统基本符合设计要求，采用电阻分压网络与多路模拟开关的设计方案，较全面的考虑了各种实际中的不良因素，在设计中所体现的设计思想，对以后的研究工作也具有一定的参考价值。本论文具体完成如下工作:1、完成了硬件电路的设计，其中有16组电压分压测量的设计、采样电路的设计、A/D转换电路的设计、显示电路设计、通信电路设计等计。2、完成了上位机与下位机程序设计，上位机程序设计主要基于C语言,设计了一个窗口界面，能够完成数据接收、数据存储等功能，下位机程序设计中详细设计了A/D转换程序、LED显示程序等关键子程序。3、在系统设计中，充分运用了模块化设计的思想。硬件电路设计中，各部分相互独立，降低了不必要的干扰。软件设计中，对于每个子程序的设计都采用结构化的方法，可读性强，便于以后的修改完善。总的来说，本系统基本达到了预期的目的，能够实现检测超级电容的目的，但仍有一些不足之处，如电容测试的通道数量较少，只有16组，而实际应用中的超级电容组中单体电容数量均以数千计。在以后的研究工作中，这些方面都有待进一步深入探讨。致谢洛阳理工学院毕业设计论文16PAGE26谢辞四年的大学学习和生活也即经过两个多月来的资料收集、分析、整理草图创意、方案修改、仿真、确定、设计论述的撰写，到现在基本上完成了所有毕业设计的项目——这个漫长的过程，当然是辛苦的，不过，从个人角度来说，这个更是我大学本科四年一次对自己专业能力的总结和升华，当我看到自己所设计的模型制作出来的时候那种震撼，真的感慨万千……一句话，做设计很开心！首先我要感谢我的指导老师张伟民老师，感谢他在论文写作过程中给予我的指导和帮助。从论文的拟题、方案、设计等方面张老师始终为我们指引设计方向，使我们能在预期的时间内完成。在此，衷心感谢张老师的悉心指导，祝愿张老师身体健康、工作顺利！感谢我的室友们，四年了，仿佛就在昨天。四年里，我们没有红过脸，没有吵过嘴，我们是最和睦的模范宿舍！只是今后大家就难得再聚在一起吃每年元旦那顿饭了吧，没关系，各奔前程，大家珍重。另外，我还要感谢和我一同完成毕业设计的李红松，朱卫云，黄鹏同学，在课题的设计写作过程中，我们共同解决了许多难题，从中我受益良多。最后，我要感谢我的亲人，感谢父母伟大的爱，鼓舞着我向人生的一个个目标奋勇前进，我的成绩永远都有他们的功劳。参考文献PAGE63参考文献[1]李朝青.单片机原理及接口技术.第3版.北京：北京航空航天大学出版社，2006.12[2]刘坤，高征，晁阳.Protel99SE电路设计实例教程.北京：清华大学出版社，2008.5[3]谭浩强.C程序设计.第三版.北京：清华大学出版社，2005[4]潘新民，王燕芳.微型计算机控制技术实用教程.北京：电子工业出版社，2006.1[5]杜树春.单片机C语言和汇编语言混合编程实践.北京：北京航空航天大学出版社，2008.3[6]万福君，潘松峰，刘芳等.MCS-51单片机原理、系统设计与应用.北京：清华大学出版社，2008.6[7]周韧研，商斌.VisualC++串口通信开发入门与编程实践.北京：电子工业出版社，2009.4[8]施昌权.新手学VisualC++.北京：北京希望电子出版社，2010[9]陈广赞.基于单片机控制的恒流源测试系统：[硕士学位论文].大连理工大学[10]徐文兵.超级电容能量监控系统的研究与设计：[硕士学位论文].上海交通大学[11]白鑫.超级电容器恒功率测试系统的研究：[硕士学位论文].大连理工大学[12]王新运.太阳能电动车超级电容充放电系统的研究与开发：[硕士学位论文].华南理工大学[13]石晓宁.串联超级电容组参数测试及均衡技术研究：[硕士学位论文].哈尔滨工业大学[14]那伟.动力电池组分布式监测系统的研究：[硕士学位论文].哈尔滨工业大学附录PAGE16附录电路总电路图仿真图如下所示设计源程序如下所示：分压程序：#include<reg52.h>#include<intrins.h>#defineucharunsignedchar#defineuintunsignedintsbitkey1=P3^6;sbitkey2=P3^7;sbitA0=P1^0;sbitA1=P1^1;sbitA2=P1^2;sbitA3=P1^3;sbitCE=P3^4;uintcounter=0;voiddelay_ms(uintn)//延时程序{ uchari; while(n--) { for(i=0;i<100;i++); }}voidkeyscan()//多路选择程序{if(key1==1){{ //counter++; if(counter>=16)counter=0;}while(!key1);}switch(counter){case0:CE=0;P1=0xFf;break;case1:CE=0;P1=0xFe;break;case2:CE=0;P1=0xFd;break; case3:CE=0;P1=0xFc;break;case4:CE=0;P1=0xFb;break;case5:CE=0;P1=0xFa;break;case6:CE=0;P1=0xF9;break;case7:CE=0;P1=0xF8;break;case8:CE=0;P1=0xF7;break;case9:CE=0;P1=0xF6;break;case10:CE=0;P1=0xF5;break;case11:CE=0;P1=0xF4;break;case12:CE=0;P1=0xF3;break;case13:CE=0;P1=0xF2;break;case14:CE=0;P1=0xF1;break;case15:CE=0;P1=0xF0;break;}}显示及通信程序：#include<cd4066.h>#defineaddo(5.0/65535.0)//216-1=65535，16位模数转换器sbitDIN=P2^0;sbitCS=P2^1;sbitCLK=P2^2;sbitSDO=P2^3;sbitSCK=P2^4;sbitCONV=P2^5;staticunsignedchardisbuf[8]={1,2,3,4,5,6,7,8}; uintt1,t2;voidWriteByte(uchardat){ uchari; for(i=0;i<8;i++) { DIN=((dat<<i)&0x80)?1:0; CLK=0; _nop_(); CLK=1; _nop_(); }}voidMAX7221_WRITE(ucharaddr,uchardat){ CS=0; WriteByte(addr);//写入地址 WriteByte(dat);//写入数据 CS=1;}voidMAX7221_Initial(void){ MAX7221_WRITE(0x0A,0x07);//亮度控制 MAX7221_WRITE(0x0B,0x07);//扫描数码管的位数 MAX7221_WRITE(0x0C,0x01);//工作模式 MAX7221_WRITE(0x0F,0x00); MAX7221_WRITE(0x09,0xff);//编码模式}voiddisplay(uchar*str){ uchari; for(i=0;i<8;i++) { MAX7221_WRITE(i+1,str[i]); }}uintLTC1864_READ(void){uchari; uinttemp=0; CONV=0; CONV=1; _nop_();_nop_();_nop_(); CONV=0; SDO=1; for(i=0;i<16;i++) { SCK=1; _nop_(); SCK=0; _nop_();temp<<=1;if(SDO==1){temp|=0x0001;} }CONV=1; returntemp;}voidHEXTOBCD(){ uinttemp;t1=(uint)(LTC1864_READ()*addo*10000);//temp=LTC1864_READ(); if(counter==0) temp=t1; if(counter>0) temp=t1-t2;//求取两次电压的差值为该节电池的电压t2=t1;disbuf[0]=(temp%100000/10000);disbuf[1]=temp%10000/1000|0x80;//带小数点的位显示disbuf[2]=temp%1000/100;disbuf[3]=temp%100; disbuf[4]= temp%10;disbuf[5]=15;disbuf[6]=counter/10;//显示通道十位disbuf[7]=counter++%10;//显示通道个号//}//voidmax232()//{TMOD=0X20;//选择方式1SCON=0X40;PCON=0X00;TH1=0XF3;TL1=0XF3;//设置波特率TR1=1; SBUF=temp; while(!TI); //等特数据传送 TI=0;}voidmain()//主程序{ MAX7221_Initial(); delay_ms(10);while(1) {keyscan();HEXTOBCD();delay_ms(10);display(disbuf); delay_ms(2000); delay_ms(10); }}外文资料翻译DescriptionofAT89C511GeneralDescriptionTheAT89C51isalow-power,high-performanceCMOS8-bitmicrocontrollerwith4KbytesofIn-SystemProgrammableFlashmemory.ThedeviceismanufacturedusingAtmel’shigh-densitynonvolatilememorytechnologyandiscompatiblewiththeindustry-standard80C51instructionsetandpinout.Theon-chipFlashallowstheprogrammemorytobereprogrammedin-systemorbyaconventionalnonvolatilememoryprogrammer.Bycombiningaversatile8-bitCPUwithIn-SystemProgrammableFlashonamonolithicchip,theAtmelAT89C51isapowerfulmicrocontrollerwhichprovidesahighly-flexibleandcost-effectivesolutiontomanyembeddedcontrolapplications.TheAT89C51providesthefollowingstandardfeatures:4KbytesofFlash,128bytesofRAM,32I/Olines,Watchdogtimer,twodatapointers,two16-bittimer/counters,afive-vectortwo-levelinterruptarchitecture,afullduplexserialport,on-chiposcillator,andclockcircuitry.Inaddition,theAT89S51isdesignedwithstaticlogicforoperationdowntozerofrequencyandsupportstwosoftwareselectablepowersavingmodes.TheIdleModestopstheCPUwhileallowingtheRAM,timer/counters,serialport,andinterruptsystemtocontinuefunctioning.ThePower-downmodesavestheRAMcontentsbutfreezestheoscillator,disablingallotherchipfunctionsuntilthenextexternalinterruptorhardwarereset.2PortsPort0isan8-bitopendrainbi-directionalI/Oport.Asanoutputport,eachpincansinkeightTTLinputs.When1sarewrittentoport0pins,thepinscanbeusedashigh-impedanceinputs.Port0canalsobeconfiguredtobethemultiplexedlow-orderaddress/databusduringaccessestoexternalprogramanddatamemory.Inthismode,P0hasinternalpull-ups.Port0alsoreceivesthecodebytesduringFlashprogrammingandoutputsthecodebytesduringprogramverification.Externalpull-upsarerequiredduringprogramverification.Port1isan8-bitbi-directionalI/Oportwithinternalpull-ups.ThePort1outputbufferscansink/sourcefourTTLinputs.When1sarewrittentoPort1pins,theyarepulledhighbytheinternalpull-upsandcanbeusedasinputs.Asinputs,Port1pinsthatareexternallybeingpulledlowwillsourcecurrent(IIL)becauseoftheinternalpull-ups.Port1alsoreceivesthelow-orderaddressbytesduringFlashprogrammingandverification.PortPinAlternateFunctionsP1.5MOSI(usedforIn-SystemProgramming)P1.6MOSO(usedforIn-SystemProgramming)P1.7SCK(usedforIn-SystemProgramming)Port2isan8-bitbi-directionalI/Oportwithinternalpull-ups.ThePort2outputbufferscansink/sourcefourTTLinputs.When1sarewrittentoPort2pins,theyarepulledhighbytheinternalpull-upsandcanbeusedasinputs.Asinputs,Port2pinsthatareexternallybeingpulledlowwillsourcecurrent(IIL)becauseoftheinternalpull-ups.Port2emitsthehigh-orderaddressbyteduringfetchesfromexternalprogrammemoryandduringaccessestoexternaldatamemorythatuse16-bitaddresses(MOVX@DPTR).Inthisapplication,Port2usesstronginternalpull-upswhenemitting1s.Duringaccessestoexternaldatamemorythatuse8-bitaddresses(MOVX@RI),Port2emitsthecontentsoftheP2SpecialFunctionRegister.Port2alsoreceivesthehigh-orderaddressbitsandsomecontrolsignalsduringFlashprogrammingandverification.Port3isan8-bitbi-directionalI/Oportwithinternalpull-ups.ThePort3outputbufferscansink/sourcefourTTLinputs.When1sarewrittentoPort3pins,theyarepulledhighbytheinternalpull-upsandcanbeusedasinputs.Asinputs,Port3pinsthatareexternallybeingpulledlowwillsourcecurrent(IIL)becauseofthepull-ups.Port3receivessomecontrolsignalsforFlashprogrammingandverification.Port3alsoservesthefunctionsofvariousspecialfeaturesoftheAT89S51,asshowninthefollowingtable.PortPinAlternateFunctionsP3.0RXD(serialinputport)P3.1TXD(serialoutputport)P3.2INT0(externalinterrupt0)P3.3INT1(externalinterrupt1)P3.4T0(timer0externalinput)P3.5T1(timer1externalinput)P3.6WR(externaldatamemorywritestrobe)P3.7RD(externaldatamemoryreadstrobe)3SpecialFunctionRegistersAmapoftheon-chipmemoryareacalledtheSpecialFunctionRegister(SFR)spaceisshowninTable3-1.Table3-1.AT89S51SFRMapandResetValues0F8H0FFH0F0HB000000000F7H0E8H0EFH0E0HACC000000000E7H0D8H0DFH0D0HPSW000000000D7H0C8H0CFH0C0H0C7H0B8HIPXX0000000BFH0B0HP3111111110B7H0A8HIE0X0000000AFH0A0HP211111111AUXR1XXXXXXX0WDTRSTXXXXXXXX0A7H98HSCON00000000SBUFXXXXXXXX9FH90HP11111111197H88HTCON00000000TMOD00000000TL000000000TL100000000TH000000000TH100000000AUXRXXX00XX8FH80HP011111111SP00000111DP0L00000000DP0H00000000DP1L00000000DP1H00000000PCON0XXX000087HNotethatnotalloftheaddressesareoccupied,andunoccupiedaddressesmaynotbeimplementedonthechip.Readaccessestotheseaddresseswillingeneralreturnrandomdata,andwriteaccesseswillhaveanindeterminateeffect.Usersoftwareshouldnotwrite1stotheseunlistedlocations,sincetheymaybeusedinfutureproductstoinvokenewfeatures.Inthatcase,theresetorinactivevaluesofthenewbitswillalwaysbe0.InterruptRegisters:TheindividualinterruptenablebitsareintheIEregister.TwoprioritiescanbesetforeachofthefiveinterruptsourcesintheIPregister.Table3-2.AUXR:AuxiliaryRegisterAUXRAddress=8EHResetValue=XXX00XX0bNotBitAddressable–––WDIDLEDISRTO––DISALEBit76543210–ReservedforfutureexpansionDISALEDisable/EnableALEDISALEOperatingMode0ALEise