采用紫外可见光谱法求取禁带宽演示文稿

采用紫外可见光谱法求取禁带宽度演示文稿当前第1页\共有35页\编于星期五\15点一半导体禁带求导公式当前第2页\共有35页\编于星期五\15点通常(ahv)½是有单位的，(eV)1/2.cm-1/2或(eV)1/2.cm-1/2。由上述公式可知，（ahv）1/2

和(ahv)2

只与hv成线性关系，能用于估算Eg。由朗伯-比尔定律知，A=abc，a是吸光系数，b是比色皿或者薄膜样品厚度，c是浓度。b，c是固定值，a=A/bc=A/K。禁带公式可写成如下形式：当前第3页\共有35页\编于星期五\15点当前第4页\共有35页\编于星期五\15点K值的大小对Eg没有影响，以hv为横坐标，以或为纵坐标，作图，再做切线，即可得到Eg。hv用1024/波长代替。前者为直接半导体禁带宽度值，后者为间接半导体禁带宽度值。A(Absorbance)即为紫外可见漫反射中的吸光度。当前第5页\共有35页\编于星期五\15点Kubelka-Munk公式A=-lg(R)（1）F(r)=(1-R)2/2R=a/s（2）R为反射率,a吸收系数，s反射系数求禁带宽度：利用第一个公式求每个吸光度对应的R，用E＝1240/波长，做横坐标，利用第二个公式求F（R），再用做纵坐标，做图，再做切线，即得带隙图谱

当前第6页\共有35页\编于星期五\15点二求半导体禁带实例

将紫外可见分光漫反射数据导入到excell，然后进行数据处理，下面用第一个公式进行数据处理：当前第7页\共有35页\编于星期五\15点当前第8页\共有35页\编于星期五\15点当前第9页\共有35页\编于星期五\15点当前第10页\共有35页\编于星期五\15点下面用Kubelka-Munk公式处理：当前第11页\共有35页\编于星期五\15点当前第12页\共有35页\编于星期五\15点当前第13页\共有35页\编于星期五\15点三关于K值大小对结果的影响当前第14页\共有35页\编于星期五\15点同一组数据在不同的处理方法下得到的Eg.以下也是这一组数据的处理当前第15页\共有35页\编于星期五\15点当前第16页\共有35页\编于星期五\15点当前第17页\共有35页\编于星期五\15点

由上图可见，密度，厚度等因素影响K的大小，但并不影响所求的Eg.当前第18页\共有35页\编于星期五\15点由UV-vis

光谱求样品的Eg当前第19页\共有35页\编于星期五\15点一半导体禁带求导公式当前第20页\共有35页\编于星期五\15点通常(ahv)½是有单位的，(eV)1/2.cm-1/2或(eV)1/2.cm-1/2。由上述公式可知，（ahv）1/2

和(ahv)2

只与hv成线性关系，能用于估算Eg。由朗伯-比尔定律知，A=abc，a是吸光系数，b是比色皿或者薄膜样品厚度，c是浓度。b，c是固定值，a=A/bc=A/K。禁带公式可写成如下形式：当前第21页\共有35页\编于星期五\15点当前第22页\共有35页\编于星期五\15点K值的大小对Eg没有影响，以hv为横坐标，以或为纵坐标，作图，再做切线，即可得到Eg。hv用1024/波长代替。前者为直接半导体禁带宽度值，后者为间接半导体禁带宽度值。A(Absorbance)即为紫外可见漫反射中的吸光度。当前第23页\共有35页\编于星期五\15点Kubelka-Munk公式A=-lg(R)（1）F(r)=(1-R)2/2R=a/s（2）R为反射率,a吸收系数，s反射系数求禁带宽度：利用第一个公式求每个吸光度对应的R，用E＝1240/波长，做横坐标，利用第二个公式求F（R），再用做纵坐标，做图，再做切线，即得带隙图谱

当前第24页\共有35页\编于星期五\15点二求半导体禁带实例

将紫外可见分光漫反射数据导入到excell，然后进行数据处理，下面用第一个公式进行数据处理：当前第25页\共有35页\编于星期五\15点当前第26页\共有35页\编于星期五\15点当前第27页\共有35页\编于星期五\15点当前第28页\共有35页\编于星期五\15点下面用Kubelka-Munk公式处理：当前第29页\共有35页\编于星期五\15点当前第30页\共有35页\编于星期五\15点当前第31页\共有35页\编于星期五\15点三关于K值大小对结果的影响当前第32页\共有35